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2019年1月17-18日,西安电子科技大学超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室学术论坛成功举行。时值依托于重点实验室的西安电子自科技大学-是德科技“高速电路信号完整性联合实验室”成立,在17日上午揭牌仪式成功举行后,是德科技相关人员和受邀专家学者,一同参与了本年度的超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室学术论坛。本次学术论坛是在重点实验室以优异的成绩通过教育部审核评估后开展的一次重要学术活...
中国科学院半导体研究所高速电路与神经网络实验室
中国科学院半导体研究所高速电路与神经网络实验室 半导体
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2014/3/27
高速电路与神经网络实验室的学术积累来自半导体所20世纪70年代末由王守觉院士组建的新器件、新电路研究室的多值、模糊逻辑电路、高速数模混合电路、半导体人工神经网络算法及硬件化系统研究、智能信息处理、模式识别、电力设备状态监测等科研方向的系列研究成果。实验室将在这些基础上结合当今科学技术的前沿发展趋势和社会需求,开展高性能集成电路研究,开展神经网络图像处理与识别研究,开展以半导体微电子技术、连接主义(...
该项目在高速电路系统规模扩大、速度提高的情况下,对其中的互连封装系统产生的寄生电磁效应进行研究。
高速电路用GeSi/Si外延材料
HBT SiGe/Si材料 分子素外延
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2008/11/11
本项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术,项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料:Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求;能够严格控制n、p型掺杂区域,将基区的硼杂质限制在基区内,保证了pn结与SiGe/Si异质结相重合。此为目前国内生长的Si/SiGe/Si材料制备的 HBT器件的最好结果。本项目采用的GSMBE技术生长SiGe/Si高速电路用...