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中国科学院上海微系统与信息技术研究所在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。信息功能材料国家重点实验室SOI材料课题组在国际上首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET的栅介质/沟道界面钝化层，调制界面特性，有望解决未来微电子技术进入非硅CMOS时代，锗材料替代硅材料所面临的栅介质/沟道界面不稳定的难题。研究论文Fluorinated graphene in interface engineering ...
中国首次实现锗基石墨烯大规模生长
中国 锗基石墨烯大规模生长 化学气相淀积法
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2013/8/29
2013年8月28日，中国科学院上海微系统所获悉，该所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组，采用化学气相淀积法，在锗衬底上直接制备出大面积、均匀的、高质量单层石墨烯。相关成果日前发表于《自然》杂志子刊《科学报告》。