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中国科学院新疆理化技术研究所专利：用于元器件电离辐照的X射线辐照方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 元器件 电离辐照 X射线辐照
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2024/1/5
本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的...
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应
NPN双极晶体管 60Co γ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强
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2011/8/23
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明：同一剂量率辐照时，无论是低剂量率还是高剂量率，辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大，零偏置次之，正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强（ELDRS）效应，且偏置条件对ELDRS效应很明显，表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著，零偏次之，反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进...