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中国科学院微电子所在铪基铁电存储器芯片研究领域取得重要进展（图）
芯片 晶体 器件
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2024/2/29
基于Zr掺杂HfO2（HZO）材料的铁电存储器有望通过后道工艺进行大规模阵列集成，但仍存在两个关键的优化问题：一方面，HZO的最佳退火温度仍高于后道工艺的热预算限制（为保证前道工艺制备的晶体管及互联金属的可靠性，通常后道工艺的热预算通常被限制在400℃以下）；另一方面，对于器件在先进工艺节点中的应用，以及降低器件的写操作功耗，需要降低HZO铁电器件的操作电压。
氧化铪基铁电存储材料研究取得进展（图）
氧化铪基 铁电 存储材料
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2023/8/22
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先...
中国科学院氧化铪基铁电存储材料研究取得进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 电子器件
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2023/9/1
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先进技...
中国科学院微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 晶体结构 微电子器件
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2023/8/21
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压...
铪基富氢材料研制和83K高压超导的发现（图）
铪基 富氢材料 83K高压超导
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2023/1/5
高压极端条件可以创造常压难以形成的新结构，赋予材料新的功能特性，为实现和拓展满足特殊需求的材料构效提供独特机遇。
近年来，非铅空位有序钙钛矿Cs2M4+X6（X=Cl-、Br-或I-）纳米晶因其毒性低、稳定性高和光学特性独特而备受关注。目前，Cs2M4+X6纳米晶成功合成的例子很少，关于这类纳米晶的多颜色发射研究也非常有限。另一方面，在当前广泛报道的热注射方法合成钙钛矿纳米晶策略中，金属卤化物或金属乙酸盐被经常用作金属前驱物。然而，对于许多新钙钛矿纳米晶体系，这两类金属盐在有机溶剂中不能离子化是合成失败的重要...