搜索结果: 1-15 共查到“镥”相关记录17条 . 查询时间(0.051 秒)
本发明涉及一种硼酸钾镥非线性光学晶体及其制备方法和用途，该晶体的化学式为K3Lu2B3O9，分子量643.67，空间群为Pna21，晶胞参数为a=8.469(2) Å，b=9.347(3) Å，c=11.819(3) (4) Å，Z=4，V=935.6(5) Å3，莫氏硬度为4‑5。采用助熔剂法生长晶体，该晶体具有至少厘米级的大尺寸，该晶体具有制...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备镥硅氧氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 镥硅氧氮 陶瓷材料
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2023/9/7
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧氮(Lu4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。以氧化镥粉(Lu2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应合成单相的Lu4Si2O7N2粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 镥硅氧粉体陶瓷材料
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2023/9/7
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料的方法。其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3:SiO2=1：(0.8~1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料,所制备出的Lu2SiO5粉体陶瓷材料具有高熔点、颗粒细小...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 镥硅氧块体 陶瓷材料
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2023/9/6
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)块体陶瓷材料的方法。该方法用一定化学计量比的氧化镥粉和二氧化硅粉作为原料,经过球磨机球磨5~50小时,将混合均匀的原料装入石墨模具中,以5~20MPa的压力冷压成型,在通有保护气体(Ar)的热压炉中以2~15℃/min的升温速率加热至1400~1650℃,升温过程的同时加压15~40MPa,原位反应1~3小时,降温...
中国科学院高能物理研究所专利：一种纳米级硅酸镥闪烁粉体的制备方法
中国科学院高能物理研究所 专利 纳米级 硅酸镥 闪烁粉体
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2023/8/9
中国科学院高能物理研究所专利：一种纳米级硅酸镥闪烁粉体的制备方法
中国科学院福建物质结构研究所专利：铌镥酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷材料
EMA建议批准氯化镥(177lu)的上市许可（图）
EMA 氯化镥 177lu 上市许可
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2023/3/10
2022年7月21日，欧洲药品管理局(EMA)人用医药产品委员会(CHMP)通过了积极的意见，建议授予放射性药物前体氯化镥(177lu)医药产品的销售许可。Illuzyce不打算直接用于患者，必须仅用于放射性标记载体药物，该载体药物已专门开发并授权使用氯化镥(177Lu)进行放射性标记。
ITM同位素技术慕尼黑SE(ITM)，一家领先的放射性药物生物技术公司，今天宣布与Y-mAbs 治疗签署其医用放射性同位素无载体添加的镥-177(n.c.a.177Lu/EndolucinBeta?)的临床供应协议。Y-mAbs是一家商业阶段的生物制药公司，专注于开发和商业化新型抗体治疗癌症的产品。根据协议条款，ITM将提供其n.c.a.177Lu，用于Y-mAbs的放射性药物候选GD2-SADA...
Eckert&Ziegler成为基于放射性核素镥-177和锕-225的临床开发候选产品的合同制造商
Eckert&Ziegler 放射性核素 镥-177 锕-225 临床开发候选产品
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2023/3/10
Eckert&Ziegler已与美国制药公司Ratio Therapeutics股份有限公司签署协议，共同开发和制造基于Lu-177和Ac-225的创新放射性药物产品。该协议涵盖经验证的生产工艺的开发以及符合GMP的临床试验产品生产。从2022年7月起，Ratio Therapeutics将使用位于美国马萨诸塞州波士顿附近的Eckert&Ziegler生产基地新建的GMP套件。
中国科学院上海硅酸盐研究所在镥铝石榴石基闪烁陶瓷性能优化研究方面取得系列进展（图）
中国科学院上海硅酸盐研究所 镥铝 石榴 石基闪烁陶瓷 性能优化
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2018/11/28
中国科学院上海硅酸盐研究所透明与光功能陶瓷研究团队通过“能带工程”和“缺陷工程”对LuAG闪烁陶瓷中浅能级缺陷的浓度和陷阱深度进行调控，设计制备的镥铝石榴石基陶瓷的闪烁性能得到了极大的提升。近期，研究员李江领导的该团队在镥铝石榴石基闪烁陶瓷的性能优化方面取得系列进展。首先通过深度氧气氛退火LuAG:Ce,Mg闪烁陶瓷以消除氧空位缺陷，同时提升Ce3+→Ce4+的转化率，从而使该陶瓷材料的闪烁效率得...
2018年7月2日，上海硅酸盐所召开硅酸钇镥（LYSO）团体标准启动会暨首次研讨会，会议正式启动了该团体标准的制定程序。会议邀请了人工晶体标准化技术委员会、上海市稀土协会、沈阳东软医疗系统有限公司、华中科技大学、中国科学院宁波材料技术与工程研究所、同济大学、中国计量大学、昆山开威电子有限公司、西北核技术研究所、南京航空航天大学、上海大恒光学精密机械有限公司、上海骋翰光学精密机械有限公司和上海硅酸盐...
中国科学院合肥物质科学研究院强磁场中心发现弱铁磁物质铁酸镥中的超高矫顽力（图）
弱铁磁物质 铁酸镥 超硬磁材料
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2012/7/31
近期，中国科学院合肥物质科学研究院强磁场中心皮雳研究员带领的小组利用稳态强磁场实验装置X射线衍射仪等测试系统，在研究弱铁磁性材料铁酸镥（LuFeO3）时发现该材料具有很强的结构各向异性，表现出超高的矫顽力。实验证明铁酸镥是一种超硬磁材料，在理论和应用方面具有重要意义。
硅酸镥γ图像转换屏荧光弥散特性研究
LSO闪烁体 荧光弥散 辐射成像
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2011/4/19
分析LSO无机闪烁晶体中荧光弥散的原理。采用蒙特卡罗方法，将荧光弥散分为γ光子在LSO闪烁体中转化为次级电子并沉积能量，以及沉积能量转换为荧光光子在闪烁体中输运2个过程进行模拟。其中，前一过程采用MCNP蒙特卡罗程序模拟，后一过程的模拟计算由自编蒙特卡罗程序实现。给出了闪烁体的点扩散函数，计算结果与刀口法实验测量得到的点扩散函数相吻合。采用该方法计算了不同入射γ射线能量和各种厚度闪烁体下的点扩散函...
硅酸镥闪烁体γ高剂量率脉冲线性响应上限测量
硅酸镥闪烁体 李萨如图形
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2009/11/3
在“强光一号”高剂量率脉冲伽马装置上，使用李萨如图形法测量了硅酸镥闪烁体的γ高剂量率脉冲线性响应上限。实验结果表明：硅酸镥闪烁体在脉冲伽马能注量率小于1.9×1019MeV/(cm2•s)时，光输出为线性;大于此限值时，出现非线性响应现象。
三光子逐步激光共振电离质谱测定镥同位素比值
激光诱导同位素歧视效应 激光共振电离质谱(RIMS) 镥
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2009/4/9
本文通过速率方程数值模拟计算和实验相结合的方法 ,研究各种激光参数对镥同位素激光诱导同位素歧视效应的影响。激光诱导同位素歧视效应主要来源于激光第二步跃迁几率的差异 ,本研究提出了减少和消除这一效应的方法。利用这一方法 ,对天然镥样品同位素比值进行测定 ,结果表明该方法可以减少LRIMS同位素分析中激光诱导同位素歧视的影响.