搜索结果: 1-1 共查到“知识库 辐射物理与技术 总剂量辐照”相关记录1条 . 查询时间(0.193 秒)
对国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET 60Co γ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺技术的发展，正栅氧化层具有较强的抗辐照加固能力，背栅由于埋氧层厚度和工艺生长原因而对总剂量辐照较为敏感；辐照引入的深能级界面态陷阱电荷的散射作用，导致了正栅源漏饱和电流的显著降低；退火过程中界面态陷阱电荷的饱和决定了正栅亚阈曲线的平衡位置，而隧穿或热发射的电子只能中和部分背栅氧化物陷阱电...
