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中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 TiB2-NbC-SiC 陶瓷复合材料
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2023/12/27
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
本发明涉及陶瓷基复合材料及制备方法,具体为一种原位反应热压合成 TaC-TaSi2陶瓷复合材料及其制备方法。TaC和TaSi2两种成分相被原位生成,按 体积百分含量计,0＜TaSi2＜100％。具体制备方法是：首先,以钽粉、硅粉和石墨 粉为原料,在树脂罐中干燥条件下球磨12～48小时,过筛后装入石墨模具中冷压 成型(5～20MPa),在真空或通有氩气的热压炉内烧结,升温速率为10～15℃/ 分钟,...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 Nb4AlC3 块体陶瓷
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2023/12/19
本发明涉及一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷及其制备方法。所述 Nb4AlC3块体陶瓷属六方晶系,空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为3.15,c 为24.22,理论密度为7.06g/cm3。其晶体结构中Al和Nb以较弱的共价键相结 合,使Nb4AlC3在应力作用下易沿(0001)基面产生剪切变形,使晶粒易于产生扭 折和层裂,宏观上表现显微塑性,可用普通的工具钢进行机械加工...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 TaC-SiC 陶瓷复合材料
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2023/12/19
本发明涉及陶瓷基复合材料及合成方法,具体为一种原位反应热压合成 TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法,以解决TaC的抗氧化性能不理想,在氧化 气氛中很容易形成疏松的表面氧化层等问题。TaC和SiC两种成分相被原位生成, SiC的百分含量为0～50vol.％。具体合成方法是：以钽粉、硅粉和石墨粉为原料, 在树脂罐中干燥条件下球磨10～40小时,过筛后装入石墨模具中冷压成型(5～20 MPa),在真...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备铪铝碳陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 铪铝碳 陶瓷材料
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2023/11/27
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备陶瓷铪 铝碳(Hf3Al3C5、Hf3Al4C5、Hf2Al4C6及多相复合)材料的方法,解决现有技术制 备的铪铝碳陶瓷材料不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和C粉 为原料,原料经过球磨5-50小时,以10-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨 模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压制备锆铝硅碳陶瓷块体材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压 锆铝硅碳 陶瓷块体材料
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2023/11/27
本发明涉及耐超高温陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位热压反应制备陶 瓷锆铝硅碳(Zr3[Al(Si)]4C6和Zr2[Al(Si)]4C5)块体材料的方法,可以解决现有非 原位合成的方法过程复杂、样品成型尺寸较小等问题。采用一定化学计量比的Zr 粉、Al粉、Si粉和C粉为原料,原料经过球磨5-50小时,以5-20MPa的压力 冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空 ...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TaC-TaSi2陶瓷复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备铪铝氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 铪铝氮 陶瓷材料
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2023/11/13
本发明涉及高温结构陶瓷的制备技术,特别提供了一种原位反应制备铪铝氮(Hf3AlN)陶瓷材料的方法,解决现有的铪铝氮陶瓷材料制备困难、不实用等问题。采用一定化学计量比的Hf粉、Al粉和AlN粉或Hf粉、Al粉和HfN粉为原料,原料经过球磨5-50小时,以5-20MPa的压力冷压成饼状,装入石墨模具中,在通有惰性气体(如氩气)作为保护气(或真空下)的热压炉中以2-50℃/min的升温速率加热至1200...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成Tac-SiC陶瓷复合材料
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压 Nb4AlC3 块体陶瓷
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2023/10/18
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成Nb4AlC3块体陶瓷
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备镥硅氧氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 镥硅氧氮 陶瓷材料
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2023/9/7
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧氮(Lu4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。以氧化镥粉(Lu2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应合成单相的Lu4Si2O7N2粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备镥硅氧粉体陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 镥硅氧粉体陶瓷材料
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2023/9/7
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料的方法。其以氧化镥粉和二氧化硅粉混合而成的固体粉末混合物作为原料,原位反应得到镥硅氧粉体陶瓷材料,原料粉的摩尔比为Lu2O3:SiO2=1：(0.8~1.2)。本发明可以在较低温度下,较短的时间内制备得到高纯度镥硅氧(Lu2SiO5)粉体陶瓷材料,所制备出的Lu2SiO5粉体陶瓷材料具有高熔点、颗粒细小...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备镥硅氧块体陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 镥硅氧块体 陶瓷材料
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2023/9/6
本发明涉及高温功能/结构陶瓷领域,具体地说是一种原位反应制备镥硅氧(Lu2SiO5)块体陶瓷材料的方法。该方法用一定化学计量比的氧化镥粉和二氧化硅粉作为原料,经过球磨机球磨5~50小时,将混合均匀的原料装入石墨模具中,以5~20MPa的压力冷压成型,在通有保护气体(Ar)的热压炉中以2~15℃/min的升温速率加热至1400~1650℃,升温过程的同时加压15~40MPa,原位反应1~3小时,降温...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 钇硅氧氮 陶瓷材料
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2023/9/4
本发明属于高温功能/结构陶瓷领域,更具体地说,是涉及一种原位反应制备钇硅氧氮(Y4Si2O7N2)陶瓷材料的方法。本发明提供了一种原位反应制备钇硅氧氮陶瓷材料的方法。其以氧化钇粉(Y2O3)、氧化硅粉(SiO2)和氮化硅粉(Si3N4)混合而成的固体粉末混合物作为原料,原料粉的摩尔比为Y2O3∶SiO2∶Si3N4＝4∶(0.8-1.2)∶(0.8-1.2),采用原位反应法合成单相的Y4Si2O7...
中国科学院金属研究所专利：一种利用烧结助剂间原位反应致密二硼化钛材料的方法
中国科学院金属研究所 专利 烧结助剂间 原位反应 致密二硼化钛材料
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2023/8/28
中国科学院金属研究所专利：一种利用烧结助剂间原位反应致密二硼化钛材料的方法