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共查到
“
核科学技术 辐射损伤
”
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种用于光电成像器件光谱响应
辐射损伤
的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
光电成像器件
光谱响应
辐射损伤
<
2024/1/15
本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应
辐射损伤
的测试方法,该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成,本发明利用单色仪输出均匀的单色光,并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮,再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管,平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上,根据...
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种用于横向NPN晶体管电离
辐射损伤
的定量测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
横向
NPN晶体管
电离辐射损伤
<
2024/1/12
本发明涉及一种用于横向NPN晶体管
辐射损伤
的定量分离测试方法,该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极,所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性,又使的器件具有MOS管的特性,测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场,使得器件基区表面能级发生弯曲,从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电...
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:用于纵向NPN晶体管电离
辐射损伤
的定量测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
纵向
NPN晶体管
电离辐射损伤
<
2024/1/12
本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离
辐射损伤
的定量测试方法,该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成,利用附加栅电极半导体工艺,在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极,所加栅电极既不影响器件的双极常规特性,又使的器件具有MOS管特性,测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场,使得器件基区表面能级发生弯曲,从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
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中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种用于光电材料光致发光谱
辐射损伤
的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所
专利
光电材料
光致发光谱
辐射损伤
测试方法
<
2024/1/8
本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱
辐射损伤
分析的测试方法,该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成,利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光,经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置,样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口,经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号,...
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星用双极器件及模拟电路的低剂量率
辐射损伤
增强效应研究
星用
双极器件
模拟电路
低剂量率
辐射损伤
<
2023/8/17
开展了星用双极器件及模拟电路的低剂量
辐射损伤
效应、
损伤
机理、评估方法的研究
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中国科学院声学研究所专利:一种降低电磁
辐射损伤
的生物防护组合物及制备方法
中国科学院声学研究所 专利 电磁辐射损伤 生物防护
<
2023/4/3
中国科学院声学研究所专利:一种降低电磁
辐射损伤
的生物防护组合物及制备方法
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