搜索结果: 1-15 共查到“晶体学”相关记录1225条 . 查询时间(0.402 秒)
中国科学院高能物理研究所北京同步辐射装置助力多主元合金材料研究取得新进展（图）
辐射装置 合金材料 晶体
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2024/4/18
2024年1月3日，北京同步辐射装置（BSRF）用户北京工业大学韩晓东教授团队在《Nature》杂志上发表题为“Negative mixing enthalpy solid solutions deliver high strength and ductility”的研究论文，报道了多主元合金在变形过程中位错密度随变形量的演化信息，定量研究了材料的统计位错密度，揭示了材料强韧化机理。作为论文的共同...
中国科学院物理研究所Ta2Pd3Te5中激子绝缘态证据（图）
激子绝缘 耦合 晶体
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2024/4/16
材料中电子和空穴通过吸引库伦相互作用形成束缚电子－空穴对，被称为激子。在窄带隙半导体或半金属（带隙为负）中，当激子束缚能超过带隙，在足够低的温度下激子会发生凝聚，形成一类奇特的关联绝缘基态——激子绝缘体态。激子绝缘体的概念在半个世纪前就已经被提出，但在真实材料中是否存在一直是争论的话题。激子凝聚过程中电子态对称性破缺，通过电子－晶格耦合引起晶体对称性破缺，导致电子和晶格不稳定的共存。目前仅有很少的...
上海高研院有机多孔晶体催化研究取得新进展（图）
有机 晶体 催化
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2024/4/14
2024年3月12日，中国科学院上海高等研究院（以下简称“上海高研院”）纳孔构型的分离与能源转化团队（SECOND）团队在共价有机框架非金属催化剂的氧还原方向的研究取得进展，研究成果以“Solvent Effects on Metal-free Covalent Organic Frameworks in Oxygen Reduction Reaction”为题发表在Angew Chem Int ...
上海高研院大科学装置用户发现一种植物新型免疫激活机制（图）
植物 免疫 蛋白晶体
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2024/3/16
2024年2月16日，国家蛋白质科学研究（上海）设施支持清华大学/西湖大学用户柴继杰教授团队与其合作单位南京农业大学王源超教授团队发现了一种植物新型免疫激活机制，揭示了植物多聚半乳糖醛酸酶抑制蛋白（Polygalacturonase-inhibiting protein, PGIP）特异性识别病原菌果胶多聚半乳糖醛酸水解酶（Polygalacturonase, PG）并劫持其酶活性来触发植物先天免...
中国科学院物理研究所通过界面缓冲层控制实现单层MoS2单晶晶圆（图）
界面 半导体器件 晶体
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2024/3/16
随着芯片制程的发展和晶体管尺寸的持续微缩，传统硅基半导体器件达到了物理极限，面临着性能与功耗的瓶颈。以MoS2为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、表面原子级平整且无悬挂键、高本征迁移率、强的栅控能力，是解决当前晶体管微缩瓶颈，及构筑速度更快、功耗更低、亚10 nm 高性能半导体芯片的一类战略新材料。国际半导体联盟在2015年的技术路线图（International Technology R...
