搜索结果: 1-15 共查到“知识库 材料科学 等离子体”相关记录54条 . 查询时间(0.393 秒)
正向电压对赤泥等离子体电解氧化层结构和耐蚀性的影响
赤泥 等离子体电解氧化技术 5005铝合金 正向电压 耐腐蚀性能
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2019/11/5
以赤泥(RM)为电解液添加剂,采用等离子体电解氧化(PEO)技术在5005铝合金表面制备一层复合陶瓷层,研究了不同正向电压对陶瓷层厚度、组织结构和耐腐蚀性能的影响。结果表明:随正向电压的升高,陶瓷层生长加快,厚度增大,氧化时间为20 min时,陶瓷层的最大厚度可达35.33 μm;陶瓷层的表面粗糙度不断增大,最小为0.68 μm,最大可达4.21 μm;陶瓷层的表面孔隙率先减小后增大,最小为24....
氧等离子体处理对国产芳III纤维表面性能的影响
有机高分子材料 等离子体 表面 浸润性能
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2018/5/21
用氧气等离子体处理芳III纤维的表面,考察了等离子体处理前后芳III纤维表面性能的变化。使用红外光谱分析(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和动态接触角等手段研究了等离子体处理前后芳III纤维化学结构、表面元素组成、表面形貌、表面粗糙度和表面浸润性能的变化。结果表明,在保持纤维本体结构不变的前提下用氧等离子体处理在纤维的表面引入了含量分别为2...
电感耦合等离子体发射光谱法测定硼硅酸盐玻璃中的硼等常见元素
KOH熔融 电感耦合等离子体发射光谱法
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2015/3/12
硼硅酸盐玻璃中的硼、钙、镁、铝、铁、钛、硅等常见元素普遍采用各元素分别测定的方式进行分析,分析效率很低;而且硼的测定普遍采用容量法,当B2O3含量低于1%时,容量法测定误差较大.本文以KOH熔融的方式消解样品,采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-AES)进行分析.通过实验研究了KOH用量和不同称样量对B2O3测定结果的影响.结果表明,KOH用量在3 g以上时有较好的熔样效率和熔样效果,称样量低...
泵阀用2Cr13马氏体不锈钢等离子体基低能氮离子注入研究
等离子体基低能氮离子注入 2Cr13马氏体不锈钢 耐磨性 抗蚀性
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2012/2/27
采用等离子体基低能氮离子注入技术, 在450 ℃, 4 h改性处理核电站泵阀零部件用2Cr13马氏体不锈钢, 获得了深度为10-12 μm的改性层,超高氮过饱和浓度为35%-40%(原子分数), 由hcp结构的ε-Fe2-3N相组成.改性层的硬度最大值为15.7 GPa, 球--盘式摩擦学实验测定的改性层摩擦系数由原始不锈钢的1.0减至0.85, 耐磨性显著提高. 在3.5%NaCl溶液中,改性层...
低温等离子体对低密度聚乙烯(LDPE)薄膜表面改性的研究
有机高分子材料 等离子体处理 低密度聚乙烯 表面改性
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2012/3/15
利用低温等离子体, 以氧气为工作气体, 在工作压力为20 Pa、处理功率为30 W的条件下对LDPE薄膜进行了表面改性。用接触角、FTIR--ATR、DSC、SEM、AFM等手段对改性表面进行了分析。结果表明: 在10 s~300 s的处理时间内, 单位面积的失重率随处理时间的增加线性增大; 接触角在0~20 s内随处理时间的增加显著减小, 而在40 s~300 s的处理时间内并没有发生显著变化;...
用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜
材料合成与加工工艺 微晶硅薄膜 Ar稀释SiH4 ECR--PECVD 微波功率
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2012/3/16
以Ar+SiH4作为反应气体, 用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR--PECVD)方法制备微晶硅薄膜, 研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响。结果表明, 在300℃制备低温微晶硅薄膜, 随着微波功率的增大, 薄膜的沉积速率先增大后减小, 微波功率为600 W时达到最大; 而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势; 使用不同的微波功率, 薄膜...
在研究等离子聚合法所合成的聚对二甲苯(ppPX)薄膜的化学结构和性能的基础上, 考察了ppPX作为铜在Si--SiLK基体上阻隔层的应用可能性。在特定辉光射频条件下, ppPX膜表面的苯环能够保留。加热退火后, 铜向裸Si--SiLK和向经ppPX接枝修饰的Si--SiLK基体的扩散程度存在差异。经由Ar和N2载气所承载的对二甲苯单体所聚合得到的ppPX, 具有不同的结构和性能, 后者能改善铜和聚...
