搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录4567条 . 查询时间(2.556 秒)
中国科学技术大学在功率电子器件领域取得重要进展(图)
功率 功率电子器件 中国科学技术大学
<
2024/6/19
中国科学院宁波材料技术与工程研究所量子点发光二极管的最新进展:材料、器件结构及显示应用(图)
量子 材料 器件结构 应用
<
2024/6/19
量子点是一种具有三维限域效应的半导体纳米材料。以之为基础研发的量子点发光二极管(QLED)具有色彩纯度高、色域广、启亮电压低、亮度高等优点,是有一种极具前途的新型显示技术。对其电致发光机理、器件设计原则、失效机制的全面理解,有助于推动QLED显示技术的快速发展。
中国科学院宁波材料所在氮化钛单晶的强关联电子研究方面取得进展(图)
氮化钛单晶 电子 半导体芯片
<
2024/6/19
由于具有高硬、难熔、耐磨、耐腐蚀、高导电性、良好半导体及生物兼容性等优异综合物理化学性质,以氮化钛(TiN)为代表的过渡金属氮化物在极端环境涂层、半导体芯片、生物医疗、纳米光子学、超导量子计算等领域的很多方面具有不可替代性。同时,过渡金属氮化物也展现出了许多新奇的量子现象,如超导-绝缘转变、超绝缘态以及超导赝能隙等。然而,与被广泛研究的过渡金属氧化物和过渡金属硫化物相比,由于缺乏高质量单晶材料,对...
中国科学技术大学在二维器件范德华接触研究中取得进展(图)
二维器件 范德华接触 中国科学技术大学
<
2024/6/19
中国科学院金属所在二维半导体的三维集成研究取得进展(图)
二维半导体 三维集成
<
2024/6/3
经过数十年发展,半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限,传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路,从而获得三维集成技术的突破,是国际半导体领域积极探寻的新路径之一,多家半导体公司争相发布相关研究计划。
中国科学院物理研究所二维铁磁体的三步超快退磁(图)
人工智能 电子器件 非线性
<
2024/6/4
当前人工智能等技术的迅猛发展对传统电子器件处理海量信息带来了空前的挑战。自旋电子学采用凝聚态体系中电子的自旋自由度作为信息载体进行操控, 有望成为改变未来电子学和信息技术发展方向的革命性技术之一。2024年来,多频段、高场强、高重频的超快激光技术的发展为实现飞秒尺度的自旋操控开拓了崭新方向。另一方面,二维磁性材料在平衡态和非平衡态下展示出一系列新奇的物性与物态,深入研究其中的超快磁性动力学过程对未...
中国科学院化学所在高效稳定的钙钛矿太阳能电池研究中取得进展(图)
钙钛矿 太阳能电池 器件 性能
<
2024/5/16
钙钛矿材料光电性能优异,具有吸收系数高、光电特性可调、双极性输送能力优异的特点,同时兼具材料用量少、组件价格低廉、投资成本低的优点,这使钙钛矿光伏在应用场景上更有潜力。钙钛矿太阳能电池(pero-SCs)作为一种前景广阔的光伏技术受到广泛研究,其中载流子的提取和转移对器件性能至关重要。
中国科大在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展(图)
铅钙钛矿 太阳能电池 半导体
<
2024/6/14
2024年5月11日,中国科学技术大学微电子学院特任研究员胡芹课题组在无铅钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展。针对非铅锡基钙钛矿半导体存在的自掺杂严重、缺陷密度高、非辐射复合损失大等问题,该课题组成功构建钙钛矿同质结以促进光生载流子的分离和提取,并结合第一性原理计算进一步分析缺陷形成机制。光伏器件效率和稳定性的同步提升证明同质结构筑策略在锡基钙钛矿太阳能电池领域的应用潜力,也为其他钙钛矿光电器件的结...
中国科学院物理研究所范德华铁磁材料Fe3GaTe2纳米片中室温下反对称磁阻的发现(图)
范德华 纳米 电子学 器件
<
2024/6/4
二维范德华铁磁材料的发现为研究二维极限下的基础磁学,操纵自旋相关现象以及实现低功率的二维自旋电子学器件提供了前所未有的机遇。最近几年,二维铁磁性材料得到了广泛关注,目前已有多种二维本征铁磁材料被发现和研究,但大多数铁磁材料的居里温度都低于室温,极大地限制了在低维自旋电子学器件中的应用。最近新发现的二维Fe3GaTe2材料具有高的居里温度(342K-365K)以及强的垂直磁各向异性,在室温二维自旋电...
中国科学院上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术(图)
光子芯片 集成电路 薄膜
<
2024/5/12
2024年5月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》(Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing)为题,发表在《自然》(Nature)上。
中国科学院物理研究所基于自旋轨道力矩磁隧道结的概率分布可调真随机数发生器(图)
计算系统 材料 器件 电路
<
2024/6/4
传统计算系统,从材料、器件到电路、架构再到容错系统和算法设计,都在竭力避免随机性。然而,随着后摩尔时代的来临以及学界对非冯诺依曼架构兴趣的提升,人们越来越倾向于在计算架构中拥抱随机性而非本能地排斥之,特别是在天然具有随机性特征的计算中,如蒙特卡罗抽样、贝叶斯神经网络、贝叶斯推理网络、模拟/量子退火算法加速器,乃至新兴的生成式人工智能等等。
研究实现相对论强激光驱动超热电子束飞秒动力学的实时测量(图)
激光驱动 电子束 飞秒动力学 测量
<
2024/5/13
在超短超强激光与物质相互作用中,会产生短脉宽、高能量的电子,通常被称为“超热电子”。超热电子的产生和输运是激光高能量密度物理的重要基本问题之一。超热电子可以激发很宽波段的超快电磁辐射,也可以驱动离子加速,快速加热物质,作为惯性约束核聚变“快点火”过程中的能量载体。各种次级辐射和粒子源的性质、等离子体加热和能量沉积过程与超热电子的时间、空间和能量特征及演化动力学息息相关。经过多年研究,人们对超热电子...
中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展(图)
纳米 测量 分子 半导体材料
<
2024/4/26
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命,在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力,其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础,而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
中国科大在高压下二维器件高分辨电流成像研究中取得进展(图)
二维器件 高分辨电流 成像
<
2024/6/14
中国科学技术大学张增明教授团队将NV色心与金刚石对顶砧装置(DAC)相结合,展示了二维石墨烯器件中电流密度的无损、高分辨率二维成像及其在高压下的演化,为研究高压下二维材料和电子器件中的电子输运和电导变化以及半导体电路的无损评估开辟了一条重要的新途径。相关成果以“High Spatial Resolution 2D Imaging of Current Density and Pressure fo...