搜索结果: 151-165 共查到“知识要闻 电子科学与技术”相关记录4534条 . 查询时间(0.293 秒)
2023年7月14日，以“洞见·破局·新发展——以产教融合促进经济社会和人才高质量发展”为主题的2023（首届）产教融合发展大会在河北雄安举办。此次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，来自全国各地高校、职业院校、行业企业、社会组织等产教融合各参与主体的代表700余人参会。南京邮电大学副校长、学院院长郭宇锋教授受邀参加并发言。
深圳先进院等设计了一种新型“人工光细胞”构建方法（图）
人工光细胞 半导体材料 细胞集成
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2023/8/19
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成，合成一种新的人工体系（“人工光细胞”），利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能，可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力，为光驱生物制造技术提供新的路径。然而，半导体材料吸收光能产生的是电子，细胞利用的能量为生物能（ATP和(NADP)H），因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
深圳先进院等设计新型“人工光细胞”构建方法（图）
人工光细胞 催化 半导体材料
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2023/8/6
将高效吸收光能的半导体材料与高选择性催化的活细胞集成，合成一种新的人工体系（“人工光细胞”），利用微生物的优异胞内催化能力将半导体吸收的光能转化为化学能，可潜在大幅提高人工光合作用的效率和特异性生产复杂化合物的能力，为光驱生物制造技术提供新的路径。然而，半导体材料吸收光能产生的是电子，细胞利用的能量为生物能（ATP和(NADP)H），因此必须将电子转化为生物能才能实现新技术路径。由于细胞膜磷脂双分...
2023年7月11日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司（以下简称“长光华芯”）在2023慕尼黑上海光博会举办“氮化镓激光器产业化项目”签约发布仪式。
28项电子元器件相关专利荣获第二十四届中国专利奖
电子元器件 专利 中国专利奖
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2023/11/12
2023年7月21日，国家知识产权局发布《第二十四届中国专利奖获奖名单》，根据《中国专利奖评奖办法》，第二十四届中国专利奖共评选出中国专利金奖获奖项目29项，中国外观设计金奖获奖项目10项，中国专利银奖获奖项目60项，中国外观设计银奖获奖项目15项，中国专利优秀奖获奖项目777项，中国外观设计优秀奖获奖项目45项，其中有28项电子元器件相关专利进入获奖名单。
华南理工大学广州国际校区全面交付暨集成电路学院揭牌仪式举行（图）
华南理工大 广州 集成电路
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2024/4/26
2023年7月16日上午，华南理工大学广州国际校区全面交付暨集成电路学院揭牌仪式举行。华南理工大学党委书记章熙春、校长张立群，省政府副秘书长许典辉，省教育厅厅长朱孔军，广州市副市长江智涛，中国科学院院士、香港大学原校长郑耀宗，番禺区委常委、常务副区长麦洁萍，学校党委副书记陶韶菁，党委副书记、纪委书记徐国正，党委副书记麦均洪，副校长朱敏、李正、徐向民、晋刚，越秀集团党委副书记、总经理林昭远，越秀地产...
中国科学院物理研究所实现超快可编程的二维原子晶体同质结（图）
二维原子晶体 光电子学 电子器件
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2023/8/15
二维原子晶体具有带隙可调控、高迁移率、低介电常数和新奇的自旋、能谷等特性，利用二维原子晶体的这些优异特性，可研制面向下一代的信息功能器件，从而构建集成电路。 p-n结作为现代电子学和光电子学中最基本的单元器件，如何构筑二维原子晶体p-n结对于未来发展基于二维晶体的电子器件具有重要研究意义。过去研究者们通过二维 p型和n型半导体的范德瓦尔斯堆叠构筑异质p-n结，或者采用局部分立栅极调制、铁电极化和半...
2023年7月10日，由苏州矩阵光电有限公司投资建设的基于化合物半导体的集成式磁传感芯片项目奠基开工。
上海微系统所等实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
上海微系统所 六方氮化硼 光电子学器件
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2023/7/16
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
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2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
南京大学电子学院在二维半导体的氧化动力学研究上取得进展（图）
二维半导体 氧化动力学 南京大学电子学院
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2024/5/6
二维半导体在后硅电子学、扭角物理、能谷电子学等领域具有广阔的应用前景。然而，原子级厚度这一特征也使得二维半导体的环境稳定性普遍较低，人们对其氧化动力学仍缺乏精准的定量理解。主要的研究挑战在于：1）缺乏高效率的表征技术； 2）影响材料老化的参数较多，系统研究的工作量巨大。迄今，大多数研究依赖于微区表征技术，如拉曼光谱、原子力显微镜或透射电子显微镜，通常而言这些技术的检测空间有限、表征效率低下、或者难...
宁波材料所在复杂机电系统的集成优化设计方法上取得进展（图）
机电系统 集成优化 动态模型
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2023/7/13
相比序列式设计方法，集成优化设计方法可以加速复杂系统的迭代设计流程，获得更好的整体性能。将装备的机械、电气和控制参数集总到动态模型的反馈增益矩阵中，并运用最优控制理论进行设计，可以使产线在局部快速重构下保持最优性能。但受机械结构、驱动方案、控制器架构等因素影响，动态模型的反馈增益矩阵存在结构约束，无法运用黎卡提方程来求解，制约了最优控制理论在系统集成优化设计中的应用。
中国科学院宁波材料技术与工程研究所等在热激子-深红光OLED材料领域取得进展（图）
热激子 深红光 OLED材料
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2023/7/10
凭借轻巧、灵活和自发光等优点，有机发光二极管（OLED）被广泛认为是主流的第三代显示技术。而有机电致发光材料是OLED的关键组分之一。能够通过高能级通道迅速发生逆系统间跃迁（RISC）过程的“热激子”材料在OLED界备受关注。有研究显示，通过热激子路径可以获得理论上的100%内部量子效率（IQE）和低滚降速率。然而，红色热激子材料在聚集态和团簇态下仍不可避免地遭受聚集引起的淬灭（ACQ），导致相对...
助力数字孪生，中国原子能科学研究院实现核设施三维场仿真及实时动态展示（图）
数字孪生 核设施 三维场仿真
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2023/9/13
数字化转型是核工业高质量发展的关键内涵。加快数字中国建设，对全面建设社会主义现代化国家，全面推进中华民族伟大复兴具有重要意义和深远影响。近日，原子能院核安全研究所成功建立了基于反应堆厂房内的三维辐射场仿真及实时动态展示方法，可用于在核设施场所内开展设计优化和预测、辐射安全评估、应急响应演练、教育培训等工作，有力提升了现场辐射防护的智能化、安全化水平，为设施运行、检测维修和应急过程中的人员剂量管理，...
中国科学院微电子研究所在Chiplet热仿真模型及工具研究中获进展（图）
Chiplet 热仿真模型 工具研究
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2023/7/7
后摩尔时代，依靠缩小尺寸提升器件集成度的硅基CMOS技术面临物理原理和工艺技术的挑战。具有高性能、低功耗和低成本优势的Chiplet技术成为延续摩尔定律的重要选择之一。该技术利用先进封装工艺，将多个异构芯片集成为特定功能的系统芯片，从而满足人工智能等领域的应用需求。然而，由于Chiplet异构集成密度大幅增加，热耗散问题对异构系统的可靠性造成挑战。如何针对Chiplet异构集成系统的复杂性，提出新...