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中国科学院物理研究所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底
中国科学院物理研究所 6英寸 硅单晶
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2014/12/8
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材料。为降低器件成本，下游产业对SiC单晶衬底提出了大尺寸的要求，目前国际市场上已有6英寸（150毫米）产...