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中国科学院金属研究所专利:一种多功能真空-正压熔炼凝固设备
中国科学院金属研究所 专利 真空 正压 熔炼凝固
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2023/11/28
锌浸出渣中铅的真空碳热还原
锌浸出渣 铅 真空碳热还原 硫酸铅
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2021/6/4
在理论分析基础上,对锌浸出渣中铅进行了真空碳热还原挥发研究。结果表明,100 g锌浸出渣中加入18.5 g固定碳含量73%的兰炭粉,当起始真空度10 Pa、1000 ℃保温30 min时,渣中铅还原率达到98.93%。
日前,在中国有色金属工业协会召开的科技成果评价会上,由东北大学张廷安教授团队、东北大学有色固废技术研究院(辽宁)有限公司等单位完成的“熔融铜渣适度贫化-涡流还原制备含铜抗菌不锈钢/耐磨铸铁关键技术与装备开发”“相对真空连续炼镁技术与装备研发”两项科技成果通过鉴定。与会专家一致认为,此两项科技成果创新性强,具有完全自主知识产权,综合技术水平达到“国际领先水平”。
焊锡真空炉粗锡含Pb量的高低直接关系到焊锡真空炉的生产效率,为了改变目前粗锡含Pb量只能通过人工化验才能得到的现状,实验基于反向传播神经网络(Back-Propagation Neural Network,BPNN)与广义回归神经网络(Generalized Regression Neural Network,GRNN)算法原理,构建了BPNN与GRNN软测量模型并对这两种模型的预测效果进行了对比...
基于常规冶金存在的局限性以及真空冶金的优势,探索一种新的炼铝工艺,着重研究了原料烧结实验部分中不同煤的配比,焦结温度对烧结团块性能的影响,得到最佳煤配比,焦结温度等重要的工艺条件和参数。
概述了我国炼铝工艺的现状以及铝冶炼方法的研究状况,并初步讨论与研究了煤烧结的一些基本规律。基于常规冶金存在的局限性以及真空冶金的优势,我们探索一种新炼铝的工艺,对低价化合物直接提取法作了一定的研究,低价化合物提取法主要包括了原料烧结实验、提取实验两大部分。本文着重研究了原料烧结实验部分中不同煤的配比,焦结温度对烧结团块性能的影响,得到最佳煤配比,焦结温度等重要的工艺条件和参数。它们是实验成功的关键...
滚筒转移法真空镀铝纸的生产方法及设备
滚筒转移法 真空镀铝纸 生产方法设备
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2011/12/7
一种滚筒转移法真空镀铝纸的生产方法及设备,先在纸上涂上粘接剂,而后通过真空镀铝在一滚筒表面形成真空镀铝层,再将该滚筒表面与纸压合并且分离。本发明提供的生产方法及设备简单,成本大为降低,镀层均匀且光泽度特别好。
真空碳热还原炼铝的方法
真空碳热 炼铝 还原方法
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2011/12/5
本发明提供一种真空碳热还原从氧化铝矿提取金属铝的方法。采用氧化铝或含氧化铝矿物为原料,辅以还原剂,氯化剂,在内热式真空炉内,控制压力在5~400Pa条件下,还原温度在1270℃~1570℃,反应时间100-120min的条件下得到AlCl,当温度下降时AlCl分解为金属铝和三氯化铝,AlCl的冷凝分解温度<900℃,获得的金属铝纯度大于95%,三氯化铝的回收率达到78%以上。工艺流程短、成本低、对...
高纯铝的真空连续提纯净化方法
高纯铝 真空连续 提纯净化方法
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2011/11/7
高纯铝的真空连续提纯净化方法属于铸造领域。方法具体如下:(1)对提纯炉体抽真空,利用提纯炉和电解槽之间的空气压力差,经管路和截止阀将铝液导入到炉体内的提纯坩埚中;(2)在高的温度梯度下,晶体以胞状晶平界面生长,生长速度范围控制在0.5cm-10cm之间;(3)对废液回收炉抽真空,对提纯炉体充入一定量的保护气体;(4)每隔0.5-3h,利用压力差通过吸液管把富集杂质元素的液层从界面前沿吸到废液回收炉...
高纯铝的真空连续提纯净化装置
高纯铝 真空连续 提纯净化装置
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2011/11/7
高纯铝的真空连续提纯净化装置属于铸造领域。本发明主要包括:铝液电解槽、提纯炉体、真空废液回收炉,铝液电解槽由陶瓷导管(一)通过截止阀(一)与提纯炉体连接,提纯炉体由陶瓷导管(二)通过截止阀(二)与真空废液回收炉相连接。
一种直接从铝矿中提炼铝的真空炉
铝矿 提炼铝 真空炉
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2011/11/3
本实用新型涉及一种直接从铝矿中提炼铝的真空炉,是一种真空冶金设备,其包括升华器1、炉壳2、气体喷头3、石墨坩埚4、石墨冷凝盘5、炉盖8、以及石墨发热体10、发热体底座12、水冷电极13等部分组成。升华装置1通过法兰及连杆连接在炉体底盖14上,真空炉炉壳2通过法兰连接在炉体底盖14上,气体喷头3倒扣在石墨坩埚4内部的凸起部分,四个冷凝盘组成的冷凝部分5放置在石墨坩埚4上,石墨发热体10放置在发热体底...
RH真空精炼炉脱气工艺分析
RH精炼 真空脱气 脱氢 脱氮
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2014/3/28
结合生产实际数据,分析了RH真空脱气工艺过程。如要求[H]≤1.8×10
-6,需真空处理9min;当要求[H]≤1.5×
10
-6时,冬、春季节RH处理时间为≥11min,夏季则为≥12min,秋季应为≥13min;RH脱氮率约为23%,且在脱气超过8
min时RH脱氮出现拐点,延长真空处理时间对脱氮影响不大。
用真空感应熔炼和定向凝固法制备多晶硅, 通过成分测定和理论计算研究了铝杂质的除杂机理。结果表明, 在真空熔炼保温阶段(T ≥1723 K), 硅中的铝杂质明显蒸发; 在随后的定向凝固过程中, 铝杂质的分凝偏析是主要的, 但仍有部分铝蒸发。 建立了一个包括铝分凝和蒸发机制的新模型, 模拟铝在硅中的分布曲线。模拟结果与铝在硅中的实际分布符合得很好。