工学 >>> 材料科学 >>> 材料科学基础学科 >>> 材料力学 相图与相变 材料的组织、结构、缺陷与性能 金属学 陶瓷学 高分子材料学 材料科学基础学科其他学科
搜索结果: 1-15 共查到材料科学基础学科 Si-C-O相关记录54条 . 查询时间(0.114 秒)
中国科学院化学研究所专利:一种Si-C-O微纳米多孔陶瓷及其制备方法
以有机材料作为空穴传输层的Si/有机杂化太阳能电池由于其器件结构与制备工艺的不断优化,在短期内实现了理论探究与合成应用的快速增长。但有机材料具有的导电性低和复合界面间稳定性差等缺点,严重影响了复合器件的光电转化效率和使用寿命,阻碍了异质结太阳能电池的技术发展与市场应用。在Si/有机杂化太阳能电池领域,聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)是目前为止效果最佳的有机半导体。PED...
设计了一种低应力下容易发生ε马氏体转变的Fe-17Mn-6Si-0.3C高Si高Mn钢. 采用OM, XRD和TEM研究了高Si高Mn钢和传统高Mn钢在静态拉伸和动态冲击时的力学性能及组织演化. 结果表明: 静态拉伸下高Si高Mn钢比传统高Mn钢具有更高的加工硬化速率; 动态冲击下高Si高Mn钢的表面硬度高于传统高Mn钢, 而冲击变形量却显著低于传统高Mn钢.高Si高Mn钢变形时应力诱发ε马氏体转...
借助显微硬度测试、电导率测试、浸泡腐蚀实验、SEM, TEM和元素面扫描, 研究了T6和T78时效工艺对Al-0.75Mg-0.75Si-0.8Cu(质量分数, %)合金显微结构和性能的影响. 结果表明, 实验合金在T6峰值时效(180 ℃, 8 h)时, 硬度为128.3 HV, 电导率为27.3~106 S/m. 在T6(180 ℃, 5 h)基础上, 分别进行温度为195, 205和215 ...
采用扫描电镜和紫外-可见分光光度计研究了Ag粒子在小团聚条件下辅助化学刻蚀Si过程中,刻蚀剂HF和氧化剂H2O2的体积比对刻蚀孔隙结构和刻蚀速度的影响.结果表明,HF和H2O2的体积比对刻蚀Si中的孔隙生长速度和形貌有明显的影响,HF和H2O2的摩尔分数ρ=[HF]/([HF]+[H2O2])过低或过高均不利于孔隙的生长.当60%<ρ<80%时, Si可获得快速刻蚀, 刻蚀速度为1050—1260...
将C含量(质量分数)分别为0.05%和0.4%的Fe-C-Mn-Si钢进行等温处理得到贝氏体组织, 采用EBSD技术对奥氏体共格孪晶界上形成的贝氏体铁素体变体进行分析. 结果表明, 2种钢中的贝氏体铁素体与母相奥氏体均成近似K-S取向关系. 奥氏体孪晶界两侧形成取向相同的变体对.此变体对形成后, 孪晶界基本不再显现. 晶体学分析表明, 共格孪晶界两侧可能出现的变体对最多不超过3组, 且这3组变体对...
在熔炼过程中以铝钇中间合金形式加入稀土Y元素,研究了0~0.45%范围内不同Y加入量对AlMgSi系铝合金铸态组织、导电性能及高温蠕变抗力的影响。结果表明:经过适量稀土Y微处理后的合金材料具有细小均匀的铸态组织,平均晶粒尺寸维持在50μm左右,材料的导电能力得到一定程度的改善,最佳电导率比原来增加4%,实验材料的热稳定性显著增强,高温下的硬度、抗拉强度分别比原来提高30%和25%。
Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究     GaN  Si衬底  位错  TEM       < 2013/11/8
本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进...
分别在未施加偏压和施加-100 V偏压条件下, 利用磁控溅射技术在压气机叶片用 1Cr11Ni2W2MoV热强不锈钢基体上沉积了Ti0.3Al0.7N和Ti0.39Al0.55Si0.05Y0.01N硬质涂层. 实验结果表明, 施加偏压及Si和Y掺杂明显改变了涂层的相结构, 提高了涂层致密度, 施加-100 V偏压且添加Si和Y的涂层为非晶结构, 表面更加均匀致密. 950 ℃氧化实验表明: Ti...
为了寻求Nb合金的强度和塑性的平衡,设计了以Nb基固溶体Nbss为主导相的Nb-xSi-6Hf-4Zr-2B-yTi(x=4,8;y=10,30;原子分数)合金,研究了Si和Ti对合金组织和室温力学性能的影响。结果表明,合金由Nbss、Nb3Si和Nb5Si3等3相组成。4Si-(10,30)Ti合金铸态组织是Nb枝晶和分布在枝晶间的硅化物(Nb3Si和Nb5Si3),8Si-(10,30)Ti...
研究了低成本制备技术反应熔渗方法制备的SiC/MoSi2和SiC/Mo (Si, Al)2复合材料高温氧化行为。表面氧化物的形态和氧化增重的研究结果表明,所制备复合材料高温氧化3 h 后即发生钝化现象,继续在500℃再进行低温氧化试验,发现限制该材料使用的“Pest”现象消失。其中渗铝复合材料SiC/Mo (Si, Al)2高温增重较渗硅SiC/MoSi2严重。当后者中形成的 SiC增强相全部为原...
Purpose: of this paper is to extend a complex evaluation of magnesium alloys which requires very often knowledge of structure and mechanical properties at elevated temperatures. These properties are c...
Purpose: Determine the possibility of production of CrSi compacts from Cr and si elemental powders. Design/methodology/approach: The CrSi compacts containing 0.5, 1, 2, 3, at. % of Si were prepared ...
利用基于Stillinger--Weber(SW)势函数的分子动力学方法分析了Si中30o部分位错和单空位(V1)的相互作用. 不同温度、剪应力作用下的计算结果表明, 在温度恒定条件下, 剪应力较小时, V1对位错有钉扎作用; 当施加的剪应力达到临界剪应力时, 位错脱离V1的钉扎继续运动, 并且将V1遗留在晶体中; 随温度的升高, 临界剪应力近似线性下降. 通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置...

中国研究生教育排行榜-

正在加载...

中国学术期刊排行榜-

正在加载...

世界大学科研机构排行榜-

正在加载...

中国大学排行榜-

正在加载...

人 物-

正在加载...

课 件-

正在加载...

视听资料-

正在加载...

研招资料 -

正在加载...

知识要闻-

正在加载...

国际动态-

正在加载...

会议中心-

正在加载...

学术指南-

正在加载...

学术站点-

正在加载...