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2015年中国原子层沉积技术交流与学术研讨会成功举办(图)
2015年 中国原子层沉积技术 交流与学术研讨会
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2015/9/6
2015年8月27-29日,“2015年中国原子层沉积技术交流与学术研讨会”在杭州成功举办。本次研讨会由中国科学院微电子研究所、复旦大学主办,浙江大学硅材料国家重点实验室承办,来自全国各地近百位知名教授、专家学者参加了研讨会。本次研讨会旨在为本领域专家学者提供了解国内外ALD工艺、前驱体源和设备技术等方面最新发展动态的交流平台,进一步推动我国ALD技术的快速发展。
原子层沉积设备技术荣获“第八届(2013年度)中国半导体创新产品和技术”称号
第八届 半导体 沉积设备
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2014/4/10
日前,“2014年中国半导体市场年会” 在无锡举行,微电子所微电子设备技术研究室自主研发的原子层沉积设备技术荣获“第八届(2013年度)中国半导体创新产品和技术”称号,微电子设备技术研究室主任夏洋出席并领奖。
微电子所“等离子体增强原子层沉积系统”在第二十届全国发明展上荣获金奖(图)
微电子所 第二十届 全国发明展上 金奖
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2011/10/28
在刚刚闭幕的第二十届全国发明展览会上,微电子所微电子设备技术研究室(八室)参展的“等离子体增强原子层沉积系统(ALD)”凭借多项原创发明喜获展览会金奖,成为本届展会中国科学院系统唯一获此殊荣的项目。
在刚刚闭幕的第二十届全国发明展览会上,微电子所微电子设备技术研究室(八室)参展的“等离子体增强原子层沉积系统(ALD)”凭借多项原创发明喜获展览会金奖,成为本届展会中科院系统唯一获此殊荣的项目。
中国科学院半导体研究所集成技术中心召开原子层沉积技术研讨会(图)
中国科学院半导体研究所 集成技术中心 原子层沉积 技术研讨会
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2011/9/26
2011年 9月1日上午8:30在集成技术中心杨富华主任在所学术会议中心围绕原子层沉积(Atomic Layer Deposition)技术做了精彩的报告。原子层沉积技术是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基底上化学吸附并反应而形成薄膜的一种方法,可用于制备高质量介质膜与光学膜。杨富华主任针对它在沉积膜层的均匀性、保形性以及膜厚控制能力等方面优势做了近一个小时详细的讲解。随后,材料中心张...