搜索结果: 1-15 共查到“知识库 材料科学 多晶”相关记录34条 . 查询时间(0.379 秒)
多晶硅薄膜晶体管亚阈值区准二维模型
多晶硅薄膜晶体管 亚阈值 准二维
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2014/3/27
从准二维泊松方程出发,结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论,建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流方程求得包含陷阱态和晶粒尺寸的亚阈值斜率解析表达式。模型具有简明的表达式,并且在大晶粒和低陷阱态情形下可简化为传统长沟道MOSFET亚阈值区模型。仿真结果与试验数据符合得很好,验证了模型的正确性。
多晶Cu在双向加载下的后继屈服与塑性流动分析
多晶Cu 晶体塑性 后继屈服面
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2009/11/30
采用晶体塑性理论并结合多晶集合体模型来研究多晶Cu的塑性变形, 用双向加载方式模
拟材料的双向应力状态和分段加载路径, 得到了材料的初始屈服面及在预剪切和预拉伸2种情况下
的后继屈服面. 通过对后继屈服面形状及其演化趋势的研究, 探讨了用晶体塑性理论分析多晶材料塑
性流动规律的方法. 结果表明: 后继屈服面的形状和是否出现尖角与屈服点的定义有关, 同时
还与π平面上的预加载方向有关; 通过...
中国多晶硅产业在世界崛起
多晶硅产业 投资风险 产业转移
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2009/9/7
系统分析了国内外多晶硅产业的技术发展现状与产业发展趋势，及国内外多晶硅企业的产业投资发展趋势。结果表明，世界太阳能多晶硅光伏电池产业已向中国转移，世界多晶硅产业也出现了向中国转移的趋势；中国多晶硅产业正在世界崛起，中国多晶硅产业、光伏产业巨大机遇与风险并存。
高纯多晶铝的动态再结晶
高纯铝 Zenner-Hollomon参数 高温变形 再结晶
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2009/8/28
将99.992%高纯多晶铝在533~773 K时以0.002~2.000 s-1的应变速率压缩到其真应变为0.92。采用真应力-真应变曲线以及偏光金相和透射电镜研究高纯铝高温塑性变形特征,研究了形变条件对高纯铝动态软化机制的影响。研究结果表明:高纯铝的动态软化机制与Zenner-Hollomon参数Z密切相关,当Z较大时,试样仅发生动态回复;Z处于中间值时,发生连续动态再结晶;Z较小时,发生不连续...
第二相颗粒对多晶材料晶粒生长影响的元胞自动机(CA)模拟
多晶材料 第二相颗粒 晶粒长大 元胞自动机
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2010/3/31
采用Moore型邻域定义的元胞自动机模型模拟研究第二相颗粒对多晶材料晶粒生长的影响。结果表明：第二相颗粒的体积分数及尺寸对基体晶粒组织特征的影响很大；第二相颗粒含量增加可以提高晶粒尺寸分布的均匀性，而颗粒尺寸增大则导致晶粒尺寸分布的均匀性降低。通过对模拟数据的回归分析获得极限晶粒尺寸(D)与颗粒尺寸(d)和颗粒含量(f)之间的关系；不同的颗粒尺寸(d)对应不同的拟合指数(n)。
一种含铼多晶铸造高温合金的凝固行为
金属材料 含铼多晶高温合金 凝固
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2009/6/4
在多晶铸造高温合金中加入铼并观察其铸态组织, 发现在(γ+γ') 共晶附近有μ相和类树枝晶 γ' 相析出, 测定合金中各种相的形成顺序和共晶反应偏析, 分析了初生μ相和类树枝晶γ'相的形成机理, 研究了Re在多晶铸造高温合金凝固过程中的作用和对合金凝固组织的影响.
单晶和多晶钼纳米丝轴向拉伸的模拟对比
钼纳米丝 结构转变 力学性能 分子动力学
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2010/3/29
利用分子动力学模拟研究多晶纳米丝和单晶钼纳米丝在拉伸形变行为上的差异。结果表明：单晶纳米丝比多晶纳米丝具有更高的弹性模量、屈服应力和断裂应变，且在拉伸过程中伴随更多的结构转变和无序化，导致超塑性的出现；多晶纳米丝拉伸时的颈缩从应力高度集中的晶界开始，结构转变也仅局限于此晶界附近，系统的整体结构几乎没有受到影响，且晶界处的高应力在控制多晶纳米丝的塑性形变和断裂过程中起着决定性的作用；纳米丝拉伸时由应...
