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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究 RADFETs 质子辐照 γ剂量标定陷阱电荷分离 < 2022/3/15

针对辐射敏感晶体管（RadiationSensitiveField-EffectTransistors，RADFETs）在地面标定使用60Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题，进行了10MeV质子和60Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中带电压法（Mid-gapTechnique，MGT）和电荷泵法（ChargePumping，CP）对器件辐照过程中的氧化物陷阱电荷...