搜索结果: 1-15 共查到“工学 GaN基”相关记录34条 . 查询时间(0.072 秒)
中国科学院半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器（图）
紫外激光器 氮化镓基材料 电流
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2024/4/22
氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成，材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大，是国际半导体激光器领域研究的难点，受到了国内外的极...
航天舱内LED照明用GaN基外延薄膜材料与器件特性研究。
中国科学院微电子研究所专利：一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
氮化镓（GaN）器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域。相比于横向器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度、更好的动态特性、更佳的热管理及更高的晶圆利用率，近些年已取得了重要的进展。而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率器件更是吸引了国内外众多科研团队的...
山东大学“稷下风”学术论坛-王幸福：新型GaN基微纳结构及光电器件。
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
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2023/7/18
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
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2022/10/4
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...
氮化镓（GaN）材料被称为第三代半导体材料，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。其中GaN基紫外半导体激光器具备波长短、光子能量大的特点，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化和短距离光通信等领域具有重要应用，一直是国际相关领域的研究热点和技术难点。但由于该激光器是基于大失配异质外延材料技术制备而成，导致其缺陷多、发光效率低，器件研制难度大。
近日，孙文红教授领导的光电材料与器件研究团队在GaN基衬底调制无铅铁电薄膜的电卡效应研究方面取得重大突破，研究论文以“Pure negative electrocaloric effect achieved by SiN/p-GaN composite substrate”为题被国际顶尖学术期刊《Nano Energy》杂志接收发表。
中国科学院半导体研究所研制出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外激光器（图）
中国科学院半导体研究所 氮化镓 GaN 大功率 紫外激光器
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2022/9/27
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队研制出氮化镓（GaN）基大功率紫外激光器，室温连续输出功率2W，电注入激射波长384 nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
中国科学院半导体所研制出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外激光器（图）
紫外激光器 集成光电子学
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2023/7/7
半导体所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队研制出氮化镓（GaN）基大功率紫外激光器，室温连续输出功率2W，电注入激射波长384 nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
顶部反射镜对GaN基共振腔发光二极管性能的影响研究
GaN基RCLED 高反膜结构DBR 滤波器结构DBR 单纵模发光
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2022/3/11
本文在GaN基共振腔发光二极管(RCLED)顶部设计制备了高反膜结构分布式布拉格反射镜(DBR)和滤波器结构DBR，对比分析了两种反射镜的反射率曲线特征以及对应的RCLED器件的光输出纵模模式、光谱线宽和输出光强等性能差异，详细研究了顶部反射镜的光反射特性对RCLED器件输出光谱性能的影响机理。研究结果表明，顶部反射镜是RCLED的重要组成部分，其反射率曲线特征决定器件的光输出性能。常规高反膜结构...
氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高电流密度、高开关速度和低导通电阻等优点，受到人们的广泛关注，使得GaN基HEMT器件成为下一代功率器件强有力的竞争者。然而，GaN器件与传统Si基器件不同,很难通过热氧化的方法获得低界面态密度的绝缘介质层。因此，如何降低界面态密度已经成为GaN基器件研究和应用的挑战之一。