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2021年10月8日，经过多年筹划和努力，北京同步辐射装置4WB-X射线荧光微分析实验站的新von Hamos谱仪调试成功，可开展1.5-15keV能区的相关元素的vtc-X射线发射谱实验。该谱仪的核心光学部件是在国际上首次实现的基于Si单晶的全柱面分析晶体。该分析晶体由荧光站团队自主创新研制，其中分析晶体压粘由荧光站郭志英副研究员完成，光学设计由光学组贾全杰副研究员完成，概念及物理设计和组织实施...