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中国科学院金属研究所专利：一种热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片
中科院金属所 专利 偏压复合外场 仿真环境芯片
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2023/5/19
中国科学院金属研究所专利：一种热场、电场、偏压复合外场仿真环境芯片。
脉冲偏压对电弧离子镀CrNx薄膜组织结构与性能的影响
电弧离子镀 脉冲偏压 C r N x 薄膜 组织结构
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2013/9/30
利用电弧离子镀技术在 TC 4 基体上制备 C r Nx薄膜, 研究了脉冲偏压 对薄膜的 组织结构和 力学性能的 影响。结果表明, 在一定范围内提高脉冲偏压可以显著减少薄膜表面熔滴的数量及尺 寸, 改 善表面平整 度, 获 得高质量的薄膜; 同时随着脉冲偏压的升高, C r Nx 薄膜由 C r N 单相变为 C r , C r2N 和 C r N 三相组成, 硬度与结合强度的峰值可分别达到 2 ...
脉冲偏压电弧离子镀C--N--Cr薄膜的成分、结构与性能
C-N-Cr薄膜 脉冲偏压 电弧离子镀
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2009/7/2
用脉冲偏压电弧离子镀设备在保持偏压一致和工作气压恒定的条件下, 控制不同氮(N)流量,在硬质合金基体上制备了不同成分的C--N--Cr薄膜. 用SEM, XPS, GIXRD, 激光Raman谱和纳米压入等方法分别研究了薄膜的表面形貌、成分、结构与性能. 结果表明, 随着N流量增加, 薄膜中N含量先是线性增加然后趋于平缓, Cr含量先是基本保持不变然后线性减少. 在N流量不超过20 mL/min时...
采用一种新型线性离子束PVD技术制备出大面积类金刚石薄膜(DLC膜), 研究了衬底负偏压对薄膜微结构和物性的影响. 结果表明: 制备出的类金刚石薄膜在300 mm× 100 mm 范围内纵向厚度均方差约10--12 nm, 横向薄膜厚度均方差约2--4 nm. 随着衬底偏压的提高, 薄膜中sp3键的含量先增加后减小, 在衬底偏压为-100 V时sp$^{3}$键的含量最大; DLC膜的残余应力、硬...
脉冲偏压对矩形平面大弧源离子镀TiN膜层性能的影响
无机非金属材料 离子镀 矩形靶
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2009/2/10
采用矩形平面大弧源离子镀技术在201奥氏体不锈钢基体表面制备TiN硬质薄膜,
研究了脉冲偏压对TiN膜层的表面形貌、相结构、硬度和耐磨性能的影响. 结果表明,
随着脉冲偏压的增大, 薄膜中大颗粒的数目先增加后减少,
这是大颗粒受到离子拖曳力和电场力双重作用的结果. 存在一个最佳的脉冲偏压,
使得制备出的TiN膜层具有较高的I(111)/I(200)比例和较高的耐磨性.
脉冲偏压为-300...
脉冲偏压电弧离子镀室温沉积非晶TiO2薄膜
非晶二氧化钛薄膜 脉冲负偏压 电弧离子镀
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2008/12/9
采用脉冲偏压电弧离子镀技术在玻璃基片上制备均匀透明的非晶二氧化钛薄膜，在0～900V范围内改变脉冲偏压幅值，考察其对氧化钛薄膜光学性能的影响。结果表明，室温下沉积态薄膜为非晶态。脉冲偏压对薄膜光学性能有明显的影响。随着脉冲偏压的升高，薄膜沉积速率以100V为界先高后低；薄膜的吸收边先红移后蓝移，但光学带隙Eg基本无变化，约为3.27eV；300V偏压时薄膜达到原子级表面平滑度，RRMS为0.113...
偏压对电弧离子镀沉积类金刚石膜的影响
类金刚石膜 电弧离子镀 脉冲偏压
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2008/8/21
采用电弧离子镀方法, 在Si(100)基底上沉积了类金刚石(DLC)膜. 用激光Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对不同偏压下沉积的类金刚石膜的结构进行了分析.结果表明, Raman谱的D峰和G峰的强度之比ID/IG随着脉冲负偏压的增加先减小后增大, sp3键含量随着负偏压的增加先增加后减小. 偏压为-200 V 时, ID/IG值最小为0.70, sp3键含量最大为26.7%.纳米压痕仪测...
