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氮化镓（GaN）材料被称为第三代半导体材料，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。其中GaN基紫外半导体激光器具备波长短、光子能量大的特点，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化和短距离光通信等领域具有重要应用，一直是国际相关领域的研究热点和技术难点。但由于该激光器是基于大失配异质外延材料技术制备而成，导致其缺陷多、发光效率低，器件研制难度大。
中国科学院半导体研究所储涛博士来西安电子科技大学开展学术交流（图）
中国科学院半导体研究所 博士 西安电子科技大学 学术交流
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2016/9/2
2016年8月28日，应西安电子科技大学通信工程学院ISN国家重点实验室顾华玺教授的邀请，中国科学院半导体研究所储涛博士到西安电子科技大学ISN重点实验室交流访问，并于2016年8月28日上午在西安电子科技大学新科技楼609会议室做了题为“无所不在的硅基光电子集成芯片”的专题报告。