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碳化硅晶体生长研究进展
碳化 硅晶体生长 晶体生长动力学
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2005/4/21
中国科学院力学研究所2005年4月21日报道 中科院力学所陈启生研究员领导的研究小组，发展了关于物理气相输运法（PVT）生长碳化硅的动力学理论模型，提出碳化硅的生长速率与生长界面碳化硅蒸汽的过饱和度成正比；碳化硅蒸汽的输运由扩散作用和固体物质膨胀性升华所产生的Stefan对流这两种机制共同支配；从源到籽晶的碳化硅压降克服了SiC组分对流扩散所产生的阻力及Knudsen层的阻力。