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近年来，第三代半导体材料氧化镓由于其超大的禁带宽度（~4.9 eV）和超高的击穿场强（~8 MV/cm），在深紫外光电器件和高功率器件领域一直受到大家的广泛关注。但是目前实验室制备的氧化镓电子器件性能还远低于其应用需求，主要是由于其较低的载流子迁移率和较强的激子结合能。为了进一步提升氧化镓光电器件的性能，研究者通常通过构建氧化镓/二维材料异质结界面，借助二维材料超高的载流子迁移率和优异的光学吸收来...
四川大学空天学院黄崇湘教授团队在国际顶级期刊Materials Today上发表论文——在金属材料界面力学行为方面取得重要进展（图）
四川大学空天学院 黄崇湘 教授 Materials Today 金属材料 力学
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2018/5/14
近日，我校空天学院黄崇湘教授团队与美国北卡罗莱纳州立大学朱运田教授、布朗大学高华健教授等团队合作在金属材料界面力学行为方面取得重要进展，相关成果“Interface Affected Zone for Optimal Strength and Ductility in Heterogeneous Laminate”在线发表于材料领域国际顶级期刊Materials Today上（2017年影响因子2...
四川大学黄崇湘教授团队在国际顶级期刊Materials Today上发表论文——在金属材料界面力学行为方面取得重要进展
四川大学 黄崇湘 教授 国际顶级期刊 Materials Today 金属材料 界面力学行为
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2018/6/20
近日，我校空天学院黄崇湘教授团队与美国北卡罗莱纳州立大学朱运田教授、布朗大学高华健教授等团队合作在金属材料界面力学行为方面取得重要进展，相关成果“Interface Affected Zone for Optimal Strength and Ductility in Heterogeneous Laminate”在线发表于材料领域国际顶级期刊Materials Today上（2017年影响因子2...