搜索结果: 1-6 共查到“电子科学与技术 写入”相关记录6条 . 查询时间(0.061 秒)
中国科学院微电子研究所专利：一种用于可配置位宽RAM的写入路径选择及控制电路
中国科学院微电子研究所 专利 可配置位 宽RAM 写入路径 控制电路
<
2023/7/5
中国科学院微电子研究所专利：一种用于可配置位宽RAM的写入路径选择及控制电路
中国科学院半导体研究所发现一种自旋存算器件全电写入新方式（图）
自旋存算器件 全电写入新 新方式
<
2023/3/6
自旋电子学存算器件是后摩尔时代信息科学的潜在解决方案之一。如何实现垂直磁各向异性比特的高能效全电驱动是目前高密度自旋存算技术亟待突破的重要课题。传统材料（如重金属和拓扑材料等）由于对称性保护只能产生面内横向极化自旋（σy），其角动量无法翻转垂直磁各向异性比特。因此，寻找垂直有效磁场和垂直极化自旋（σz）的有效产生方法成为近年来的科学前沿和研究热点。
中国科学院半导体所发现一种自旋存算器件全电写入新方式（图）
自旋存算器件 自旋电子学 微纳米器件
<
2023/7/7
自旋电子学存算器件是后摩尔时代信息科学的潜在解决方案之一。如何实现垂直磁各向异性比特的高能效全电驱动是目前高密度自旋存算技术亟待突破的重要课题。传统材料（如重金属和拓扑材料等）由于对称性保护只能产生面内横向极化自旋（σy），其角动量无法翻转垂直磁各向异性比特。因此，寻找垂直有效磁场和垂直极化自旋（σz）的有效产生方法成为近年来的科学前沿和研究热点。自旋电子学存算器件是后摩尔时代信息科学的潜在解决方...
中国科学院物理研究所等构筑出20纳秒写入/擦除时间超快非易失存储器（图）
中国科学院物理研究所 存储器
<
2021/5/6
中国科学院院士、中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员高鸿钧研究团队博士研究生吴良妹和副研究员鲍丽宏等，利用二维范德瓦尔斯异质结的原子级锐利界面及增强的界面耦合特性，无须修改商用的器件结构，首次构筑了超快、非易失浮栅存储器件，实现了其纳秒级（~20 ns）的读写时间（商用闪存器件为百微秒）、极高的擦除/写入比（~1010）和极长的存储时间（10年以上）。
2020年10月27日公布，中大物理系研究团队近日研发了一种全新的“万能墨水”，配合单步激光直接写入技术，可以大大简化高性能芯片的生产过程。生产高性能芯片的关键是掌握精准工艺，以制作微米及纳米等级的金属结构。由于技术要求十分高，导致制作成本高昂、过程繁琐和费时。中大物理系助理教授杨森率领的研究团队最近研发了一种全新的“万能墨水”，配合单步激光直接写入技术，只需一些简单仪器便可掌握精准工艺，制作高性...
制备紫外可见X射线写入红外读出的光学材料的方法
红外读出 射线 写入
<
2008/8/25
一种紫外可见X射线写入红外读出的多功能光学材料及其元件。由基质成分为碱土硫化物，掺杂主激活剂为金属铜离子，辅激活剂为钐、铈离子所合成的多功能光学材料，经过高温烧制获得一种多功能光学元件。