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中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展（图）
芯片 晶体 器件
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2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器件的写操作功耗，需要降低HZO铁电器件的操作电压。
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备铪铝碳陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 铪铝碳 陶瓷材料
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2023/11/27
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备陶瓷铪 铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C5、Hf2Al4C6及多相复合)材料的方法,解决现有技术制 备的铪铝碳陶瓷材料不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和C粉 为原料,原料经过球磨5-50小时,以10-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨 模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空...
中国科学院金属研究所专利：钛铪硅铝碳、钛铪铝碳和钛锆铝碳固溶体材料及制备方法
中国科学院金属研究所 专利 钛铪硅铝碳 钛铪硅铝碳 固溶体材料
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2023/11/13
本发明涉及陶瓷固溶体材料及制备方法,具体为钛铪硅铝碳、钛铪铝碳和钛锆铝碳固溶体材料及其制备方法。采用元素粉原位合成钛铪硅铝碳(Ti1-xHfx)3(Si1-yAly)C2、钛铪铝碳(Ti1-xHfx)3AlC2、钛锆铝碳固溶体(Ti1-xZrx)3AlC2,其中x的取值范围为0＜x≤0.07,y的取值范围为0＜y≤0.10。首先,以钛粉、铪粉、锆粉、硅粉、铝粉和石墨粉为原料,经物理机械方法混合,装...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备铪铝氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 铪铝氮 陶瓷材料
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2023/11/13
本发明涉及高温结构陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备铪铝氮(Hf3AlN)陶瓷材料的方法,解决现有的铪铝氮陶瓷材料制备困难、不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和AlN粉或Hf粉、Al粉和HfN粉为原料,原料经过球磨5-50小时,以5-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空下)的热压炉中以2-50℃/min的升温速率加热至1200...
中国科学院金属研究所专利：一种含铪高钨镍基等轴晶合金及其应用
中国科学院金属研究所 专利 含铪 高钨镍基 等轴晶合金
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2023/9/26
本发明涉及镍基等轴晶合金,具体为一种含铪高钨镍基等轴晶合金及其应用,其成分为(重量百分比)：C?0.08～0.14,Cr?4.6～5.2,Al?5.6～6.2,Ti?0.7～1.2,Co?6.0～8.0,Hf?0.7～1.2,W?15.3～16.5,Nb?1.6～2.1,B?0.005～0.025,Zr?0.005～0.03,Ni余。本发明合金具有较佳的持久性能,在975℃和235.2MPa条件下...
中国科学院金属研究所专利：一种铪铝碳-石墨复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 铪铝碳-石墨 复合材料
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2023/9/6
本发明涉及耐高温陶瓷及其制备技术,提供了一种铪铝碳-石墨复合材料以及原位反应热压制备铪铝碳-石墨复合材料的方法,可以解决铪铝碳陶瓷韧性偏低,可加工性差的问题。具体的工艺流程为：采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和C粉为原料,原料经过物理机械方法混合5～50小时,以5～20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体作为保护气(或真空下)的热压炉中加热至1600℃～2400℃原位热压反应0...
中国科学院金属研究所专利：一种铪铝硅碳-碳化硅复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 铪铝硅碳-碳化硅 复合材料
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2023/9/6
本发明涉及耐高温陶瓷及其制备技术,提供了一种铪铝硅碳-碳化硅复合材料以及原位反应热压制备铪铝硅碳-碳化硅复合材料的方法,可以解决铪铝硅碳陶瓷强度和韧性偏低的问题。具体的工艺流程为：采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉、Si粉和C粉为原料,原料经过物理机械方法混合5～50小时,以5～20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体作为保护气(或真空下)的热压炉中加热至1600℃～2400℃原...
氧化铪基铁电存储材料研究取得进展（图）
氧化铪基 铁电 存储材料
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2023/8/22
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先...
中国科学院氧化铪基铁电存储材料研究取得进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 电子器件
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2023/9/1
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先进技...
中国科学院微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 晶体结构 微电子器件
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2023/8/21
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压...
近日，西湖大学理学院物理系特聘研究员刘仕与博士研究生马丽洋在《Physical Review Letters》上发表了题为“Structural Polymorphism Kinetics Promoted by Charged Oxygen Vacancies in HfO2”的研究论文，。该论文揭示了铪基薄膜中最重要的缺陷之一，——氧空位，对氧化铪铁电性起源以及一些器件可靠性问题的影响机制，解...
铪基富氢材料研制和83K高压超导的发现（图）
铪基 富氢材料 83K高压超导
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2023/1/5
高压极端条件可以创造常压难以形成的新结构，赋予材料新的功能特性，为实现和拓展满足特殊需求的材料构效提供独特机遇。
近年来，非铅空位有序钙钛矿Cs2M4+X6（X=Cl-、Br-或I-）纳米晶因其毒性低、稳定性高和光学特性独特而备受关注。目前，Cs2M4+X6纳米晶成功合成的例子很少，关于这类纳米晶的多颜色发射研究也非常有限。另一方面，在当前广泛报道的热注射方法合成钙钛矿纳米晶策略中，金属卤化物或金属乙酸盐被经常用作金属前驱物。然而，对于许多新钙钛矿纳米晶体系，这两类金属盐在有机溶剂中不能离子化是合成失败的重要...
本文采用化学分析、X射线衍射（XRD）与扫描电子显微镜（SEM）等手段和方法，对铝热自蔓延还原氧化铪方法进行实验研究。结果表明，在物料单位发热量大于3 000 kJ/kg的条件下，可实现氧化铪的直接还原，原料加入CaO后，产物的渣金分离效果明显。XRD分析结果表明，还原产物为Al3Hf金属间化合物；SEM和能谱仪（EDS）分析结果表明，金属产物呈现片状，不规则线性排列，由Al3Hf相区和Al相区组...
电感耦合等离子体原子发射光谱法测定镍基单晶高温合金中钨钽铪铼
电感耦合等离子体原子发射光谱法 镍基单晶高温合金 光谱干扰 钨 钽 铪 铼
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2020/5/6
镍基单晶高温合金中高含量的钨、钽、铪、铼等难熔元素,不仅对样品前处理造成阻碍,而且其元素间的光谱干扰会对测定结果造成严重影响。实验采用18mL盐酸-2mL硝酸-2mL氢氟酸溶解样品,再加入酒石酸可使样品溶液长期稳定存在。通过研究单晶高温合金中钨、钽、铪、铼的谱线干扰情况,选择W 207.911nm、Ta 240.063nm、Hf 282.022nm、Re 197.312nm作为分析谱线,采用基体匹...