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苏州纳米所梁伟团队合作在1μm外腔超窄线宽半导体激光研究领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光 原子量子
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2024/4/10
1μm波长的窄线宽激光在原子量子、引力探测和光钟等领域都有重要应用。梁伟团队和南京大学、华东师范大学合作，取得1μm窄线宽外腔半导体激光研究进展。本研究中，通过使用中空的高品质因子FP光腔和自注入锁定技术，实现了紧凑的1μm超窄线宽半导体激光，其洛伦兹线宽约41Hz，和稳频光梳拍频线宽为510.3Hz,1s频率稳定性达到10^-11，同时可通过PZT实现快速的数百MHz的频率调制。
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光器
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2024/1/17
可宽带快速连续扫频的小尺寸窄线宽外腔半导体激光器是光纤传感、调频连续波激光雷达、量子技术等领域的核心器件。传统连续扫频光源如Littrow结构外腔半导体激光器，体积较大，可靠性差。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展（图）
氮化镓基 光电器件 数据处理
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2023/10/17
近年来，大数据、互联网和人工智能的快速发展，对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一，可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息，兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发，人工突触器件应运而生。人工突触器件因具有同时处理和记忆数据的能力而备受关注，有望成为下一代神经形态计算系统中的核心元器件。
中国发明协会2023年度“发明创业奖创新奖”获奖名单揭晓，苏州大学机电工程学院王明娣、赵栋、孙立宁、朱刚贤老师的成果“激光表面清洗机器人”荣获“中国发明协会发明创业奖创新奖”二等奖。
2023年7月11日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司（以下简称“长光华芯”）在2023慕尼黑上海光博会举办“氮化镓激光器产业化项目”签约发布仪式。
2023年7月10日，由苏州矩阵光电有限公司投资建设的基于化合物半导体的集成式磁传感芯片项目奠基开工。
氮化镓（GaN）器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域。相比于横向器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度、更好的动态特性、更佳的热管理及更高的晶圆利用率，近些年已取得了重要的进展。而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率器件更是吸引了国内外众多科研团队的...
高能量密度锂金属电池被视为下一代极具前景的储能器件之一，在电动汽车、航天航空等领域有着潜在应用价值。然而，目前商用碳酸酯电解液一般具有高熔点、低温下粘度较大和低温下Li+传输和电荷转移动力学缓慢等缺点，严重限制了锂金属电池在低温下的应用。同时，面对以高镍（LiNixCoyMnzO2 (x≥0.9)）为代表的高能量密度三元层状正极材料，商业电解液中的LiPF6易分解产生氢氟酸并发生界面腐蚀，造成Li...
未来的诸多高新技术应用和重大科研项目都迫切需要高性能、低成本、小型化的窄线宽激光，这些应用领域包括未来自动驾驶普及可能采用的调频连续波激光雷达，低轨道卫星网络使用的相干激光通讯，即将开展的太空引力探测，以及量子信息等。成熟的窄线宽固体和光纤激光在过去10年间线宽停留在kHz量级，体积大成本高，无法满足上述经济发展和科研项目对激光性能、成本和体积提出的更高要求。
苏州纳米所印刷电子团队在蛇形金属网格高拉伸透明电极研制方面取得重要进展（图）
蛇形金属网格 电极 导电材料 光电器件
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2023/7/18
透明电极是光电显示领域的重要基础材料，随着柔性电子技术的兴起，ITO这一经典透明导电材料因脆性易碎及阻抗较高已逐渐不能满足柔性器件，特别是大尺寸光电器件的需求。随之导电聚合物、碳纳米管、石墨烯、纳米银线等新型柔性电极及其光电器件得到了广泛的研究。但高透过、低方阻的电极从本征材料角度很难兼顾实现。为此，中科院苏州纳米所印刷电子团队在崔铮研究员率领下结合纳米压印工艺及印刷填充纳米导电银浆自主研发了图案...
苏州纳米所在彩色基底用于半导体SERS方面取得研究进展（图）
半导体材料 单分子检测 薄膜结构
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2023/7/18
表面增强拉曼散射（SERS）是一种强大的痕量分析技术，具有单分子检测的灵敏度，并提供分子指纹信息，在痕量分析、界面表征等领域具有巨大的应用价值，其中基底材料是SERS研究的核心。2023年来，半导体材料由于低成本、高选择性、结构可调、生物相容性好等特点，成为SERS基底研究的一个新兴方向。然而，相比于传统的贵金属SERS材料，半导体SERS在灵敏度上仍有数量级的差距，其中一个重要原因是半导体SER...
2023年1月11日速腾电子研发生产总部暨半导体封装测试设备智能制造基地项目开工仪式在苏州高新区举行，将成为集研发生产一体的总部和智能制造基地，为高新区光子产业创新集群建设增添“新引擎”！
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
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2023/7/18
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
赝电容对于超级电容器能量密度的提升具有很大的前景。获得高性能储能的关键在于构建具有很好相互连通的开孔结构赝电容电极。然而，如何实现赝电容电极结构的一致性规模化构筑以及高活性材料负载下的快速离子/电子传输，仍然具有较大的挑战。