脉冲偏压电弧离子镀沉积温度的计算
电弧离子镀 脉冲偏压 沉积温度
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2008/8/18
针对脉冲偏压电弧离子镀技术，分析了影响基体沉积温度的各项因素及其影响程度。在直流偏压电弧离子镀沉积温度计算模型的基础上，在偏压输出波形为近方波的相对规范形状的条件下，将脉冲离子轰击输入能量功率等效成直流输入功率与占空比的乘积，再基于能量平衡原理建立脉冲偏压电弧离子镀基体沉积温度的理论计算模型，最后用实测的沉积温度对计算模型进行检验，在－1000——0 V的偏压范围内，理论与实验得到了好的吻合。
脉冲偏压对电弧离子镀Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响
脉冲偏压 电弧离子镀 Ti/TiN纳米多层薄膜
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2007/12/28
采用脉冲偏压电弧离子镀方法在高速钢基体上沉积Ti/TiN纳米多层薄膜，采用正交实验法设计脉冲偏压电参数，考察脉冲偏压对Ti/TiN纳米多层薄膜显微硬度的影响。结果表明, 在所有偏压参数(脉冲偏压幅值、占空比和频率)和几何参数(调制周期和周期比)中, 脉冲偏压幅值是影响显微硬度的最主要因素；当沉积工艺中脉冲偏压幅值为900 V、占空比为50%及频率为30 kHz时, 薄膜硬度可高达34.1 GPa,...
低偏压下化学气相沉积金刚石薄膜的生长形貌研究
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2007/12/25
在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了偏压电压、甲烷浓度及沉积气压对金刚石晶形显露的影响.实验结果表明,生长时施加低的衬底偏压对金刚石的晶形显露有较大的影响,正的偏压有利于(111)面显露,负偏压有利于(100)面显露.在低偏压条件下生长时,低的沉积气压和甲烷浓度有利于(111)面显露;而高的气压和甲烷浓度有利于(100)面显露.过高的甲烷浓度将恶化金刚石质量,出现菜花状组织,无明显的晶面显露.
正偏压对纳米金刚石薄膜结构和电阻率的影响
纳米
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2007/12/12
摘要 采用电子辅助热丝化学气相沉积工艺, 在1kPa反应气压和施加不同的偏流条件下, 沉积了纳米金刚石薄膜. 用X射线衍射, 场发射扫描电镜和半导体特性表征系统对该薄膜进行了表征和分析. 结果表明, 施加偏流可以使薄膜晶粒呈现明显的(110)晶面择优取向, 表面形貌发生较大变化. 当偏流为8A时, 薄膜晶粒达到最小值, 约为20nm, 薄膜表面也最光滑. 本文讨论了在低气压和电子轰击条件下(110...
脉冲偏压电弧离子低温沉积TiN 硬质薄膜的力学性能
电弧离子镀 低温沉积 脉冲偏压
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2007/11/8
文章摘要：
利用直流和脉冲偏压电弧离子镀技术沉积TiN 硬质薄膜,研究了不同偏压下基体的沉积温度、薄膜的表面形貌及力学性能。结果表明，与直流偏压相比，脉冲偏压可以明显降低基体的沉积温度，大大减少薄膜表面的大颗粒污染，改善表面形貌，而薄膜的综合力学性能仍保持良好，说明利用脉冲偏压技术是实现电弧离子镀低温沉积的有效途径。
用等离子体基脉冲偏压技术制备DLC膜
等离子体 等离子体基脉冲偏压技术 DLC膜
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2007/10/26
文章摘要：
用等离子体基脉冲偏压技术制备了DLC(类金刚石碳)膜,DLC膜硬度值达30GPa,电阻值达100MΩ以上. 降低脉冲负偏压峰值及适量引入氢气可促进SP3结构的形成,但氢气量超过一定阈值后SP2束片尺寸细化,SP2键含量有增加的趋势. 在GCr15轴承钢基体上经磁近代溅射沉积约300nm纯Ti层,再用脉冲偏压技术沉积DLC膜的改性层,在DLC膜与G...
衬底偏压对四面体非晶碳薄膜结构和性能的影响
无机非金属材料 四面体非晶碳
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2007/10/26
文章摘要：
采用过滤阴极真空电弧技术并施加从0到200 V的不同衬底负偏压，在P（100）单晶硅片上制备了的四面体非晶碳薄膜。利用可见光Raman光谱研究薄膜的结构，通过BWF函数描述的单斜劳伦兹曲线拟合数据并获得表征曲线非对称性的耦合系数，从而反映了薄膜中sp3杂化的含量。分别用原子力显微镜和纳米压入仪研究薄膜的表面形态和机械性能。试验表明：当衬底偏压为-...