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湖南科技学院信息工程学院黄堂森副教授（图）
湖南科技学院信息工程学院 黄堂森 副教授 微波光子学 认知无线电 网络安全
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2024/4/27
黄堂森，男，汉族，1980年9月生，湖南邵阳人，2007年7月参加工作，2010年11月加入中国共产党，桂林电子科技大学信号与信息处理专业毕业，工学硕士，副教授。
全知觉，南昌大学未来技术学院副研究员，南昌大学材料科学研究所所长，从事专业领域：半导体材料与器件、半导体物理。在研国家基金项目简介：氮化镓基发光二极管中 V 坑空穴注入的研究；项目号：11674147；直接经费66万；执行年限：2017.01-2020.12.；简介：该项目主要是采用理论与实验相结合的方法，研究了LED器件中V坑对载流子输运特性的影响，建立并完善了“V坑空穴注入”物理模型；提出了“...
高江东，南昌大学未来技术学院助理研究员，从事专业领域：硅基氮化镓发光半导体材料生长与器件物理。在研基金项目简介：铟镓氮发光二极管中载流子有效复合体积的研究。简介：由于铟镓氮发光二极管中存在较强的压电极化现象，使发光区中电子与空穴复合时需额外克服较大的极化电场，造成发光效率下降；本项课题目的在于通过铟镓氮发光二极管的发射光谱分析，获得二极管发光区中电子与空穴的浓度分布信息，进而估计电子与空穴的有效复...
方文卿，男，研究员，64年生，83年毕业于复旦大学激光物理专业，88年硕士毕业于中科院安徽光学精密机械研究所—光学/新型激光器方向。有过电真空、激光器、单片机、氮化物LED、半导体厂房设计/建造/厂务、眼科工程师、MOCVD在线监测仪器开发等方面的经历；自感动手能力强，思路开阔，属赣鄱英才555工程的入选者；代表性的工作有：硅衬底LED外延的最主要发明人之一，晶能光电的最主要创始人之一；MOCVD...
南昌大学物理与材料学院硕士生导师张建立研究员
南昌大学物理与材料学院 硕士生导师 研究员 硅衬底GaN
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2023/3/30
张建立，男，湖北黄梅人。2014年毕业于南昌大学材料物理与化学专业，获工学博士学位。现为南昌大学国家工程技术研究中心研究员，教育部发光材料与器件工程研究中心主任，南昌大学“双一流”学科建设发光新材料技术方向负责人。主要从事硅衬底GaN相关研究，包括MOCVD装备研制、硅上GaN材料生长、InGaN长波段LED制备、LED材料与器件分析、多基色LED封装、LED可见光通信、Micro-LED微显示技...
方芳，女，1982年生，辽宁海城人，博士，副教授，硕士生导师。2009年7月毕业于中国科学院长春精密机械与物理研究所获理学博士学位，同年荣获中科院优秀毕业生。先后在J. Mater. Chem.，Appl. Phys. Lett. Inorg. Chem.，Phys.Chem.Chem. Phys., J. Phys. Chem. C, Nanotechnology等国际著名学刊物上以第一作者身份...
黄惠珍，1977年出生，博士，副教授，硕导。1999年毕业于南昌大学材料系无机非金属材料专业，获学士学位；2001-2006年，南昌大学材料物理与化学专业硕博连读，获工学博士学位。2019年8月受国家留学基金委资助赴英国拉夫堡大学访学一年。2006年起在南昌大学工作。2014年受聘为南昌大学“赣江青年学者”。 指导的本科生参加挑战杯竞赛，获得2016年“创青春”全国大学生创业大赛创业计划竞赛铜奖和...
王光绪，山东昌乐人，博士，研究员，南昌大学“赣江特聘教授”，国家硅基LED工程技术研究中心副主任，南昌硅基半导体科技有限公司总裁，国家重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”核心成员。入选江西省首批“青年井冈学者”，江西省百千万人才工程，南昌市十佳创新团队“硅基LED照明科技创新团队”负责人，南昌市“直接联系人才”。完成的“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”项目荣获江西省科技进步一等奖...
丁杰，工程硕士，1968年10月出生，南昌大学研究员，硕士生导师。1986-1990年本科就读于合肥工业大学，2008年8月获南昌大学工程硕士学位，2003年起在南昌大学工作，2011年3月校内调职到“国家硅基LED工程技术研究中心”从事材料科学与工程专业方向科研与教学工作。主要研究方向高端半导体装备、半导体工厂厂务及安全工程、LED工程及应用。近年来发表学术论文7篇，发表发明专利4项，主持或参与...
南昌大学物理与材料学院硕士生导师李树强研究员（图）
南昌大学物理与材料学院 硕士生导师 研究员 半导体电子材料 高功率半导体激光器 高亮度AlGaInP红黄色LED和GaN蓝绿色LED外延材料
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2023/3/29
李树强，男，汉族，1972年12月生，理学博士，研究员，江西省千人计划专家，国家科技部重点研发计划项目课题负责人。1999年至2016年在山东大学工作，2016年起在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心工作。主要研究方向：Ⅲ-Ⅴ族半导体电子材料外延生长、管芯制备和器件制作工艺和技术研究，具有开发高功率半导体激光器、高亮度AlGaInP红黄色LED和GaN蓝绿色LED外延材料、芯片和器件实战经历。...
莫春兰博士，1976年出生，南昌大学研究员，硕士生导师。1998-2006年本硕博均毕业于南昌大学，2001年起在南昌大学工作。主要从事半导体发光材料与器件的研究。参与和主持国家重点研发项目、国家自然科学基金等10余项；发表论文20余篇，获授权专利近10余项。
王小兰博士，1977年出生，南昌大学副研究员，硕士生导师。2007年博士毕业于中科院半导体所，2011年起在南昌大学工作。主要研究方向聚焦于GaN相关材料与器件研究。参与和主持国家重点研发项目、国家自然科学基金等10余项，发表论文30余篇，获授权及申请专利近10项。
南昌大学物理与材料学院吴小明副研究员（图）
南昌大学物理与材料学院 副研究员 吴小明 高功率硅衬底GaN基绿光及黄光LED芯片研发 高功率AlGaInP红光LED芯片研发 MicroLED芯片技术研发；
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2023/3/29
吴小明，南昌大学物理与材料学院副研究员，出生年月:1985年6月18日性别:男籍贯:江西新余。华中科技大学材料成型与控制工程本科生2003.9-2007.7，中国人民大学经济思想史硕士研究生2007.9-2009.7，南昌大学(国家Si基LED工程技术研究中心)半导体发光材料与器件博士研究生2010.9-2014.12(导师:江风益院士)。主持开发的“高光效AlGaInP基红光LED芯片制造技术”...
郑畅达博士，1979年出生，南昌大学副研究员，硕士生导师。2001年本科毕业于景德镇陶瓷学院热能与动力工程专业，2014年博士毕业于南昌大学材料物理与化学专业；参与/主持国家及江西省重大专项、国家及江西省自然科学基金等10余项；发表论文50余篇，获授权及申请专利5项。
全知觉博士，1977年出生，南昌大学研究员，硕士生导师，南昌大学材料科学研究所所长，科技部重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”、“全国教育系统先进集体”核心成员，南昌大学国家“双一流”学科特区InGaN光伏新材料子方向负责人。1999年与2002年毕业于中北大学分获学士、硕士学位；2007年1月毕业于中国科学院上海技术物理研究所获理学博士学位，荣获2006年度上海－应用材料研究与发展基金研究...