搜索结果: 1-15 共查到“物理学 碳化硅”相关记录32条 . 查询时间(0.162 秒)
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破（图）
碳化硅 晶体 光谱测量
<
2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 快速鉴别 辐射后 碳化硅 垂直双扩散 晶体管寄生电容 超出预值
<
2023/12/19
本发明涉及一种快速鉴别辐射后碳化硅垂直双扩散型晶体管寄生电容超出预值的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试版、电容‑电压单元模块、源测量单元模块和计算机组成，利用计算机中的扫描软件，设定的频率和电压扫描，得到碳化硅垂直双扩散型晶体管准确的结构电容数据，将结构电容数据经过优化拟合为结构电容曲线，将所得结构电容曲线自动去除尖峰，得到更为平滑的曲线，再对结构电容曲线通过固定的算法运...
中国科学院金属研究所专利：一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 梯度孔隙 碳化硅膜管
<
2023/9/8
本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种梯度孔隙纯质碳化硅膜管及其制备方法。梯度孔隙纯质碳化硅膜管的组成为纯质SiC,由支撑体层及表面膜层构成梯度过滤结构；其中,支撑体由粗颗粒碳化硅堆积结合而成,平均孔径5～120μm,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1～20μm,膜管整体气孔率在25～50％之间。制备方法依次包括配料、支撑体成型、膜层制备和烧成,成型采用等静压成型,成型压力...
中国科学院微电子研究所专利：一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 碳化硼 碳化硅 复合涂层
<
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种碳化硼-碳化硅复合涂层的制备方法
2023年1月19日，中科院合肥研究院固体所计算物理与量子材料研究部刘晓迪团队联合中国科学技术大学李传锋、许金时教授团队和四川大学王俊峰研究员，首次实现了高压环境下碳化硅双空位色心自旋量子态的相干调控和高压磁探测。相关结果发表在Nano Letters 上。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片（图）
III-V族量子点 量子光源 CMOS兼容碳化硅 集成光量子学芯片
<
2022/9/8
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中科院物理研究所研究人员合作，实现基于III-V族量子点确定性量子光源和CMOS兼容碳化硅的混合集成光量子学芯片。通过设计双层波导耦合器和1×2多模干涉仪（Multimode interferometer, MMI），研究团队实现了混合量子光子芯片中确定性单光子的高效路由，以及对确定性单光子二阶关联函数的片上实验测量。相关研究成果于近日以Hybrid i...
8英寸碳化硅单晶研究取得进展（图）
碳化硅 单晶 宽带隙化合物半导体
<
2023/1/6
碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体，具有高击穿场强(约为Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(约为Si的2倍)、高热导率(Si的3倍、GaAs的10倍)等优异性能。相比同类硅基器件，SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域具有重要的应用潜力。高质量、低成本、大尺寸SiC单晶衬底是制备SiC器件的基础，掌握...
碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究
碳化硅 热导率 分子动力学 点缺陷
<
2022/3/17
碳化硅（SiC）由于性能优异，已广泛应用于核技术领域。在辐照环境下，载能入射粒子可使材料中的原子偏离晶体格点位置，进而产生过饱和的空位、间隙原子、错位原子等点缺陷，这些缺陷将改变材料的热物性能，劣化材料的服役性能。因此，本文利用平衡分子动力学方法（Green-Kubo方法）采用Tersoff型势函数研究了点缺陷对立方碳化硅（β-SiC或3C-SiC）热传导性能的影响规律。研究过程中考虑的点缺陷包括...
碳化硅色心自旋操控研究取得重要进展
碳化硅色心 电子自旋 半导体
<
2021/7/28
中国科学技术大学郭光灿院士团队李传锋、许金时等人与匈牙利魏格纳物理研究中心Adam Gali教授合作，在国际上首次实现单个碳化硅双空位色心电子自旋在室温环境下的高对比度读出和相干操控。
中国科学技术大学实现室温下单个碳化硅自旋色心的高对比度读出与相干操控(图)
固态自旋色心 量子信息 碳化硅
<
2021/8/6
固态自旋色心是量子信息处理的重要研究平台，金刚石NV色心是其突出的代表。自从1997年德国研究团队报道了室温下单个金刚石NV色心的探测以来，金刚石NV色心在量子计算、量子网络和量子传感等方面都取得了重要进展。近年来，为了利用更加成熟的材料加工技术和器件集成工艺，人们开始关注其他半导体材料中的相似色心。其中碳化硅中的自旋色心，包括硅空位色心（缺失一个硅原子）和双空位色心（缺失一个硅原子和一个近邻碳原...
我校郭光灿院士团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时、王俊峰等人与其合作者在国际上首次实现了碳化硅中氮-空位（NV）色心的室温相干操纵，并且实现了单个NV色心的可控制备和光探测磁共振谱的探测。这种色心的发光波长在通讯波段，在量子通信和量子网络中具有重要用途。该成果于2020年6月1日发表于国际物理学知名期刊《物理评论快报》上，并被美国物理学家组织网Phys.org专题报道...
2018年10月30日，吉林省技术产权交易中心、长春光机所成果转化处组织专家，在长春光机所交流中心第一会议室召开“超大口径/超轻量化碳化硅反射镜坯研制技术”科技成果评价评审会。评审会由吉林省技术产权交易中心总经理王庆国主持，长春光机所副所长张学军致欢迎词，所长助理孙守红、成果转化处副处长吕宝林及长春光机所相关部门、评审专家组、项目研发团队等20余人出席了评审会。评审专家组由长春理工大学姜会林院士等...
2018年6月28日，由中国科学院科技促进发展局、中国科学院北京分院、中关村科技园区管理委员会主办的“中科院—中关村科技成果转化工作推进会”在中关村示范区展示中心召开，会议总结中科院与中关村共同促进科技成果转化工作情况，表彰奖励优秀成果转化项目科研团队和服务团队，路演推介了一批中科院前沿技术项目。中科院副院长、党组成员张亚平，北京市委常委、副市长阴和俊出席会议并讲话。中科院科发局、中科院北京分院、...
中国学科院宁波材料所在核用碳化硅连接中的尺度效应研究方面取得进展（图）
中国学科院 碳化硅 核能
<
2017/1/18
碳化硅及其复合材料（Silicon carbide and its composite material，SiC and SiC based composite）具有低中子吸收截面、良好的抗辐照性能、高温稳定性好以及优异的耐腐蚀抗氧化能力成为新一代事故容错型核燃料包壳材料的候选之一。在实际应用中，由于陶瓷材料的本征脆性和不可变形性，制造形状复杂的碳化硅构件非常困难，采用较小尺寸的零部件连接成大尺寸...
中国科学院物理研究所在石墨烯碳化硅颗粒核壳异质结研究中取得进展（图）
中国科学院物理研究所 石墨烯碳化硅颗粒核壳异质结研究
<
2015/12/21
随着社会进步和生活水平不断提高，环境污染和能源短缺成为可持续发展的巨大障碍。破解这些障碍的解决方法包括光催化降解有机污染物和光催化裂解水制氢（将太阳能转化为化学能）的绿色环保能源再生方法。因此，探索和开发能同时实现上述两种功能，性能优异、物理化学性质稳定、制备工艺简单、绿色环保、成本低廉的光催化材料是材料科学家不懈努力的方向。经过近五十年的发展，光催化材料的发展日新月异。但其基本架构是贵金属负载在...