中国科学院金属研究所压力可控储热技术取得新进展（图）
相变 储热材料 晶体
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2024/3/18
热无处不在，全球约72%的初级能源转化后主要以热耗散的形式释放。传统相变储热材料完全依赖于环境温度，存在本征热耗散的弊端，导致其放热过程被动、不可控，应用场景受限。因此，热能在非温度外场条件下的有效调控一直是能源领域的一项重要挑战。开发可控储、放热新技术，对于提高能源利用率以及解决碳排放问题意义重大。
中国科学院青岛能源所开发出用于CO2高效还原的Cu基双钙钛矿电催化剂（图）
钙钛矿 电催化剂 晶体
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2024/3/18
利用可再生能源将CO2电催化转化为高值产物是实现“双碳”目标的重要途径。在CO2还原的众多产物中，CH4由于能量密度高、绿色清洁、存储运输基础设施完善等特点受到广泛研究关注。Cu基催化剂在电催化CO2还原制CH4方面具有广阔的应用前景，但受限于复杂的反应过程及活性结构坍塌，仍面临着CH4选择性不理想、稳定性差等问题。
本发明涉及一种挥发性有机化合物分析仪器，具体地说，涉及一种便携式具有自清洁式内循环气路的石英晶体微天平分析装置。该装置包括石英晶体微天平或石英晶体微天平阵列，带有热解析装置的吸附阱，三通阀，气体循环泵和抽气泵。通过三通阀通断，可以实现基线内循环与检测内循环气路的切换。本发明与现有技术相比，具有体积小、结构紧凑、集成化程度高，易于批量生产与便携，维护成本低、适于户外在线监测VOCs，提高检测灵敏度等...
中国科学院金属研究所专利：一种制备定向纳米孪晶的方法
中国科学院金属研究所 专利 定向 纳米孪晶
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2024/1/30
本发明涉及纳米孪晶技术,具体为一种制备定向纳米孪晶的方法。处理方法 为脉冲电流处理,放电周期1μs～500μs,最大峰值电流密度103～105A/mm2,单个 脉冲的持续时间1μs～10000μs。本技术的特点在于：脉冲电流处理过程中,材料 经过固-固相变点；脉冲电流处理后的材料具有与电流方向平行的定向纳米孪晶结 构。
上海高研院新型膜材料快速海水淡化研究取得进展（图）
海水淡化 框架晶体膜
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2024/3/3
中国科学院上海高等研究院（以下简称“上海高研院”）纳孔构型的分离与能源转化团队在共轭框架晶体膜超快海水淡化方面的研究取得重要进展，相关成果以“Alkadiyne-pyrene conjugated frameworks with surface exclusion effect for ultrafast seawater desalination”为题发表在Journal of the Amer...
美国科研人员首次在三维晶体中捕获电子
三维晶体 捕获电子 美国麻省理工学院
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2024/1/17
美国麻省理工学院的科研人员首次在三维晶体中捕获了电子，实现了电子“平带”状态。这种特定的三维晶体结构允许电子在相同能态中移动，而不是在原子之间跳跃。通过改变晶体中原子种类，可操纵这些“平带”使其进入超导状态。该研究成果发表在《Nature》上。
中国科学院物理研究所从预测模型到真实结构—直接法在蛋白质晶体结构解析中的新应用（图）
蛋白质 晶体结构 解析
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2024/3/16
高精度结构预测工具AlphaFold的出现，使得科学家可以通过计算机直接窥探生命基本物质—蛋白质及其复合物的基本构型，这就为蛋白质功能的研究、药物的筛选、以及蛋白质的从头设计，提供了不可估量的帮助。然而，预测从来不可能脱离实验而单独存在，特别是对于一些困难的案例，如超大复合物、长螺旋结构等，如何迈过这万里长征的最后一步，仍然是当前的热门话题。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 负温度系数 单晶硅 热敏电阻
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2024/1/11
本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K...
中国科学院物理研究所晶圆级立方碳化硅单晶生长取得突破（图）
碳化硅 晶体 光谱测量
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2024/1/13
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展...
中国科学院微电子所在IGZO 2T0C DRAM多值存储领域取得重要进展（图）
电路 器件 晶体
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2024/2/28
IGZO薄膜晶体管（TFT）由于其极低的关态电流、较高的迁移率和低温工艺，在新型DRAM的应用中备受关注。与传统的硅基1T1C DRAM相比，IGZO 2T0C DRAM具有能够实现多值存储的优势，该优势可提高各个单元的有效存储密度。但目前基于该方面的研究仅实现了单个存储单元的多值存储功能验证，以及多个单元间SN电压的均一性，仍需要较为复杂的外围电路来解决读取晶体管之间阈值电压变化的问题。