微波等离子体法合成重油残渣基定向纳米碳薄膜
重油残渣 微波等离子体法 定向纳米碳薄膜
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2009/11/25
以重油残渣为原料，采用微波等离子法制备了一种结构新颖的定向纳米碳薄膜材料。经场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜分析，结果表明：产物纯度较高，外观呈条状麦穗形，各条状物平行排列形成定向阵列，最大宽度约为65nm，长度可达900nm左右；麦穗的主干表层和穗片晶化程度较好，层与层之间清晰可见，中心部位为非晶态，可能是产物经历了由外向内的生长过程，重油残渣中的重金属Ni、Fe等对其生长起了一定的催...
直流电弧等离子体法合成金属和陶瓷纳米颗粒
直流电弧等离子体 金属 陶瓷
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2009/11/6
介绍了直流电弧等离子体法制备纳米颗粒的原理和条件以及由此法制备的纳米颗粒的种类、结构和性能. 用直流电弧等离子体法能够合成金属、氧化物、氮化物、碳化物及氢化物等多类纳米颗粒. 合成的颗粒大小因合成条件和成份而变化，一般在10~200 nm. 这种方法的合成速度比传统的真空蒸发法快10倍以上，适合工业化生产.
射频感应等离子体制备球形钨粉的工艺研究
射频感应等离子体 球化 钨粉
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2009/8/21
采用射频感应等离子体球化颗粒形状不规则的钨粉（平均粒度尺寸5～12 μm），研究了加料速率、物料分散方式、钨粉颗粒大小等因素对球化率的影响。当加料速率大于95 g/min时,粉体的球化率随着加料速率的增大急剧减小，加料速率增大到135.75 g/min时，样品钨粉球化率仅为30%。当携带气量为0.12 m3/h 时，分散效果较佳，其球形度相应也较好，球化率几乎达到100%；随着钨粉球化率提高，其松...
采用NH3等离子体对Kevlar-49 S500织物进行了表面改性,处理工艺条件为74.9Pa/113W/14.3分钟.研究结果表明改性后的Kevlar-49 S500织物增强的3234环氧树脂复合材料层间剪切强度提高了26.6%,T型剥离强度提高了22.9%;改性后的纤维表面粗糙度明显增大,与水的接触角降低;T-剥离试样断口的微观分析发现Kevlar纤维/3234环氧界面的破坏方式为纤维本体破坏...
采用直流电弧等离子体技术制备NiO包覆Ni纳米颗粒，对初产物经过钝化处理得到有氧化膜保护的NiO包覆Ni纳米颗粒。采用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、热重和差示扫描量热分析仪(TGA/DSC)以及傅里叶变换红外光谱 (FTIR)等手段对试样的成分、表面组成、形貌、晶体结构、粒度、红外吸收性能和氧化特性进行了分析。结果表明...
不锈钢表面阴极等离子体液相沉积氧化铝层
不锈钢 表面阴极等离子体液相沉积 氧化铝层
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2009/3/6
使用阴极等离子体液相沉积技术在不锈钢表面生成了厚度达40μm的氧化铝膜层,研究了电流密度对膜层的组成和结构影响,以及膜层的生长规律和形成过程.膜层由α-Al2O3和γ-Al2O3组成,随着电流密度的增大,α-Al2O3的含量逐渐增大,电流密度为8 A/dm2时达到86%.膜层的表面粗糙、多孔,随着电流密度的增大,表面颗粒状明显增多,微孔数减少;基体中的Fe没有进入膜层,从膜层内向外Al和O的含量逐...
放电等离子体烧结（SPS）技术及其在材料制备中的应用
放电等离子烧结 特点 应用
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2009/2/11
放电等离子烧结是一种新型的材料制备技术，详细地介绍了放电等离子烧结技术(SPS)原理、特点及在材料制备中的应，并对SPS技术发展的前景进行了展望。
脉冲电压幅值对等离子体化学气相沉积TiN薄膜膜基结合行为的影响
PCVD 膜基结合力 压入法 氮化钛
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2008/11/11
用工业型脉冲等离子体化学（ＰＣＶＤ）设备. 在高速钢（Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ）和钴基硬质合金ＳＣ３０基材表面沉积了ＴｉＮ薄膜, 用扫描电镜（ＳＥＭ）和连续加载压入仪研究了脉冲电压幅值对膜基结合行为的影响, 结果表明：随脉冲电压在５５０－７５０Ｖ之间逐渐增大, ＴｉＮ晶粒增大, 膜层脆性增加, 沉积速率提高. 但膜层结合力下降：在６５０Ｖ以下膜基界面有一伪扩散层出现, 通过６５０Ｖ后伪散层消失, 这是改善膜...