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中国科学院金属研究所专利：钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料的原位制备方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧氮 氮化硼 陶瓷基复合材料
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2023/9/28
本发明涉及陶瓷基复合材料领域,具体为一种钇硅氧氮-氮化硼(Y4Si2O7N2-BN)陶瓷基复合材料的原位制备方法。该复合材料由钇硅氧氮和氮化硼两相组成,按体积百分比计,复合材料中氮化硼的含量为5～95％,余量为钇硅氧氮。以氧化钇粉、氧化硅粉、氮化硅粉和BN粉为原料,料粉经过球磨1～24小时,烘干过筛后,装入石墨模具中,以10～15MPa冷压,之后在通有氮气作为保护气氛的热压炉中以5～40℃/min...
中国科学院金属研究所专利：一种钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧氮 氮化硼 陶瓷基 复合材料
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2023/9/26
本发明涉及陶瓷基复合材料领域,具体为一种钇硅氧氮-氮化硼(Y4Si2O7N2-BN)陶瓷基复合材料及其制备方法。该复合材料由钇硅氧氮和氮化硼两相组成,按体积百分比计,复合材料中氮化硼的含量为5～95％,余量为钇硅氧氮。以Y4Si2O7N2粉和BN粉为原料,料粉经过球磨1～24小时,烘干过筛后,装入石墨模具中,以10～15MPa冷压,之后在通有氮气作为保护气氛的热压炉中以5～40℃/min的升温速率...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧氮 陶瓷材料
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2023/9/4
本发明属于高温功能/结构陶瓷领域,更具体地说,是涉及一种原位反应制备钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。本发明提供了一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2),采用原位反应法合成单相的Y4Si2O7...
中国科学院金属研究所专利：一种钇硅氧多孔高温陶瓷材料的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧 陶瓷材料
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2023/8/29
本发明涉及多孔高温陶瓷材料领域,具体为一种通过有机泡沫浸渍工艺制备钇硅氧多孔高温陶瓷材料的方法。该方法以聚氨酯有机泡沫为模板,经过碱腐蚀和CMC溶液浸泡预处理后,在Y2SiO5浆料(由Y2SiO5粉、CMC溶液、硅溶胶、高岭土和聚乙二醇或柠檬酸铵混合配制)中浸渍、挂浆后,进行离心和干燥处理除去模板中多余的浆料。随后在700-900℃下热处理去除有机泡沫模板并预烧结,然后在1500-1550℃下进行...
中国科学院金属研究所专利：一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 高孔隙率 钇硅氧 多孔陶瓷
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2023/8/28
中国科学院金属研究所专利：一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种六方氮化硼-钇硅氧复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 六方氮化硼 钇硅氧 复合材料
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2023/8/24
中国科学院金属研究所专利：一种六方氮化硼-钇硅氧复合材料及其制备方法