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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种多波长的紫外发光二极管阵列的刑侦光源
中国科学院大连化学物理研究所 专利 多波长 紫外发光二极管 刑侦光源
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2024/1/24
本实用新型涉及一种多波长的紫外发光二极管阵列的刑侦光源，由多波长的紫外发光二极管阵列构成的刑侦光源，其中相同波长的紫外发光二极管阵列由一个电路控制，不同波长的紫外发光二极管阵列由各自不同的电路控制。本实用新型设计的装置体积小、结构紧凑、便携，适合于刑侦现场荧光物质的搜索和辅助取证。
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种三维纸质微流控芯片及其制作方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 三维纸质 微流控芯片
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2024/1/24
本发明提供了一种三维纸质微流控芯片及其制作方法，该三维纸质微流控芯片由二维纸质微流控芯片叠合装订而成；其制作方法是用绘图软件设计所需要的芯片图案，然后用打印机将蜡打印到纸材料表面，将打印好的纸材料放入高温容器中烘烤，然后取出冷却，得到二维纸质微流控芯片，然后将二维纸质微流控芯片按照设计好的方式叠合，再用装订设备将叠合好的二维纸质微流控芯片装订在一起，即得到三维纸质微流控芯片。本发明制作方法操作简单...
中国科学院宁波材料所等在sp2碳共轭有机框架材料构筑方面获进展（图）
有机框架材料 半导体材料
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2024/1/26
二维共价有机框架（2D COFs）聚合物作为新一代有机半导体材料，具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点，在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物（sp2c-COFs）凭借拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性，成为COFs领域研究前沿方向。然而，有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性，导致sp2c-COFs合成困难并限...
中国科学院上海光机所正负高色散镜对研究取得进展（图）
高色散镜 元件 激光
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2024/1/19
2024年1月17日，中国科学院上海光学精密机械研究所研究人员在正负1000fs2高色散镜对研究方面取得进展。相关研究成果以Design, production, and characterization of a pair of positive and negative high dispersive mirrors for chirped pulse amplification system...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种含铅四元系负温度系数热敏电阻器
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 铅 四元系 负温度系数 热敏电阻器
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2024/1/16
本发明涉及一种含铅四元系负温度系数热敏氧化物粉体合成及电阻器的制备方法，该方法以锰、钴、镍、铅的氧化物为原料，采用氧化物固相法制备粉体材料，粉体经干燥、煅烧、预压成型、烧结、涂烧电极、采用环氧树脂封装后制成负温度系数热敏电阻器，该电阻器具有高B低阻、烧结温度低、稳定性好、精度高的特点，其材料常数为B25/50=3485-4106K，B值允许偏差：±1%，R25℃=70-630Ω，阻值允许偏差：±3...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种高温厚膜热敏电阻的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 厚膜 热敏电阻
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2024/1/15
本发明涉及一种高温厚膜热敏电阻的制备方法，该方法是将硝酸镧、乙酸锰和硝酸铝分别溶解在冰醋酸中，得到纯清溶液，将溶液蒸发得到凝胶，再将凝胶加热、高温晶化，得到热敏粉体，再将热敏粉体和乙基纤维素按照一定的质量比混合、研磨，再将研磨好的粉体和松油醇混合、搅拌得到均匀的厚膜浆料，最后将浆料印刷在Al2O3衬底上、热处理，得到厚膜热敏电阻。制得热敏电阻样品膜厚为25μm，满足电子设备结构的微型化要求，而在8...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种中继式不间断电源
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 中继式 不间断电源
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2024/1/15
本实用新型涉及一种中继式不间断电源，该电源是由外置电源、开关、电量显示报警器、电磁继电器、变压模块、充电模块、开关、内置电源、保险管和用电器组成，该电源的外置电源电量充足时保证用电设备正常工作；当外置电源电量不足，电量指示报警器开始报警，此时拆卸外置电源，电磁继电器切换到内置电源供电；更换电量充足的外置电源后，电磁继电器自动切换到外置电源供电，同时外置电源对内置电源进行充电；整个过程用电设备可不间...
本发明涉及一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管抗单粒子效应加固方法，该方法构建三维损伤模型，校准模型的关键电学参数，通过设计的抗辐射加固方法，延伸器件集电极-衬底结，引入伪集电极，利用SRIM软件模拟单个离子入射器件，获取线性能量传输值随器件深度的变化，编写线性能量传输值文件并嵌入器件模型，选取离子的典型入射位置，分别开展加固与未加固器件模型的单粒子效应仿真，将加固前器件模型作为参照，与加固后器件模...
中国科学院沈阳自动化研究所专利：一种具有健康状态提醒功能的无线音箱
中国科学院沈阳自动化研究所 专利 健康状态 提醒功能 无线音箱
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2024/1/12
中国科学院沈阳自动化研究所专利：一种具有健康状态提醒功能的无线音箱
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种可调型电子设备恒电压梯度保护器
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 可调型 电子设备 恒电压 梯度保护器
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2024/1/12
本实用新型涉及一种可调型电子设备恒电压梯度保护器，该电压梯度保护器是由内置电源、供电测试模块、高低压同步转换模块、显示模块、高压继电器、低压继电器，高压压敏电阻、低压压敏电阻，高压电压比较器和低压电压比较器组成，该保护器桥接于外界电源和用电设备之间，外界电源电压稳定在电压梯度内时保证用电设备正常工作。当外界电源电压过低时，低压压敏电阻发生变化，导致低压电压比较器发生反转，显示模块中的低压信号指示灯...
中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展（图）
三维神经 形态计算 微电子
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2024/2/28
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列，其中不同层器件分别具有非易失性和易失性，这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件（字线：TiN）和第2层器件（字线：Ru）分别表现出不同的动态特性，可以用于构建多时间尺度储备池计算网络；第3层器（WL：W）表现出了多比特存储的非易失特性，可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展（图）
芯片 集成 微电子
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2024/2/29
传统贝叶斯机面临三大挑战：一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流；二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加，因此需要高密度的存储器；三是存储器和随机源的分离，导致了芯片面积和功耗的浪费。
中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展（图）
结构 器件 晶体管
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2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，...
中国科学院物理研究所博士生导师刘永昌研究员（图）
中国科学院物理研究所 博士生导师 研究员 自旋电子学材料 物理及器件
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2024/1/10
刘永昌（Yong-Chang LAU），马来西亚籍华裔，特聘研究员，博士生导师。2016年博士毕业于爱尔兰都柏林圣三一学院物理系。2016年至2019年在日本东京大学和物质材料研究机构（NIMS）进行博士后研究并获选为日本学术振兴会外国人特别研究员。2019年至2021年在日本东北大学金属材料研究所任特任助理教授，2021年11月加入物理研究所怀柔研究部HM-03组。
本发明涉及一种适用于中温区高稳定负温度系数热敏电阻及制备方法，所述热敏电阻是由Co、Mn、Fe、Zn四种金属元素的氧化物组成，经共沉淀法制备、成型、烧结、切片、烧渗电极、划片和封装，即得到适用于中温区高稳定NTC热敏电阻，该电阻标准电阻（25℃电阻）为50‑180KΩ，材料常数为3990K‑4270K。该热敏电阻器件具有适合中温区应用的标准电阻和材料常数，可用于汽车、空调、...