搜索结果: 136-150 共查到“凝聚态物理学”相关记录6133条 . 查询时间(0.402 秒)
本发明涉及一种大尺寸胍基四氟硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途，该晶体分子式为CN3H6BF4，分子量为146.90，属于三方晶系，空间群为R3m，晶胞参数为a=7.4445(4)?，b=7.4445(4)?，c=9.1025(9)?，α=90.00°，β=90.00°，γ=120.00°，Z=3，V=436.88(5)；该晶体的透过范围为190?2450 nm，双折射率为0.12@546 nm，采...
本发明涉及一种硒镓镁钠中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为NaMg3Ga3Se8，分子量为936.76，结晶于六方晶系，空间群为P，晶胞参数为a=17.5765(4)?，b=17.5765(4)?，c=3.88110(10)?；α=90°，β=90°，γ=120°，V=1038.36(5)?3。硒镓镁钠为浅黄色的柱状晶体，晶体结构由[GaSe4]、[MgSe6]和[NaSe9]...
本发明涉及一种硒锗镁钠中远红外双折射晶体及制备方法和应用，该晶体的化学式为NaMgGeSe3，分子量为356.77，结晶于三方晶系，空间群为P1m，晶胞参数为a=b=6.6594(4)，c=7.5305(5)，α=β=90°，γ=120°，单胞体积为289.22(4)?3。采用高温固相法及坩埚下降法在密闭的真空石英管内制成，该晶体为单轴晶体，双折射率在0.398?0.719之间。具有较大的双折射率...
本发明涉及一种硫硅镉铷红外非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Rb2CdSi4S10，分子量为716.29，结晶于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为a=18.6378(6)?，b=9.1309(3)?，c=10.6136(3)?；α=β=γ=90°，V=1806.22(10)?3，具有非中心对称结构的无色透明晶体，以[CdS4]、[SiS4]四面体和[RbS8]、[RbS10]多...
本发明提供一种化合物羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为(NH4)2B3O3F4(OH)，分子量为209.52，采用水热法或室温溶液法制成，属于单斜晶系，空间群为，晶胞参数为，，，，，，单胞体积为1603.7(12)?3,采用水热法或室温溶液法生长晶体，通过该方法获得的(NH4)2B3O3F4(OH)双折射晶体，紫外截止边低于200 nm，双折射率为0.049@1064 ...
本发明涉及一种化合物氟硼酸铵铷和氟硼酸铵铷非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为(NH4)xRb2?xB8O12F2（0＜x＜2)，采用真空封装法制备；该晶体化学式为(NH4)xRb2?xB8O12F2（0＜x＜2)，属于正交晶系，空间群为，单胞参数为；采用真空封装法，室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边低于190 nm。非线性光学效应约为KH2PO4（KDP）的1.2?2...
本发明提供一种化合物氟化硼酸钠和氟化硼酸钠双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，属于单斜晶系，空间群为，晶胞参数为，，，，，，单胞体积为1076.84(16)?3，紫外吸收边为168 nm，双折射率为0.124@1064 nm。采用熔体法，高温熔液法，真空封装法，水...
上海高研院在唯一性相位恢复成像方面取得突破性进展（图）
X射线晶体学 天文学成像
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2024/1/16
中国科学院上海高等研究院（以下简称“上海高研院”）王中阳研究团队在唯一性相位恢复成像基础方面取得突破性进展，提出了一种基于双面约束的唯一性相位恢复成像方法。相关研究成果以“Unique phase retrieval with a bandlimited image and its Fourier transformed constraints”为题发表在美国光学学会期刊《Journal of t...
中国科学院物理所在异核费米体系的四聚体超流理论研究中获进展（图）
凝聚态理论 激子半导体
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2023/12/1
费米超流是凝聚态物理的一项核心研究内容。从本质上来看，费米超流与玻色凝聚是相通的，都具备非对角长程序，因此在费米体系中实现超流的一个基本思路就是将偶数个费米子结合成一个复合玻色子，然后使之凝聚。BCS理论就是一个经典的例子：两个不同自旋的费米子因吸引作用结合成库珀对再凝聚。这种超流是由费米子之间的两体关联效应所导致的物理现象。基于此，一个十分有趣且富有挑战性的问题是，能否突破BCS理论框架来实现一...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管及其加固方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 负衬底偏压 n型鳍式 场效应晶体管
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2023/11/30
本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法，属于半导体器件抗辐射技术领域，包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加，调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管，在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源，提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程，施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压，使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 纳米工艺 晶体管 辐射效应
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2023/11/30
本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取、在线测试数据处理的步骤。本发明仅进行一个偏置电压的电流测试即可获得器件阈值电压信息，进而实现纳米工艺晶体管的高采样率测试。解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：化合物硫锡锶和硫锡锶红外光学晶体及制备方法和应用
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 硫锡锶 硫锡锶 红外光学晶体
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2023/11/30
本发明提供化合物硫锡锶和硫锡锶红外光学晶体及制备方法和应用。所述化合物的化学式为Sr2SnS4，分子量为422.17，为硫锡锶单晶颗粒，该晶体的化学式为Sr2SnS4，分子量为422.17，具有两个相，均属于正交晶系，空间群分别为（命名为）和（命名为），其中，晶胞参数为，单胞体积为758.78(4)Å3；晶胞参数为，单胞体积为745.13Å3。采用高温熔融自发结晶法制成。基于H...
直接响应环境的混合生物晶体管问世（图）
直接响应环境 混合生物 晶体管
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2023/12/12
你的手机微处理器芯片中，其实装有超过150亿个微型晶体管。晶体管由硅、金和铜等金属以及绝缘体制成，它们共同吸收电流并将其转换为1和0，以传输和存储信息。晶体管材料是无机的，基本上来自岩石和金属，但现在美国塔夫茨大学研究团队在制造晶体管时首次用生物丝取代了绝缘材料。研究成果发表在新一期《先进材料》上。
托萨蒂·埃瑞奥，男，意大利国籍，凝聚态物理学家。1970年获得意大利比萨高师博士学位。意大利国家科学院院士，美国科学院外籍院士。联合国教科文组织与意大利政府联合成立的国际理论物理中心（ICTP）凝聚态物理部创始人之一和意大利国际高等研究院（SISSA）凝聚态物理研究部创始主任。
