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搜索结果: 1-15 共查到工学 辐射损伤相关记录22条 . 查询时间(0.14 秒)
本发明涉及一种用于光电成像器件光谱响应辐射损伤的测试方法,该方法涉及装置是由卤素灯光源室、单色仪、投射镜头、矩形分划板、反射镜、平行光管、成像物镜、三维样品调整台和待测光电成像器件制成,本发明利用单色仪输出均匀的单色光,并经过投射物镜将放置在平行光管焦面位置的矩形分划板照亮,再经过反射镜改变光路方向后射入到平行光管,平行光管输出的准直单色光通过成像物镜将矩形分划板成像到光电成像器件的光敏面上,根据...
本发明涉及一种用于横向NPN晶体管辐射损伤的定量分离测试方法,该方法涉及装置是由栅控横向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成。本发明在常规双极NPN晶体管的CE结钝化层表面附加栅电极,所加栅电极既不影响器件的双极晶体管特性,又使的器件具有MOS管的特性,测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场,使得器件基区表面能级发生弯曲,从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋势。本发明使用附加栅电...
本发明涉及一种用于纵向NPN晶体管电离辐射损伤的定量测试方法,该方法涉及装置是由栅控纵向NPN双极晶体管和HP4142半导体参数分析仪组成,利用附加栅电极半导体工艺,在常规双极NPN晶体管的CE、EB结钝化层表面附加栅电极,所加栅电极既不影响器件的双极常规特性,又使的器件具有MOS管特性,测试过程中通过在器件的表面附加一定的电场,使得器件基区表面能级发生弯曲,从而获得表面栅极电压随基极电流的变化趋...
本发明涉及一种用于光电材料光致发光谱辐射损伤分析的测试方法,该方法中涉及装置是由激光器、第一凸透镜、斩波器、低温样品室、载样铜片、待测光电材料、第二凸透镜、第三凸透镜、光栅光谱仪、探测器、锁相放大器和记录仪组成,利用斩波器斩波的具有频率的非连续激光,经过凸透镜聚焦后打在待测光电材料中心位置,样品受激光激发后发出的光经凸透镜收集聚焦并投射入光栅光谱仪的狭缝入口,经光谱仪分光后经由光电探测器接受信号,...
本发明涉及一种基于星对角距平均测量误差的星敏感器辐射损伤外场评估方法,该方法涉及装置由样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、成像镜头、直流电源、计算机和转台组成,调整转台拍摄非天顶方向星区,采取星图进行星点提取、星图匹配,再调整转台的回转角和俯仰角,使外壳结构件上的固定成像镜头能够对准天顶方向天区,得到转台在方位俯仰都是相对0度时对应的星点坐标位置,再计算出非天顶方向星图中匹配成功的...
本发明涉及一种基于星对角距测量精度的星敏感器辐射损伤实验室评估方法,该方法中涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、样品调整转台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源、计算机、平行光管、自准直经纬仪、单星模拟器和成像镜头组成,利用自准直经纬仪将固定在样品测试板上的成像镜头和平行光管对齐,将单星模拟器调到零等星,样品调整转台调到回转角0°,俯仰角0°,通过成像镜头对模拟单星星点...
本公开提供了一种光电成像器件辐射损伤的分类方法,应用于图像传感器检测技术领域,包括:获取不同退火时间下光电成像器件采集到的暗场图像像素的暗电流数据,对满足预设条件的像素的暗电流数据进行样条插值,得到样条插值结果,对样条插值结果取切比雪夫零点,对切比雪夫零点进行拉格朗日插值,得到暗电流演变的多项式结果并将暗电流演变的多项式结果在预设坐标系中绘制成暗电流演变曲线,对于每两个不同的像素,分别将每两个不同...
开展了星用双极器件及模拟电路的低剂量辐射损伤效应、损伤机理、评估方法的研究
中国科学院声学研究所专利:一种降低电磁辐射损伤的生物防护组合物及制备方法
2022年4月25日至29日,硅光电倍增管辐射损伤国际研讨会在欧洲核子研究中心(CERN)召开,我系曾鸣老师应邀参会,并做了题为“硅光电倍增管的在轨辐射损伤定量测量与分析——基于天格02卫星载荷(Quantitative measurement and analysis of in-orbit radiation damage of SiPMs in GRID-02 CubeSat detecto...
放射医学研究所樊赛军课题组针对性别差异研发出分别适用于两性的急性辐射损伤的康复技术,实现了基于性别的急性辐射损伤“精准”康复。相关成果以“Sexual Dimorphism of Gut Microbiota Dictates Therapeutics Efficacy of Radiation Injuries ” 为题,发表在 《 Advanced Science 》杂志上(29 Au...
武汉理工大学材料科学基础课件第十一章第三节 辐射损伤
对低功率、双输出型DC-DC电源转换器60Co γ辐照后的总剂量辐射损伤及辐照后退火效应进行研究。探讨了器件在不同负载、不同输入电压条件下输入电流Iin、正路/负路输出电压Vout、正路输出电流Iout、抑制模式下的输入电流Iinhibit等参数随总剂量、退火时间的变化关系。实验结果表明:虽然同为小功率器件(DVHF2812DF与 DVTR2815DF),但抗总剂量辐射能力有所差异,这与以往结果...
应用傅里叶变换红外(FTIR)光谱分析辐射损伤小鼠胸腺组织随辐射剂量增加的生化变化过程,为临床评估患者辐射剂量提供新的研究思路。结果表明,随着辐射剂量的增加,辐射损伤小鼠胸腺组织FTIR光谱的主要吸收峰位变化表现在照射2,3,5Gy时,在1 550,1 460,1 400及1 640 cm-1处峰位发生移位(P<0.05),峰高差异表现在:(1)与核酸有关的谱带1 085和1 236 cm-1的峰...
对东芝公司生产的TCD1209D线阵电荷耦合器件(CCDs)进行了60Co γ和1 MeV电子辐照实验,获得了CCDs的像元信号输出波形、像元光强量化值及器件功耗电流随辐照剂量的变化规律。比较了两种射线产生的CCDs辐射损伤。结果显示,60Co γ和1 MeV电子导致的CCDs辐射损伤不仅在程序上存在差异,而且二者的表现形式也有所不同。分析了电离辐射和位移损伤对CCDs内部不同单元的影响,表明了电...

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