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近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣团队与中国科学技术大学董春华团队、华东师范大学程亚团队以及深圳国际量子研究院刘骏秋团队合作,在硅基绝缘体上碳化硅(SiCOI)平台的微腔孤子光频梳方面取得了重要进展。研究团队在利用异质集成技术制备高Q值SiC光子微腔的基础上,采用双光束泵浦方式首次在室温下实现了SiC光学频率梳的锁模。同时,通过SiC本征的二阶非线性特性,实现了光频梳从红外到可见波段的...
2022年11月11日,上海微系统所传感技术国家重点实验室采用微纳加工技术制备多通道超柔性微电极阵列并集成天然丝蛋白光纤组成的多功能探针(Silk-Optrode),该探针可实现大脑神经信号的精准调控与解析。相关研究成果以“A silk-based self-adaptive flexible opto-electro neural probe”为题于2022年11月8日发表在学术期刊Micros...
半导体是信息时代的基石,集成电路是电子信息系统的“脖子”,而硅片是占比最大的集成电路耗材,因此硅基技术的源头和底层创新事关集成电路发展和产业安全。硅因禁带宽度的物理限制,使其无法有效探测到1100 nm以上的红外光波,而探测波段决定探测能力,不同波段反应不同信息,因此将硅基器件探测范围从可见光拓展至红外波段,实现宽光谱探测,具有十分重要的意义,也是科研工作者面临的极限挑战之一。
硅光集成是指利用CMOS工艺平台,将实现高性能调制、探测、传输和复用等功能的器件集成在同一芯片上,通过规模集成面向片上和片间光互连、高速光通信、集成传感和智能计算等提供性能更优、更具性价比的芯片和组件,其中低功耗、高性能的光开关是硅光集成在上述应用场景中需要的核心器件。
吴亮,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师。长期致力于毫米波/亚毫米波/太赫兹固态集成电路与微系统技术研究。作为项目负责人承担中国科学院预研项目等。近5年来,著有《毫米波集成电路极其应用》一书,电子工业出版社2012年1月出版,近5年内发表期刊论文5篇,会议论文11篇,均被SCI/EI收录,多篇发表于微波业内顶级杂志和会议,授权发明专利3项。
孙浩,中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员。主要研究领域为毫米波太赫兹固体电子学器件与电路,目前已完成或正承担国家973项目、国家自然科学基金项目、中科院、上海市科委项目等相关研究课题多项。
【本站讯】2021年7月15日,中国工程院院士、清华大学副校长尤政教授做客黄岛讲坛,作题为“智能微系统技术及其应用”的学术报告。
2021年4月1日,济南市发改委组织的“先进微纳集成系统设计制造平台(以下简称‘微系统平台’)可行性论证会”在济南召开。中科院空天信息创新研究院(以下简称“空天院”)副院长丁赤飚出席并讲话。会议由济南市发改委总经济师金岩主持。
近日,电子科学与工程学院张晓升教授课题组在国际著名学术期刊《Nano energy》上发表题为“Self-powered trajectory-tracking microsystem based on electrode-miniaturized triboelectric nanogenerator”的论文(中科院一区,影响因子16.602)。该工作对新型微纳能源采集器件的电极部分展开深入研究...
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所陈垒研究员、王镇研究员提出了一种新型3D nano-SQUID超导存储器件,并发现利用其特有的偏离正弦函数的电流-位相关系,可以从原理上突破超导存储器的集成度瓶颈。研究结果以题为“Miniaturization of the Superconducting Memory Cell via a Three-Dimensional Nb Nano-Superc...
上海微系统所孙晓玮研究员团队联合杭州芯影科技有限公司、福联集成电路有限公司研制成功自主可控的AlGaAs PIN 异质结毫米波单片开关芯片,实现了国外同类产品的一对一替代。单刀双掷(SPDT)、单刀四掷(SP4T)的芯片,各项指标达到或各别指标优于国外同类芯片指标。特别是国内首次研制成功了自带偏置的同类型开关芯片。毫米波PIN开关具有切换时间短、隔离度高、插损小等特点,在毫米波成像仪、宽带开关阵列...
上海微系统所异质集成XOI课题组利用“万能离子刀”剥离与转移技术,将LiNbO3单晶薄膜与高声速、高导热的支撑衬底异质集成(如图1所示),与美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校合作,研制出高性能声表面波(SAW)器件。声表面波谐振器的谐振频率约1.95 GHz,导纳比高达80.1 dB,机电耦合系数高达27.8%,Q值接近2000,谐振器的综合性能品质优值(FoM)高达530,为已报道的最高值 (如图...
近期,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室在高迁移率的石墨烯单晶晶圆研究方面取得进展,相关工作以“Wafer-scale growth of single-crystal graphene on vicinal Ge(001) substrate”为题发表在Nano Today期刊上(Nano Today 2020, 34, 100908)。
为了实现钆基造影剂弛豫率的突破,中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室董慧课题组、丁古巧课题组提出借助石墨烯量子点的表面局域超强酸微环境实现钆基造影剂弛豫率的突破。实验及理论计算结果表明,石墨烯量子点表面局域超强酸微环境能显著提高造影剂磁性中心附近的水交换速率,进而提高造影剂的弛豫率。在商用高场磁共振系统(7 T)下该造影剂弛豫率为127.0 mM-1 s-1,高于已有报道...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯单晶晶圆研究取得新进展。信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队首次在较低温度(750℃)条件下采用化学气相沉积外延成功制备6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆。研究论文于4月4日在Small上在线发表(X.F. Zhang, et al, Epitaxial Growth of 6 in. Single-Crystalline Graphe...

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