搜索结果: 1-15 共查到“知识库 物理学 器件”相关记录80条 . 查询时间(0.154 秒)
新型高K栅介质双沟道GaN基MOS-HEMT器件的栅极介质沉积工艺与电流坍塌效应的研究。
可控生长InSb纳米低维结构和其高质量量子器件（图）
半导体材料 InSb 纳米低维结构 量子器件
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2023/2/23
窄带InSb半导体材料以其具有高电子迁移率、大朗德g因子和强大的Rashba自旋轨道耦合特征而著称，并成为自旋电子学、红外探测、热电以及复合半导体 - 超导器件中的新型量子比特和拓扑量子比特的材料候选者。由InSb制成的低维纳米结构，如纳米线或者 2D InSb纳米结构（或量子阱），也因丰富的量子现象、优异的可调控性而显示出巨大的潜力。然而，InSb量子阱由于其大晶格常数，很难在绝缘基板上外延生长...
中国科学院理化技术研究所成功研制柔性显示用无色聚酰亚胺薄膜及器件（图）
柔性 聚酰亚胺 薄膜
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2023/1/10
聚酰亚胺(PI)被誉为处于高分子材料金字塔顶端的材料，具有优异的热稳定性、机械性能、绝缘性能以及化学稳定性，广泛应用于电气、电子器件、航空航天等领域。特别地，具有高透光度的无色PI薄膜是一类新型战略性功能材料，在柔性显示领域具有广阔的应用前景，也是各国进行专利布局的重点。
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
铌基超导量子比特及辅助器件的制备
超导量子比特 器件制备 量子计算
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2022/3/28
近年来超导量子计算的研究方兴未艾，随着谷歌宣布首次实现“量子优势”，这一领域的研究受到了人们进一步的广泛关注。超导量子比特是具有量子化能级、量子态叠加和量子态纠缠等典型量子特性的宏观器件，通过电磁脉冲信号控制磁通量、电荷或具有非线性电感和无能量耗散的约瑟夫森结上的位相差，可对量子态进行精确调控，从而实现量子计算和量子信息处理。超导量子比特有着诸多方面的优势，很有希望成为普适量子计算的核心组成部分。...
超导-半导体纳米线作为实现马约拉纳零能模和拓扑量子计算的一个潜在体系受到广泛关注。经过十年持续研究，当前科学争论焦点在于如何在实验上区分马约拉纳零模和安德列夫束缚态：两者在输运上皆可体现为零偏压电导峰。最近，清华大学物理系拓扑量子器件理论和实验课题组以及合作者构建了一种甄别安德列夫束缚态的新方法，有助于实现未来对马约拉纳零模的实验验证。
有源器件混合集成的超薄超宽带可调雷达吸波体
超表面吸波体 宽带 可调 低雷达散射截面
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2022/3/17
结构型雷达吸波材料不仅可以有效吸收雷达波,还能同时承受载荷,在雷达隐身领域具有重要应用.基于超表面的结构型雷达吸波材料可以实现对雷达波近乎“完美”的吸收,且具有结构轻薄的特点,但其限制在于吸波带宽通常较窄.针对该问题,提出一种拓宽超表面吸波体工作带宽的新方法.该方法利用可重构的思想,通过在超表面中混合集成变容二极管和开关二极管,将吸波频率的连续可调与离散搬移有机结合,以此展宽吸波体的有效吸波带宽....
二维α-In2Se3的铁电性与器件应用
二维铁电 二维材料 α-In2Se3 铁电器件
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2022/3/24
铁电体具有可控的非易失电极化，在现代电子学中有着广泛的应用，例如大容量电容器、新型二极管、铁电场效应晶体管、铁电隧道结等．伴随着电子元器件的不断微型化，传统铁电体面临着极大的挑战，即在器件减薄过程中受限于临界尺寸效应，铁电性很难稳定存在于纳米乃至单原子层二维极限厚度下．鉴于二维范德华材料具有界面饱和、层间相互作用弱、易于实现二维极限厚度等特性，因此，在二维材料家族中寻找室温二维铁电性将是解决传统铁...
铒单离子磁体(C18H23Er)器件的自旋极化输运
单离子磁体 自旋过滤 自旋整流 隧穿磁电阻效应
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2019/4/18
研究单分子磁体的自旋极化输运性质。搭建由扫描隧道显微镜钴针尖、铒单离子磁体以及金（111）衬底所构成的分子器件模型。在小偏压下，计算铒单离子磁体在正立和倒立2种构型下的自旋极化电流曲线，发现此单分子磁体器件的隧穿磁电阻最高达120%，自旋过滤效率在70%~100%。对比2种构型下的整流比，发现倒立构型有较大的整流比。通过分析体系的透射谱、分子投影哈密顿量、器件投影态密度等，对上述物理效应的根源进行...
有机电致发光器件的磁电导效应研究进展
有机电致发光器件 磁效应 三重态激子 电子-空穴对
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2016/8/4
有机电致发光器件的磁电导效应,是指在恒定外加偏压下,对于不含有任何磁性材料功能层的有机电致发光器件,通过器件的电流发生变化的现象。由于器件对外磁场很敏感,通过给器件施加偏压,如果有外磁场的存在,器件的电流会有较显著地改变,通过与事先测定好的B-I 特性曲线对比,便能测定外加磁场的大小。因此利用这种效应可以制成磁场传感器等新型实用器件。有机电致发光器件中存在复杂的激发态及自旋弛豫过程,充分了解这些复...
全湿法制备聚合物白光器件
全湿法 白光电致发光 PFN MEH-PPV
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2014/3/15
使用全溶液法制备聚合物白光器件，通过引入修饰层并改变各层薄膜厚度来优化器件性能。针对ITO 阴极功函数较高的问题，引入功函数较低的蓝光聚芴衍生物：聚[9,9-二辛基芴-9,9-双（N,N-二甲基胺丙基）芴]（PFN），有效地降低了阴极的复合功函数。同时PFN也是电子注入材料和发光材料。为降低器件的启动电压，引入Cs2CO3作为修饰层，同时也提高了电子传输能力。使用MEH-PPV作为橙红光材料。使用...
基于7-（9H-carbazol-9-yl）-N,N-diphenyl-9, 9’-spirobi[fluoren]-2-amine主体材料的高效红色电致磷光器件
有机电致发光器件 磷光主体材料 红光器件
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2014/3/15
研究了基于新型骨架7-（9H-carbazol-9-yl）-N，N-diphenyl-9，9’-spirobi[fluoren]-2-amine（CzFA）双极性主体材料的红色电致磷光器件的光电特性。研究结果表明：将红色磷光染料iridium（Ⅲ）bis[2-methyldibenzo-（f,h）quinoxaline]（acetylacetonate）（Ir（MDQ）2（acac））掺杂到CzF...
TBPe与MEH-PPV共掺杂的有机电致发光器件的优化研究
MEH-PPV 有机电致发光器件 TBPe 掺杂
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2014/3/16
采用有机小分子TBPe（2，5，8，11-tetratertbutylperylene）以不同比例掺入MEH-PPV（poly ）作为发光层，研究了TBPe不同掺杂比例对器件性能的影响，进而对发光强度进行优化。对于所制备的ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV/TBPe/Al有机电致发光器件，TBPe的最优蒸镀厚度为0.5 nm，其发光强度相对于标准器件提高了325%。ITO/PEDOT：PS...