搜索结果: 1-9 共查到“核科学技术 核辐射探测器”相关记录9条 . 查询时间(0.253 秒)
近期，中国原子能科学研究院核技术所利用核辐射探测器研发条件项目设备、设施（简称“核辐射探测器研发设施”），相继开展了一系列核探测技术重大科研项目研发工作，标志着该设施已具备为重点科研项目提供技术支撑的能力。该设施包含的半导体探测器工艺线，是中核集团半导体探测器制备工艺研究设备、设施最为齐全的工艺线，它的投运进一步提升了我国先进半导体探测器研发的自主创新能力。
GaN肖特基核辐射探测器对X射线的响应时间特性研究
GaN 肖特基探测器 X射线 响应时间
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2011/8/18
通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器，研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件，对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对所测得的实验结果，对其内部机理进行了分析，提出了1个GaN肖特基探测器对X射线照射下的时间响应的理论模型，得到非常好的拟合结果。实验发现，由于高阻层的存在，GaN肖特基探测器具有很高的信噪比，即使在可能的光淬灭效应的影响下，探...
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展
GaN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延
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2010/7/13
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况，并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算，总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时，根据目前的研究现状，提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向。
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展
GaN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延
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2010/8/20
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况，并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算，总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时，根据目前的研究现状，提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向。
近年来原子核辐射探测器的若干新发展
新发展 原子核辐射探测器
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2008/12/17
本文介绍了最近三年来在原子核辐射探测器方面的若干新发展和新成就,其中包括半导体探测器、光敏计数管、火花计数器、闪烁计数器、气体契连科夫计数器、光电倍增管和电子倍增管、发光室、气体放电室等。对于上述探测器,叙述了基本原理、结构和性能特点。最后还归纳了对于探测器的一般的性能要求和作者对于发展探测器的意见。
CdTe核辐射探测器
核辐射探测器 CdTe
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2008/12/17
近年来,锗和硅核辐射半导体探测器已比较成熟。但是这些探测器有两个缺点:一是由于锗单晶的禁带宽度较小(E_g=0.67电子伏,300°K),而Ge(Li)探测器需要Li补偿,因此,必须保存和工作在液氮温度(77°K);二是由于硅单晶的原子序数低(Z=14),
CdTe核辐射探测器(扩散型)
扩散型 CdTe核辐射探测器
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2008/12/17
CdTe核辐射探测器是近年来发展起来的有希望的一种化合物半导体探测器。目前,采用CdTe材料已制成扩散型、面垒型、离子注入型、同轴型等探测器。而扩散型探测器是早期开展的工作,1971年А.И.Калучина等人制成了扩散型CdTe探测器,对~(241)Am 59 keV的γ射线获得7 keV的能量分辨率(FWHM)。
超导体核辐射探测器的探测原理
探测器 超导体
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2008/12/17
一、引言 对于某些核辐射探测器,降低它们的工作温度便可得到较好的探测器性能,例如硅和锗探测器,当工作温度为77K时,能量分辨可提高很多。一些金属和它们的氧化物在极低温度下成为超导体,利用这种超导现象有可能得到性能极好的探测器,也有可能比现在已实用的半导体(?)测器的能量分辨要提高一个量级。高分辨测量有可能在许多领域内得到应用。关于在极低温度下((?)IK)对超导体核辐射探测器已有一些评论,这里仅...
离子注入在核辐射探测器中的应用
核辐射探测器 离子注入
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2008/12/17
半导体的离子注入,就是使杂质元素(如硼,磷,砷)的离子,在加速电压的作用下达到5～100千电子伏的能量,对半导体衬底进行轰击,以得到所需要的杂质浓度的方法。 离子束在半导体领域内的应用早已发现,而且一直在进行研究。1948年首先报道了用离子束使半导体电导类型转变的实验;1952年发表了用各种不同的气体离子轰击硅表面可