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中国科学院金属研究所专利:抗原子氧侵蚀的有机硅/ 二氧化硅杂化涂层及制备方法和应用
中国科学院金属研究所 专利 原子氧侵蚀 有机硅 二氧化硅 杂化涂层
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2023/12/19