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搜索结果: 91-105 共查到知识要闻 电子科学与技术 半导体研究所相关记录108条 . 查询时间(0.309 秒)
近日,中国科学院半导体研究所国家“千人计划”入选者储涛研究员赴中央党校,参加了由中组部举办的“国家特聘专家”专题培训班。中共中央政治局委员、中央书记处书记、中组部部长李源潮亲自为储涛等专家颁发国家特聘专家证书,并勉励国家特聘专家珍惜荣誉、艰苦创业、勇攀高峰,以科技创新创业的优异成绩,回报祖国和人民的期望与信任。
最近《纳米快报》杂志报道了半导体所所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(Ga,Mn)As居里温度提高到200K的研究成果,此项工作是与杨富华研究组和美国佛罗里达州立大学Stephan von Molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。
2011年6月28日,中国科学院半导体研究所照明检测中心经过一年多全体员工的共同努力,以及内审和管理评审等一系列准备工作。终于迎来了CNAS 17025质量管理体系现场评审。中国科学院半导体所照明检测中心是在原有照明研发中心的基础上,按照CNAS认可准则于2010年开始筹建的,旨在推动我国半导体照明节能产业健康有序发展,为半导体照明产业化的可持续发展提供测试与评价技术支撑和服务。
近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器,实现了高工作温度(T=80℃)连续激射,激射波长2μm出光功率63.7mW,达到国内领先水平。
近年来,拓扑绝缘体材料以其独特的物性吸引了科学界广泛的研究关注。这类材料内部是绝缘体,而在边界或/和表面则显示出金属的特性。这种独特的性质无法按照传统的材料分类方法来区分。其能带结构由Z2拓扑不变量来刻画。目前人们注意力集中在拓扑绝缘体块材的制备和输运性质研究方面。相对而言,拓扑绝缘体纳米结构的研究则刚刚开始,这对构造新型的电子学器件是十分重要的。由于纳米制备技术复杂,因此目前实验上难于制备高质量...
普通的半导体材料二维电子气的霍尔沟道在外磁场下会展现整数量子霍尔效应。其物理起源是洛伦兹力导致沟道边缘附近出现具有金属特性的边缘态。反转能带的半导体材料HgTe二维电子气霍尔沟道甚至无外磁场时其边缘也会呈现出金属态特性,即量子自旋霍尔效应。这项工作被评为2007年度十大科学进展之一,获得了2010年度欧洲物理学奖。
在中国科学院知识创新工程项目支持下,中国科学院半导体研究所光电系统实验室研制的光纤地震检波器阵列在国内率先完成井下试验并取得圆满成功。
在中国科学院“百人计划”项目的支持下,半导体研究所光电系统实验室在国际上率先实现光学导向逻辑器件的原理验证。
中国科学院半导体研究所2007年立项的院重大科研装备研制项目“40Gbit/s光电子和微电子器件大信号测试系统研制”和“大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统”于2009年12月15日顺利通过由院计财局组织的项目验收。验收组先后听取了课题组所做的设备研制报告和使用报告,并审查了测试报告和经费使用情况,对所做设备给予了高度的评价。
2010年3月15日下午,荷兰经济事务部Point One规划代表团来访我所。与所长李晋闽、副所长陈弘达、所长助理、中科院半导体照明研发中心副主任王国宏等进行了座谈和交流。国家半导体照明工程重大项目管理办公室副主任阮军及中国半导体行业协会相关负责同志陪同考察。
硅基集成电路已经发展到近乎完美的程度,现在每年全世界的晶体管数量已经高达1018只,比全世界的蚂蚁的总数还多几十倍。电子器件间的互连中,99% 是由金属引线完成的。这种电互连即限制了计算机系统和通信系统的传输速率,也非常耗电。目前美国发电总量的3%用于电互连,是耗电量大户。因此,电互连成为制约高速传输、多核处理、功耗降低等的瓶颈。光互连是是解决互连问题的理想方案,不但能够提高计算机和通信的速率,还...
硅基集成电路已经发展到近乎完美的程度,现在每年全世界的晶体管数量已经高达1018只,比全世界的蚂蚁的总数还多几十倍。电子器件间的互连中,99% 是由金属引线完成的。这种电互连即限制了计算机系统和通信系统的传输速率,也非常耗电。目前美国发电总量的3%用于电互连,是耗电量大户。因此,电互连成为制约高速传输、多核处理、功耗降低等的瓶颈。光互连是是解决互连问题的理想方案,不但能够提高计算机和通信的速率,还...
我所07年立项的院重大科研装备研制项目“40Gbit/s光电子和微电子器件大信号测试系统研制”和“大面积/多片高温碳化硅化学气相沉积系统”于2009年12月15日顺利通过由院计财局组织的项目验收。
9月29日上午,陈弘达副所长及我所50名科研骨干、在职职工、研究生参观了在北京展览馆举办的“辉煌六十年成就展”。
为进一步加强院地合作,拓展与地方政府合作渠道,9月15日上午,唐山市高新技术产业园区管委会陈德山副主任一行4人来我所洽谈合作,召开了半导体所—唐山市高新区科技合作座谈会,就相关科研项目合作事宜与党委书记、副所长陈树堂、科技开发处处长王晓亮及其他相关负责同志、部分科研骨干进行了座谈交流。座谈会由陈书记主持。

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