搜索结果: 1-15 共查到“铌”相关记录264条 . 查询时间(0.063 秒)
上海微系统所在八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术方面取得重要进展（图）
铌酸锂异质 集成 电光调制
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2024/3/16
2024年3月13日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅基材料与集成器件实验室蔡艳研究员、欧欣研究员联合团队，在通讯波段硅基铌酸锂异质集成电光调制器方面取得了重要进展。团队成员利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光芯片，然后基于“离子刀”异质集成技术（图1），通过直接键合的方式将铌酸锂与SOI晶圆实现异质集成，并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与LN电光...
用于丙烷选择氧化制丙烯酸反应的钼钒碲铌催化剂的制备，催化剂的前驱体通过旋转蒸发法获得，然后再通过两段式焙烧处理得到新鲜催化剂UR-Cata。UR-Cata经过高温下的原位反应处理后得到R-Cata，其催化性能得到很大提高。原位反应处理条件是指在反应气氛中进行，反应气的体积比V(X)/V(air)/V(H2O)=1/5~30/0~25（X为CH4、C2H6、C3H8、C4H10、C2H4、C3H6、...
上海硅酸盐所在铌酸钠基多层陶瓷电容器研究方面取得新进展（图）
铌酸钠基 陶瓷电容器 电压
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2024/3/2
随着新能源技术的逐步推广，对储能密度高、工作温度高、工作电压高、温度稳定性好的电容器的需求日益增长。2024年来，研究人员一直致力于提高铅基 (PbZrO3)、钛基( (Bi0.5Na0.5)TiO3和 BaTiO3) 和铁基 (BiFeO3) 多层陶瓷电容器的储能性能。然而，铌酸钠作为研究最广泛的无铅反铁电材料之一，铌酸钠基多层陶瓷电容器的研究却鲜有报道。
中国科学院物理所发现单带Mott绝缘体氯化铌（图）
绝缘体氯化铌 电子结构 凝聚态物理
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2024/1/12
在没有相互作用或者只存在弱相互作用的体系中，能带理论能够很好地描述材料的电子结构，并据此区分金属（部分填充）和绝缘体（全空或全满）。然而，这种理解并不完整，因为多体相互作用可能导致能带理论的失效，典型案例即为Mott绝缘体。在能带理论中，半填充的能带应表现为金属态。然而，由于强电子-电子相互作用，实际上呈现为绝缘态，即Mott绝缘体。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种超薄氢锶铋铌氧纳米片的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 超薄氢锶铋铌 氧纳米片
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2024/1/8
本发明涉及一种超薄氢锶铋铌氧纳米片的制备方法，该方法采用熔盐法合成SrBi2Nb2O9纳米片，将SrBi2Nb2O9纳米片分散到盐酸溶液中进行质子交换反应，再用超声波粉碎机械剥离质子交换后的产物，即可得到超薄H1.78Sr0.78Bi0.22Nb2O7纳米片。与传统的高温固相法方法相比，本发明使用熔盐法合成SrBi2Nb2O9纳米片，不同于传统的液相化学剥离制备超薄纳米片的方法，本发明首次采用超声...
本发明涉及一种含氧空位缺陷光催化剂锶铋铌氧的原位制备方法，该方法采用熔盐法合成SrBi2Nb2O9纳米片，然后将SrBi2Nb2O9纳米片置于H2气氛中并用紫外?可见?红外光全谱光照，即得到SrBi2Nb2O9?VO。与传统的在惰性气氛或还原性气氛中煅烧样品产生氧空位缺陷的方法相比，本发明产生氧空位缺陷的方法更加简单有效，所需成本更低，更有利于对太阳光的充分利用。该方法不仅能在催化剂上原位产生氧空...
本发明涉及一种温区和B值可调的锶、铈、铌和钨四元系热敏电阻材料及其制备方法，该材料以SrCO3、CeO2、Nb2O5和WO3为原料，经过混合研磨、煅烧、研磨、冷等静压成型、高温烧结，即可得到SrWO4‑xCeNbO4+δ热敏电阻陶瓷材料，其中0.1≤x≤0.8，其电性能参数为：B400℃/800℃=4030K‑11109K±4.5%,ρ400℃=3.37×103Ω·cm&#...
本发明涉及一种铌掺杂锰镍基负温度系数热敏电阻及其制备方法，该材料包含Mn、Ni、Nb三种元素，成分为Mn2.25Ni0.75‑xNbxO，其中x=0.01‑0.35，通过调整配方中铌元素的掺杂量，有效调节传统锰镍基二元热敏电阻材料的电阻率大小和材料常数来调节热敏电阻材料的电阻率和材料常数，通过本发明所述方法获得的铌掺杂锰镍基负温度系数热敏电阻材料具有高纯单相结构的高B低阻特...
中国科学院金属研究所专利：改善含铌低碳钢焊缝金属组织与综合性能的热处理工艺
中国科学院金属研究所 专利 含铌低碳钢 焊缝金属组织 热处理工艺
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2023/11/28
本发明属于金属材料热处理技术领域,具体为一种改善含铌低碳钢焊缝金属 组织与综合性能的热处理工艺,可使含Nb低碳钢焊缝金属获得均匀细小的铁素 体和珠光体组织,以及良好的综合力学性能。将含Nb低碳钢焊缝金属随炉快速 加热到Ac3+(20～70)℃,保温1.5小时～4小时完全奥氏体化后空冷,完成奥 氏体向铁素体和珠光体的转变。正火处理通过细化晶粒和调整析出相的方法来实 现综合力学性能的最佳化,即较高强度...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 铌酸盐 钽酸盐 混晶发光材料 熔体法
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2023/11/17
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院气凝胶/二硒化铌超晶格材料实现电声子解耦（图）
二硒化铌 超晶格材料 电声子解耦 凝聚态物理
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2023/11/16
自石墨烯被发现以来，原子层级别厚度的二维材料备受学界关注。与普通块体材料相比，剥离后的单层材料的电子和声子均呈现出完全的二维化行为特征，诱发了丰富多样的新奇物性。然而，二维材料多依赖于衬底的约束，而来自衬底的电子特别是声子的影响无法避免。同时，单层材料多不具备化学与环境稳定性。上述问题在普通块体材料中并不存在。因此，在块体材料中实现层间退耦合，诱导出本征二维特性具有重要意义，利于二维材料本征物性的...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 钽铌酸铋 发光材料 熔体法 晶体生长
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2023/11/13
中国科学院合肥物质科学研究院专利：钽铌酸铋发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：稀土及非稀土掺杂的铌酸盐及其混晶发光材料及熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 稀土 非稀土掺杂 铌酸盐 混晶发光材料 熔体法晶体生长
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2023/11/11
中国科学院合肥物质科学研究院专利：稀土及非稀土掺杂的铌酸盐及其混晶发光材料及熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 稀土钽铌酸盐 RE′xRE1-xNbyTa1-yO4 发光材料 熔体法 晶体生长
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2023/11/10
中国科学院合肥物质科学研究院专利：掺杂稀土钽铌酸盐RE′xRE1-xNbyTa1-yO4发光材料及其熔体法晶体生长方法
