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中国科学院金属研究所专利:一种Cr-O-N活性扩散阻挡层及制备方法
中国科学院金属研究所 专利 Cr-O-N 活性扩散 阻挡层
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2023/12/26
中国科学院金属研究所专利:一种Al-O-N扩散阻挡层及制备方法
中国科学院金属研究所 专利 Al-O-N 扩散阻挡层
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2023/12/26
电弧离子镀沉积Cr-O-N活性扩散阻挡层
Cr-O-N 活性扩散阻挡层 电弧离子镀
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2008/8/15
采用电弧离子镀技术在NiCoCrAlY涂层与高温合金基材DSM11间沉积不同成分的
Cr-O--N薄膜作为扩散阻挡层, 研究了900 ℃下氧化1400 h后
DSM11/Cr-O-N/NiCoCrAlY体系中Cr-O-N层阻挡合金元素互扩散的行为以及
阻挡层对涂层氧化动力学曲线的影响. 结果表明, Cr-O-N层在高温氧化过程
中生成与涂层和基材有良好结合的富Al氧化物层, 可以阻挡DSM...
扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响
扩散阻挡层 Cu-Zr合金膜 电阻率
纳米
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2007/11/9
文章摘要:
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1 h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN,ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别...