多晶铜压缩过程中晶粒取向演化的塑性理论分析
柱状晶 纯铜 晶粒取向
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2008/12/10
基于电子背散射分析（EBSD）技术对纯铜柱状晶标定获得的初始晶粒形貌和平均取向，利用晶体塑性理论，建立了基于晶粒真实取向和形貌的多晶塑性有限元模型，模拟了纯铜柱状晶单轴压缩过程中的取向和形貌变化。通过实施相应的单轴压缩实验获得了取向和形貌变化的实验数据。系统地比较了多晶样品中每一个晶粒取向和形貌的模拟结果和实验结果，得到晶粒取向和微观结构变化的统计性结果。
细观非均质性对多晶材料塑性行为的影响
晶体塑性 多晶材料 Bauschinger效应
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2008/12/9
构建晶粒取向随机分布的多晶集合体, 采用晶体塑性本构模型, 对多晶材料塑性宏观响应与细观结构的关系进行研究。结果表明：多晶材料细观非均质性对材料的宏观力学行为有重要影响；各晶粒之间的相互约束使得等向强化的晶体本构关系在对多晶材料描述时可以模拟Bauschinger效应；分析Bauschinger效应的机理需综合考虑晶粒之间约束、晶粒的弹性各向异性及不同取向的硬化能力等因素。
多晶柱状Cu膜的表面粗化与织构
Cu膜 表面粗化 织构
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2008/11/26
用磁控溅射工艺分别在Si和Al2O3衬底上沉积两种不同织构组分的多晶柱状Cu膜, 基于动力学标度方法表征两种薄膜的表面粗化特征. 结果表明, Cu(111)取向晶粒组分多的薄膜的生长指数较大、表面粗化速率较快. 对于较低温度下沉积的多晶柱状薄膜, 基于其晶粒几何形态和弱化的晶界限制的特点, 提出了一种表面粗化机制, 认为薄膜的表面粗化主要依赖于其晶粒表面的粗化过程, 而薄膜织构决定了薄膜表面粗化速...
TaN／TiN和TaWN／TiN多晶超晶格薄膜的微结构与超硬效应
超晶格薄膜 晶格错配度 超硬效应
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2008/11/12
通过磁控反应溅射仪制备了ＴａＮ／ＴｉＮ和ＴＡｗｎ／ＴｉＮ多晶超晶格薄膜. 采用Ｘ射线衍射仪. 透射电子显微镜和显微硬度仪对超 格薄膜的微结构和硬度进行了分析.
Nd0.52Sr0.48MnO3多晶陶瓷的磁性和相分离
相分离 庞磁电阻 电子自旋共振
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2008/8/28
实验研究了用Pechini方法制备的Nd0.52Sr0.48MnO3多晶样品的磁性和电子自旋共振特性. 在Curie温度以上, Nd0.52Sr0.48MnO3表现为顺磁性, 这时的电子自旋共振积分谱表现为单一的Lorentz峰; 在Neel温度和Curie温度之间, 电子自旋共振积分谱由两个Gauss峰组成, 表明发生了相分离; 在Neel温度以下, 我们发现在反铁磁母体中仍有大量的铁磁团簇存在...
红外用CVD ZnS多晶材料的研制
CVD ZnS 化学气相沉积 热等静压处理
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2008/8/6
论述了制备红外用CVD ZnS多晶材料的化学气相沉积工艺和热等静压处理工艺。针对CVD ZnS多晶材料具备优良的光学和力学性能，采用化学气相沉积工艺和热等静压处理技术成功研制出大尺寸多晶材料，其最大尺寸达到250mm×15mm。测试了CVD ZnS样品的各项光学、力学性能指标。样品的全波段透过率均接近ZnS材料的本征水平，折射指数均匀性优于2×10-5，在1.06μm的吸收系数为2×10-3cm-...
单晶与多晶NbSi2在1023 K氧化行为的对比
NbSi2 氧化 单晶 粉化现象
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2008/8/1
选择NbSi2的单晶、放电等离子烧结(SPS)多晶和电弧熔炼多晶样品在1023 K下氧化, 研究了微裂纹、孔隙和晶界对NbSi2氧化行为的影响.结果表明, 含有大量微裂纹的电弧熔炼多晶样品经3 h氧化后完全粉化, 而单晶和SPS样品经89 h氧化亦未出现粉化. 无论是单晶还是多晶样品, 氧化产物均为Nb2O5和SiO2, 生成的Nb2O5易剥落, 样品的氧化动力学曲线均呈直线规律, 证明NbSi2...