搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 SiC”相关记录38条 . 查询时间(0.137 秒)
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
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2024/3/5
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
中国科学院微电子研究所专利：一种SiC肖特基二极管及其制作方法
中国科学院微电子研究所 专利 SiC肖特基 二极管
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2023/7/5
中国科学院微电子研究所专利：一种SiC肖特基二极管及其制作方法
中国科学院微电子研究所专利：一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法
中国科学院微电子研究所 专利 SiC衬底 欧姆接触
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2023/7/5
中国科学院微电子研究所专利：一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法
随着可再生能源的快速发展，储能变流器在新能源电网中发挥着至关重要的作用。本文针对基于SiC MOSFET的储能变流器功率单元，其中包含10 kV高压交流模块和750 V低压直流模块，重点研究了功率单元的低感设计和散热设计方法，并提出了功率单元的整体设计方案。通过优化叠层母排的结构，将高压交流模块与低压直流模块的杂散电感分别降低至794μH和235μH，有效减小功率单元的关断过电压。通过热仿真研究，...
2020世界新能源汽车大会于9月27-30日在海南省海口市举办，本届大会由中国科协、海南省人民政府、科学技术部、工业和信息化部、国家市场监督管理总局联合主办，由中国汽车工程学会、中国电动汽车百人会、海南省工业和信息化厅、海南省科学技术协会和海口市人民政府承办。大会以“共克时艰、跨界协同、合作共赢”为主题，围绕新能源汽车可持续健康发展，电动化、智能化、共享化融合发展与跨界协同，科技变革与新能源汽车技...
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。碳化硅电力电子器件，特别是SiC MOSFET器件是下一代高效电力电...
Study on determination of parasitic resistances in SiC MESFET’s
Extract the source drainage door parasitic resistance parasitic resistance resistance measurement
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2014/12/31
This paper presents a simple analytical method for extracting the source, drain and gate parasitic resistances. The proposed method is based on the three simple DC measurements. The parasitic resistan...
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。
1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究
碳化硅 功率MOSFET 非钳位重复应力 退化
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2017/1/4
本文首次研究了1.2kV碳化硅(Silicon Carbide,SiC)MOSFET在非钳位重复应力(Unclamped Repetitive Stress,URS)应力下的退化现象,并通过软件仿真和电荷泵测试技术对该现象进行了深入的分析.研究结果表明:URS应力会使得器件积累区由于碰撞电离产生大量的电子空穴对,其中的热空穴将在电场的作用下注入到氧化层中,使氧化层中出现许多空间正电荷,这些空间正电...
大尺寸SIC空间反射镜离子束加工热效应分析与抑制
空间反射镜 离子束加工 热效应 抑制
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2016/8/24
离子束加工中从离子源射出的高速离子撞击光学反射镜表面，离子的动能转化成热能以及中和灯丝的热辐射作用，使反射镜温度急剧升高。反射镜温升过快，会导致柔性连接结构胶结部位发生不可逆的非线性变化，并且热膨胀使实际加工位置和理想加工位置发生偏移，增加了加工误差，因此需要对加工过程中产生的热效应进行抑制。提出了通过规划加工路径和增强散热的方法，增强加工过程的散热，控制反射镜的温度。针对600 mm×260 m...
多天线系统中基于QR分解的混合SIC/PIC检测
垂直分层空时码 QR分解 连续干扰消除 并行干扰消除
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2013/5/7
提出了一种有效并且数值稳定的、基于QR分解的垂直分层空时码(vertical layered space-time code, V-BLAST)检测算法。在信道矩阵QR分解得到的上三角矩阵中，先检测的信号具有更高的分集度，然而传统的基于QR分解的算法由于没有利用这种潜在的分集，通常性能要低于其他连续干扰消除（successive interference cancellation, SIC）算法...
SiC CMOS OPAMP 高温模型和Hspice 仿真
SiC CMOS OPAMP 高温模型 Hspice 仿真
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2010/8/26
为研制具有高温稳定性的SiC CMOS(complementary metal鄄oxide鄄semiconductor) OPAMP(operational amplifier),对PMOST(P鄄type metal鄄oxide鄄semiconductor transistor)输入标准6H鄄SiC CMOS 两级运算放大器的高温 等效电路模型进行了推导,并对电路进行了Hspice 仿真. 仿真...