搜索结果: 1-15 共查到“电光调制”相关记录25条 . 查询时间(0.192 秒)
中国科学合肥物质科学研究院研发出主动智能太赫兹电光调制器(图)
太赫兹 电光调制器 稳态强磁场实验
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2022/9/13
中国科学院合肥物质科学岛团队研发出一种主动智能太赫兹电光调制器(图)
电光调制器 太赫兹元器件 电子氧化物
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2023/7/24
2022年6月28日,中科院合肥研究院强磁场中心盛志高研究团队依托稳态强磁场实验装置成功研发了一种主动智能化的太赫兹电光调制器。相关研究成果发表在国际期刊 ACS Applied Materials & Interfaces 上。虽然太赫兹技术具有优越的波谱特性和广泛的应用前景,但其工程应用还严重受制于太赫兹材料与太赫兹元器件的开发。其中,围绕智能化场景应用,采用外场对太赫兹波进行主动、智能化的控...
中山大学电子与信息工程学院、光电材料与技术国家重点实验室蔡鑫伦教授、余思远教授课题组与华南师范大学华南先进光电子研究院刘柳教授课题组合作,研制出大带宽、低损耗、高效率、高集成度的硅基电光调制器。该成果以“High-performance hybrid silicon and lithium niobate Mach–Zehnder modulators for 100 Gbit s...
近日,上海交通大学先进电子材料与器件(AEMD)平台立足于国内自主研发、基于AEMD平台设备和加工条件,研制成功了高速硅基微环电光调制器,最高调制速率达30Gbps。该调制器采用了220nm硅基脊形波导的微环谐振腔,加工工艺涉及电子束直写光刻、离子注入(由协作单位支持)、等离子增强化学气相沉积、反应离子刻蚀以及多靶磁控溅射等多步微纳加工工艺技术。并通过在微环波导上嵌入PN结,实现了载流子耗尽型高速...
设计了一种基于绝缘上层硅的硅-有机物材料混合马赫-曾德干涉型高速电光调制器.利用光束传播法对顶层硅为220 nm的绝缘上层硅基片上的3 dB分束器/合束器的结构参数进行模拟,优化后附加损耗仅为0.106 dB.为提高模式转换效率,在条形波导和slot波导之间设计了模式转换器,光耦合效率高达98.8%,实现了光模式高效转化.利用时域有限差分法模拟了slot波导平板区掺杂浓度对波导内光学损耗的影响,在...
重庆大学光电工程学院光电子技术课件第四章 光波的电光调制
重庆大学光电工程学院 光电子技术 课件 第四章 光波的电光调制
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2015/12/14
重庆大学光电工程学院光电子技术课件第四章 光波的电光调制。
基于FBG的电光调制器电极设计
电光调制器 电极结构 中心波长漂移量 模场重叠因子
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2016/8/2
电光调制器作为光通信系统中最重要的器件之一,其性能决定了光通信系统的传输性能,而电光调制器的电极结构、种类和设计都对调制器的性能有重要的影响。针对基于光纤布拉格光栅(FBG)的新型电光调制器电极展开了研究和设计,并通过数值计算方法,对模场重叠因子、电极结构参数以及模场重叠因子和FBG中心波长漂移量 的关系做了讨论,并由此对基于FBG的聚合物电光调制器的电极做了一系列的分析和研究。文中的研究对基于F...
针对基于腔内折射率调制效应的微环电光调制器高Q值和调制带宽相互制约的问题,提出一种基于耦合调制方式的矩形环谐振腔电光调制器.器件由基于受抑全内反射原理的沟槽型光耦合器和基于全反射原理的90°弯曲波导构成.通过建立时域动态模型对器件进行仿真设计,可得其调制相位小于0.2π、静态调制深度大于0.96(归一化最大值为1.0)、调制带宽大于100 GHz.该器件片占面积为10μm×15μm,高效紧凑,满足...
电光调制器自适应偏振控制系统设计与实现
电光调制器(EOM) 偏振态 PID 自适应控制
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2016/8/11
为了保持电光调制器(EOM)输入光偏振方向始终与其内部可传播模式偏振方向一致,使EOM获得良好的调制效果,提出了一种基于比例-积分-微分(PID)算法的EOM自适应偏振控制方法,理论分析并实验验证了该方法的可行性。实验结果表明,基于该方法设计的控制系统不仅能实时监测EOM输出光功率,而且能保持其输出光功率最大;与激光器和EOM输入端直接用保偏光纤连接时相比,PID偏振控制下EOM输出平均功率提高了...
为了克服现有电光器件的缺陷,选取晶体生长工艺成熟、价格低廉、折射率及电光系数较大的LiNbO3作为电光晶体材料,研究了沿其光轴方向通光的横向电光效应。加工制作了x切、(xzl)45°切和y切3种不同切型的横向电光调制器,并对他们的调制性能做了实验分析。研究结果表明,沿LiNbO3光轴方向通光的横向电光调制有相同的电光参量,折射率感应主轴的位置与电场方向有关;3种不同切型的横向体电光调制器的零场泄露...
基于Talbot效应的电光调制位相阵列器
位相阵列器 Talbot效应 铌酸锂 电光效应
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2016/8/26
利用周期极化反转的铌酸锂晶体设计与制备圆形周期单元六角结构排列的可调位相阵列器,对位相阵列器的Talbot效应光衍射成像进行理论和实验研究,得到了不同位相差和不同分数Talbot距离条件下阵列器近场衍射的理论仿真和实验观测图像,实验结果与理论研究相符.计算衍射场取样区域内平均强度,获得取样区内强度随位相差和Talbot距离变化的曲线,揭示了位相差和衍射位置对阵列器衍射强度分布的影响.
设计、制作并测试了1.55 μm 光波长的微带线行波电极电光调制器。如果聚合物材料的电光系数γ33=30 pm/V,中心电极L 为20 mm,设计的调制器性能参数半波电压为6.70 V。用自主合成的发色团分子组成二阶非线性光学聚合物材料做为芯层制作的聚合物调制器,对调制器的各项性能参数进行了直流、低频和微波性能的测试,采用不同极化方法,在1.55 μm 波长上测得低频半波电压分别为10.5 V(电...
电光调制器偏置点抖动控制对射频信号的影响
光通信 光载射频传输 偏置点抖动控制 马赫-曾德尔电光调制器
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2014/3/31
马赫-曾德尔电光调制器的偏置点控制是光载射频传输链路中一项十分关键的技术。为了分析马赫-曾德尔电光调制器偏置点抖动控制对射频信号的影响,用贝塞尔级数展开再进行频谱分析的方法对系统输出信号成分进行了理论分析,设计了马赫-曾德尔调制器任意点控制系统并进行了实验验证。用MATLAB进行仿真后可知,在输入射频功率为18dBm时,抖动信号幅度需小于45mV,2次射频信号对抖动信号引起的频率分量抑制比才能大于...
电光调制晶体半波电压倍频测量方法的讨论
电光调制 半波电压 倍频法
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2010/3/10
在电光调制晶体的半波电压倍频法测量中,基于晶体电光效应分析了不同偏压下输出信号与调制信号之间的线性与倍频关系,并利用计算机模拟分析了调制信号的调制幅度对倍频信号的影响,分析结果表明倍频信号受高阶谐波分量的干扰产生波形畸变,不利于晶体半波电压的倍频法测量。提出利用李萨如图形的对称性来确定电光调制的倍频位置,克服了调制幅度波形畸变问题的干扰。通过对半波电压不同测量方法的实验测量和对比分析,说明该方法可...