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中国科学院微电子研究所专利：一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
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2022/10/4
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...