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柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...
中国科学院物理研究所专利：一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法
中国科学院物理研究所专利：一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
中国科学院物理研究所专利：一种安德烈夫反射结及其制备方法和应用
中国科学院物理研究所专利：直拉单晶硅片的结构缺陷检测方法
中国科学院物理研究所专利：具有高输出功率的自旋转矩振荡器及其应用
中国科学院物理研究所专利：具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种铁磁半导体材料的单晶生长方法
中国科学院物理研究所专利：一种用于芯片制造的刻蚀与沉积-剥离融合方法
中国科学院物理研究所专利：一种亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12及其制备方法