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本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管及其加固方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 负衬底偏压 n型鳍式 场效应晶体管
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2023/11/30
本发明涉及一种基于负衬底偏压的n型鳍式场效应晶体管加固方法，属于半导体器件抗辐射技术领域，包括辐照前衬底偏置电路搭建、辐照中施加负衬底偏置电压抑制辐射损伤、随着辐照剂量的增加，调整负衬底偏置电压的步骤。还涉及一种n型鳍式场效应晶体管，在衬底端口与集成电路地电位之间设置电压源，提供负偏置电压。本发明不改变晶体管器件的工艺流程，施加负衬底偏压提升晶体管阈值电压，使关态漏电流与初始值之差小于1个数量级，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 鳍式场效应 晶体管总剂量 辐射效应 模型构建
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2023/11/30
本发明涉及一种鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应模型构建方法，包括鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应晶体管构建、寄生晶体管沟道电流方程构建、开展鳍式场效应晶体管总剂量辐射效应试验、模型参数提取的步骤。本发明的理论基础是总剂量辐射效应在鳍式场效应晶体管隔离氧化物内产生氧化物陷阱电荷，减小寄生晶体管阈值使其提前导通，导致鳍式场效应晶体管亚阈值电流上升。本发明依据辐射损伤物理机理提出参数退化方程，退化方程中的参...
