搜索结果: 1-3 共查到“辐射物理与技术 偏置”相关记录3条 . 查询时间(0.167 秒)
线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应
线性稳压器 电离辐射 剂量率效应 偏置
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2011/8/19
为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究，选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的电离辐照和退火实验。结合电路特征和电离辐射效应，对线性稳压器产生蜕变的原因进行分析。结果显示，器件输出电压、线性调整率、负载调整率等关键参数在电离辐射环境下发生不同程度变化。在零偏条件下，低剂量率（LDR）下损伤明显大于高剂量率（HDR）条件，表现出低剂量率损伤增强效应；而在工...
不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应
电离辐射 电流反馈运算放大器 偏置 低剂量率损伤增强效应
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2011/8/24
在不同偏置条件下，对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器（CFA）进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现，在不同偏置条件下，器件损伤差异明显。在零偏条件下，器件在低剂量率下损伤显著增强，表现为低剂量率损伤增强效应（ELDRS）；在小工作电压下辐照时，器件损伤较小，且不同剂量率之间损伤差异不明显；而在大工作电压下辐照时，器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤，在随后的室温退火中，...
不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应
NPN双极晶体管 60Co γ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强
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2011/8/23
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明：同一剂量率辐照时，无论是低剂量率还是高剂量率，辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大，零偏置次之，正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强（ELDRS）效应，且偏置条件对ELDRS效应很明显，表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著，零偏次之，反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进...