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复旦大学材料科学系方晓生课题组在Nature Reviews Materials期刊发表低维宽禁带半导体用于紫外光探测器的研究综述（图）
方晓生 低维宽禁带 半导体 紫外光探测器
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2023/11/21
精确的紫外光检测是现代光电技术的重要组成部分，现阶段的紫外光探测器主要基于宽禁带半导体，例如，III-V半导体。然而，传统的宽禁带半导体在实际应用中达到了瓶颈，难以兼顾高集成度和高柔性。有鉴于此，低维宽禁带半导体由于具有合适的紫外光吸收范围、可调节的光电性能以及良好的衬底兼容性等优势，在多种紫外光工作场景中展现出巨大的应用潜力。
宁波材料所在氮化物宽禁带半导体极性调控及应用取得系列研究进展（图）
宽禁带半导体 氮化物薄膜 太阳电池 电子器件
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2023/7/13
宽禁带半导体以GaN、SiC等材料为代表，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、高频下功率特性优良等优越性能，在半导体照明、5G通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子、国防安全等领域拥有广阔的应用前景。与GaAs、InP等其他化合物半导体不同，纤锌矿III族氮化物如GaN、AlN、AlGaN材料由于其结构具有非中心对称特点，沿c轴方向产生强烈的自发极化，对应于金属极性（III-polar）和氮极性...
2022年5月30日，在第六个全国科技工作者日到来之际，经过初评、终评和公示等程序，中国科协、教育部、科技部、国务院国资委、中国科学院、中国工程院、国防科工局决定命名140个单位为2022年度科学家精神教育基地。西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心成功入选。
本期云讲堂邀请黎大兵、龙世兵、孙钱、蒋科围绕“宽禁带半导体光电材料与器件”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、电子材料分会和《电子学报/CJE》编辑部联合承办。
南方科技大学深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展（图）
南方科技大学深港微电子学院 宽禁带半导体器件 IEEE Transactions on Electron Devices Sensors and Actuators: B Chemical
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2022/10/18
近日，南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展，特色研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关成果分别发表于国际微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron ...
南方科技大学深港微电子学院在宽禁带半导体功率和传感器件领域取得重要进展（图）
南方科技大学深港微电子学院 宽禁带半导体功率 传感器件 国际微电子器件 IEEE Electron Device Letters IEEE Transactions on Electron Devices
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2022/10/18
近日，南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率和传感器件领域取得重要进展，特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、以及角度和压力传感器件。相关成果分别发表于国际微电子器件顶级期刊IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions...
近日，南方科技大学工学院国家示范性微电子学院于洪宇院长团队在宽禁带半导体材料和器件领域取得重要进展，特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、实现低磁滞和高稳定性的HfO2/GaN MIS-HEMT器件、精确控制InAlN/GaN异质结构刻蚀深度和表面形貌的新型原子层刻蚀技术，以及高性能Ga2O3功率二极管制备。...
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心2017年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心2018年专利授权情况
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心 2018年 专利授权
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2021/12/14
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心2018年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心2019年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心2020年专利授权情况
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心 2020年 专利授权
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2021/12/14
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心2020年专利授权情况。
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心获奖成果
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心 获奖成果
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2021/12/14
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心获奖成果。
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心
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2021/12/14
宽禁带半导体国家工程研究中心由西安电子科技大学承担建设，并联合相关企业参与，是我国开展以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术研究与开发、科技成果转化、高层次创新型和管理型复合人才培养、科技合作与交流的国家级研究基地和工程服务平台。中心承建单位西安电子科技大学是国内最早开展半导体物理专业人才培养和科学研究的单位之一，1957年开始半导体和微电子科学与技术的研究工作，1987年成...
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心周久人博士论文获评2021年陕西省优秀博士学位论文（图）
西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心 周久人 陕西省 优秀博士学位 论文
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2021/12/14
近日，陕西省教育厅、陕西省学位委员会公布了2021年陕西省优秀博士学位论文评选结果，西安电子科技大学共10篇博士学位论文入选。实验室周久人博士题为“基于铁电材料的负电容场效应晶体管研究”的学位论文获得“2021年陕西省优秀博士学位论文”称号。
西安电子科技大学宽禁带半导体材料教育部重点实验室科研奖项。