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中国科学院金属研究所专利：一种改善金属凝固缺陷、细化凝固组织的方法和装置
中国科学院金属研究所 专利 金属凝固 细化凝固组织
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2023/10/16
本发明是一种改善金属凝固缺陷、细化凝固组织的方法和装置,该方法及装置包括励磁电源和磁场发生装置,磁场发生装置浸入铸件(铸坯)及连铸的金属液中,通过电磁力及焦耳热效应,在金属液内部将磁场发生装置内表面上的晶核剥落,并利用磁场引发熔体振动及对流,将大量晶核持续地分散到金属液中,缩短金属凝固过程中的补缩距离,抑制铸件、铸坯(锭)中心缺陷,减轻A偏析,并细化凝固组织,同时可以防止表面夹杂卷入内部。本发明用...
中国科学院金属研究所专利：一种改善金属凝固缺陷、细化凝固组织的装置
中国科学院金属研究所 专利 金属凝固 细化凝固
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2023/9/5
本发明是一种改善金属凝固缺陷、细化凝固组织的装置,包括励磁电源和磁场发生装置,磁场发生装置浸入铸件及连铸的金属液中,励磁电源通过电缆为磁场发生装置传导励磁电流,励磁电源提供的励磁电流为脉冲电流,使磁场作用于磁场发生装置内部的金属液。通过电磁力及焦耳热效应,在金属液内部将内表面上的晶核剥落,利用磁场引发熔体振动及对流,将大量晶核持续地分散到金属液中,缩短金属凝固过程中的补缩距离,抑制铸件、铸坯中心缺...
中国科学院金属研究所专利：一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置和方法
中国科学院金属研究所 专利 工业纯镁 超高纯金属镁
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2023/9/4
本发明属于金属材料制备领域,具体涉及一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的方法和装置。在真空室的底部设置真空室炉盖,真空室炉盖上设有原料石墨坩埚、高纯镁收集器石墨坩埚,原料石墨坩埚的外侧设置与温度控制器Ⅰ相连的加热炉Ⅰ,加热炉Ⅰ的顶部设置与温度控制器Ⅱ相连的加热炉Ⅱ,加热炉Ⅱ的内部设置冷凝器,冷凝器通过溜槽连至高纯镁收集器石墨坩埚。该方法直接对工业镁锭或者添加少量铁粉的工业纯镁锭进行真空蒸溜,真空室的真...
中国科学院金属研究所专利：一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置
中国科学院金属研究所 专利 纯镁 高纯金属镁 装置
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2023/9/1
本实用新型属于金属材料制备领域,具体涉及一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置。在真空室的底部设置真空室炉盖,真空室炉盖上设有原料石墨坩埚、高纯镁收集器石墨坩埚,原料石墨坩埚的外侧设置与温度控制器Ⅰ相连的加热炉Ⅰ,加热炉Ⅰ的顶部设置与温度控制器Ⅱ相连的加热炉Ⅱ,加热炉Ⅱ的内部设置冷凝器,冷凝器通过溜槽连至高纯镁收集器石墨坩埚。本实用新型可以直接对工业镁锭或者添加少量铁粉的工业纯镁锭进行真空蒸溜,真空...
中国科学院金属研究所专利：一种有色金属土壤加速腐蚀试验装置
中国科学院金属研究所 专利 有色金属 土壤 加速腐蚀 试验装置
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2023/9/1
本实用新型涉及有色金属土壤加速腐蚀研究领域,具体地来说为一种有色金属土壤加速腐蚀试验装置,用于检测判定实验地域的土壤对金属材料的腐蚀性大小。该装置导电容器中装有腐蚀性介质,金属管上下分别塞有上橡皮塞和下橡皮塞,金属管置于导电容器的腐蚀性介质中,金属管的上端连接直流电正极接线柱,直流电正极接线柱通过导线连接直流电源的正极；导电容器外侧面设置有直流电负极接线柱,直流电负极接线柱通过导线连接直流电源的负...
中国科学院金属研究所专利：一种剥离涂层下缝隙内金属腐蚀试验装置
中国科学院金属研究所 专利 剥离 涂层 金属腐蚀 试验装置
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2023/9/1
本实用新型涉及一种剥离涂层下缝隙内金属腐蚀试验装置。包括底板、置于底板上并与底板固定的盖板,其中盖板与底板之间具有缝隙,所述盖板一侧为溶液区,溶液区与缝隙区相通,另一侧上均匀间隔设置有盐桥,用以外接参比电极,每个盐桥两侧对应的位置均分别设置有辅助电极和复合微电极,辅助电极和复合微电极的一端均与缝隙内溶液相通,辅助电极和复合微电极的另一端分别通过铜导线与测量仪器相连接；底板上设置有两个以上的小试样放...
中国科学院金属研究所专利：一种金属中氢扩散或渗透性能测试方法及其专用装置
中国科学院金属研究所 专利 金属 氢扩散 渗透性能 测试方法
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2023/8/16
中国科学院金属研究所专利：一种金属中氢扩散或渗透性能测试方法及其专用装置
中国科学院金属研究所专利：一种应力和交流电共同作用下金属氢渗透试验装置
中国科学院金属研究所 专利 应力 交流电 金属氢渗透
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2023/8/14
中国科学院金属研究所专利：一种应力和交流电共同作用下金属氢渗透试验装置
6.激光法制备硅基系列纳米粉装置及技术
纳米
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2008/1/17
6.激光法制备硅基系列纳米粉装置及技术
(中国科学院金属研究所)
一、成果内容简介：陶瓷是国际工业界公认的跨世纪新材料支柱产业之一，从1991年以来每年以8.5％的速度增长，以日、美、德处于领先地位，高技术陶瓷发展关键问题就是解决陶瓷的脆性。因此陶瓷增韧就成为材料界及工业界关注的焦点，纳米复合技术被认为是解决该问题的关键技术途径.金属研究所的科技人员经过十年的努力工作，已研制出生产Si、Si3...