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反铁磁序中自旋涨落引起的自旋霍尔效应增强（图）
反铁磁序 自旋涨落 自旋 霍尔效应增强
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2024/1/9
自旋霍尔效应(SHE)可借助自旋轨道耦合作用将电流转换成纯自旋流，而后者可被进一步用于驱动磁矩反转或进动，即自旋轨道力矩(SOT)效应。它成为工业界第三代自旋轨道力矩型磁随机存储器(SOT-MRAM)的物理基础。2009年，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心率先申请并获批了SOT-MRAM领域的首个原创专利[陈军养、韩秀峰等，发明专利授权号:CN200910076048.X]，在其中...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：碱式硼酸锌非线性光学晶体及其制备方法和用途
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 碱式 硼酸锌 非线性光学晶体
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2023/12/21
本发明涉及一种碱式硼酸锌非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体分子式为：Zn2BO4H，分子量为206.56，属于单斜晶系，空间群为P21，单胞参数为a=5.730(7)Å，b=4.952(4)Å，c=6.881(6)Å,β=99.09(5)°，Z=2，透光波段紫外吸收截止边在220 nm，采用封袋水热法制备碱式硼酸锌非线性光学晶体，该方法制备简单，生长周期短，所使用...
本发明提供一种化合物碘化磷酸锡和碘化磷酸锡双折射晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Sn2PO4I，分子量为459.25，采用固相反应法或真空封装法制备，该晶体的化学式为Sn2PO4I，分子量为459.25，属于正交晶系，空间群为Cmcm，晶胞参数为a=5.224(2)Å，b=8.069(3)Å，c=15.616(7)Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：化合物二羟基二氟化三硼酸胍和二羟基二氟化三硼酸胍非线性光学晶体及制备方法和用途
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 二羟基二氟化三硼酸胍 非线性光学晶体
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2023/12/21
本发明涉及一种化合物二羟基二氟化三硼酸胍及二羟基二氟化三硼酸胍非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]，分子量为212.53，采用蒸发法、水热法或室温溶液法制备；该晶体的化学式为[C(NH2)3][B3O3F2(OH)2]，分子量为212.53，晶体属三斜晶系，空间群P1，晶胞参数为a=4.8288(7)Å，b=6.8455(10)&...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 碱金属 硼硫酸盐 非线性光学晶体
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2023/12/21
本发明涉及一种系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该系列化合物的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，分子量分别为271.38，313.50，406.24和501.12；该系列晶体的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，别为(NH4)2B4SO10，K2B4SO10，Rb2B4SO10或Cs2B4SO10,分子量分别为271....
中国科学院金属研究所专利：多模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置
中国科学院金属研究所 专利 旋转横向 磁场控制 电弧离子镀
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2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的多 模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置。该电弧离子镀装置设有 靶材、旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内 设置基体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于 真空室外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与 法兰套或者炉体管道之间通过绝缘保护。本发明通...
发现单带Mott绝缘体Nb3Cl8（图）
单带 Mott绝缘体 Nb3Cl8 电子结构
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2024/1/9
在没有相互作用或者只存在弱相互作用的体系中，能带理论能够很好地描述材料的电子结构，并据此区分金属（部分填充）和绝缘体（全空或全满）。然而，这种理解并不完整，因为多体相互作用可能导致能带理论的失效，典型案例即为Mott绝缘体。在能带理论中，半填充的能带应表现为金属态。然而，由于强电子-电子相互作用，实际上呈现为绝缘态，即Mott绝缘体。
中国科学院大连化学物理研究所通过相干光学声子揭示无铅双钙钛矿的白光发射机理（图）
光学声子 钙钛矿材料 白光发射
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2024/1/11
2023年12月21日，中国科学院大连化学物理研究所化学动力学研究室分子光化学动力学研究组（1117组）袁开军研究员和隋来志副研究员团队利用自主开发的高压超快光谱，揭示了Cs2NaInCl6:Sb3+晶体经过高压作用后产生白光发射的机理。
中国科学院兰州分院近代物理所在原子间库仑衰变研究方面取得重要进展（图）
原子物理 分子电离解 低能电子
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2024/1/10
近代物理所原子物理中心马新文研究员团队利用自主研发的反应显微成像谱仪开展了ArCH4团簇的碎裂实验，在原子间库仑衰变诱导分子电离解离方面取得了重要进展。该研究于2023年12月18日发表在国际物理学顶级期刊Physical Review Letters上。
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种制备碱土金属铁钼氧化物磁性材料的方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 碱土金属 铁钼氧化物 磁性材料
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2023/12/20
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种制备碱土金属铁钼氧化物磁性材料的方法
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种磁控溅射装置及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 磁控溅射
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2023/12/20
一种磁控溅射装置及其应用，能够使管型或圆柱状基底在轴向上连续旋转，轴向转速与基底温度可调可控，且在加热的条件下能够保持基底温度均匀一致，能够在管型及圆柱状基底上沉积制备出均匀的固体薄膜，扩展了磁控溅射方法的使用范围。
超级陶粲装置物理和探测器概念设计报告正式在线发表（图）
超级陶粲装置 探测器 概念设计报告 在线发表
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2024/3/11
当今粒子物理面临一系列重大基本问题的挑战，如强相互作用本质、强子结构和质量起源、物质与反物质的不对称性，以及暗物质和暗能量等。为了应对这些挑战，中国高能物理界提出建造新一代陶粲能区超高亮度的正负电子对撞机—超级陶粲装置（英文全称Super Tau-Charm Facility,简称STCF）。中国科学技术大学核探测与核电子学国家重点实验室赵政国院士团队牵头组织国内外众多研究单位开展STCF概念性设...
This paper discusses the algorithm and error estimates for solving space inhomogeneous semiconductor Boltzmann equations with multi-valley, which describe the transport properties of carriers in semic...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
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2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：五水合五羟基十三硼酸钡和五水合五羟基十三硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 五水合五羟基十三硼酸钡 非线性光学晶体
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2023/12/19
本发明提供一种五水合五羟基十三硼酸钡和五水合五羟基十三硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，所述该化合物的化学式为Ba2B13O19(OH)5·5H2O，分子量为894.33，采用水热法制成；该晶体的化学式为Ba2B13O19(OH)5·5H2O，分子量为894.33，属于三斜晶系，空间群为P1，晶胞参数为a=7.5929(4)Å，b=8.0892(4)Å，c=10.0221(...