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搜索结果: 1-15 共查到核科学技术 探测器相关记录235条 . 查询时间(0.361 秒)
中国科学院上海应用物理研究所专利:一种用于同步辐射X光衍射面探测器的样品切光装置
中国科学院上海应用物理研究所专利:一种同步辐射X射线对面探测器的快速准直方法及系统
中国科学院微电子研究所专利:X射线平板探测器及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利::X射线探测器及其制造方法
近日,中国原子能科学研究所核物理研究所团队解决多项“卡脖子”技术难题,实现了大面积、低功耗、高位置灵敏光刻一体化微结构探测器的自主可控。团队自主研发的多个探测器和电子学线路板样件主要参数达到国际同类产品的最高水平,对核探测器及核电子学创新发展具有重要价值,研究成果已应用于国内外多个科研项目。
近日,中国原子能科学技术研究院核技术综合研究所成功研制出我国首个高效氮化硼中子探测器,相关指标达到国际先进水平,提升了我国在新一代探测材料和新型探测器领域的创新研发能力。该探测器体积小、重量轻,中子探测效率高,可应用于高温、高辐射等恶劣环境,对于推动我国新型探测器材料和先进半导体中子探测器的研究应用具有重要意义。
近日,中国原子能科学研究所院核技术综合研究所成功研制出我国首个高效氮化硼中子探测器,相关指标达到国际先进水平,提升了我国在新一代探测材料和新型探测器领域的创新研发能力。该探测器体积小、重量轻,中子探测效率高,泄漏电流小且功耗更低,具备极低的背景噪声,可应用于高温、高辐射等恶劣环境,对于推动我国新型探测器材料和先进半导体中子探测器的研究应用具有重要意义。
为满足高能同步辐射光源(HighEnergyPhotonSource,HEPS)和北京正负电子对撞机重大改造工程(UpgradeofBeijingElectronPositronCollider,BEPCII)等工程需求,研制了一套束流位置探测器(BeamPositionMonitor,BPM)自动标定系统。标定系统主要包括模拟束流发生装置、精密运动机构、信号处理电子学以及系统软件等部分。利用标定...
LaBr3(Ce)晶体是一种性能优异的新型无机闪烁体,是制作闪烁体探测器的优异材料。LaBr3(Ce)探测器在核测井、环境监测、核医学等领域得到了广泛应用。探测器探测效率是探测器设计和研制的一个重要指标,利用Geant4工具包建立LaBr3(Ce)探测器探测模型,对影响探测器探测效率的相关因素进行研究。结果表明:探测效率与晶体截面形状、尺寸有关:矩形截面的探测效率低于圆形和方形截面,而且晶体...
正电子湮没角关联(AngularCorrelationofAnnihilationRadiation,ACAR)测量是一种常用来研究金属中的费米动量和费米能的高精度测量方法。传统一维湮没角关联(1D-ACAR)装置通过角度扫描的方式测量,角分辨为亚毫弧度级,但存在装置结构复杂、成谱时间长等缺点。本文提出了基于连续硅酸钇镥晶体(Lutetium-yttriumOrthosilicate,LYSO)阵...
采用聚乙烯转换层的气体电子倍增器(GasElectronMultiplier,GEM)探测器具有快中子探测、较高时间分辨及位置分辨等性能,能很好地满足中国散裂中子源(ChineseSpallationNeutronSource,CSNS)大气中子谱仪束流监测的需求。采用蒙特卡罗仿真软件Geant4(GEometryANdTracking,version4)对探测器的物理过程进行模拟,研究7MeV、...
在X射线能谱测量系统中,时间常数是影响梯形成形效果的重要因素,准确测量双指数脉冲信号的时间常数有利于获得较好梯形成形效果。本文研究了一种基于最小二乘法的快速拟合双指数脉冲算法,用于测量梯形脉冲成形中的时间常数,不仅从理论上证明了该算法的合理性,而且用含有5%标准差噪声的仿真信号和X射线探测器接收55Fe放射源输出的成形脉冲信号验证了该算法,拟合优度R2均超过了0.95。将本文快速拟合算法与MATL...
有源效率刻度需要使用多种能量不同的源,并且要求样品源与标准源的测量条件一致,对于一般的实验室,由于实验条件的限制,并不能有效地对探测器进行效率刻度。为了解决此类问题,针对地层元素测井中使用的溴化镧探测器(LaBr3:Ce晶体,?3.18cm×10.16cm),首先用蒙特卡罗软件MCNP(MonteCarloNParticleTransportCode)研究了影响探测效率的因素,主要包括探测器Al壳...
澳大利亚的科学家们使用单硫化锡 (SnS) 纳米片制造了有史以来最薄的 X 射线探测器,有可能实现细胞生物学的实时成像。X 射线探测器是一种工具,可以通过视觉或电子方式识别辐射传输的能量,如医学成像或盖革计数器。单硫化锡作为用于光伏、场效应晶体管和催化的材料已经显示出巨大的前景。
2021年核科学研讨会(NSS)和医学成像会议(MIC)以及室温半导体探测器(RTSD)国际研讨会将于2021年10月16日至23日举行。

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